علی اصغر اروجی

Ultra-fast Two-bit All-Optical Analog to Digital Convertor Based on Surface Plasmons and Kerr-Type Nonlinear Cavity

PLASMONICS(2021)
9811107002*, ^محمد دانائی, ^علی اصغر اروجی

Manipulating pattern periods via external bias for graphene-based THz Dual-Band absorber

MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS(2021)
9611107002, ^علی اصغر اروجی*

Efficient Sb2(S,Se)3/Zn(O,S) solar cells with high open-circuit voltage by controlling sulfur content in the absorber-buffer layers

SOLAR ENERGY(2021)
9811107007, ^علی اصغر اروجی*, دکتر سمانه شربتی

Energy Band Adjustment in a Reliable Novel Charge Plasma SiGe Source TFET to Intensify the BTBT Rate

IEEE Transactions on Electron Devices(2021)
دکتر محمد کاظم انوری فرد*, ^علی اصغر اروجی

β-Ga2O3 double gate junctionless FET with an efficient volume depletion region

PHYSICS LETTERS A(2021)
9711119041*, ^علی اصغر اروجی

Improving the efficiency of CIGS solar cells using an optimized p-type CZTSSe electron reflector layer

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS(2021)
9812119001, ^علی اصغر اروجی*, 9811107007

The Novel Structure to Enhancement Ion/Ioff Ratio Based on Field Effect Diode

IEEE transactions on device and materials reliability(2021)
9711119022*, ^علی اصغر اروجی, دکتر محمد سروش

Energy-Aware Routing Considering Load Balancing for SDN: A Minimum Graph-Based Ant Colony Optimization

CLUSTER COMPUTING-THE JOURNAL OF NETWORKS SOFTWARE TOOLS AND APPLICATIONS(2021)
9321107001, ^هادی سلطانی زاده*, ^علی اصغر اروجی

A novel deep gate power MOSFET in partial SOI technology for achieving high breakdown voltage and low lattice temperature

JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2021)
9611119022, ^علی اصغر اروجی*

Suitable Top Cell Partners for Copper Indium Gallium Selenide-Based Tandem Solar Cells to Achieve >30% Efficiency

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE(2021)
9811107007, ^علی اصغر اروجی*, دکتر سمانه شربتی

Improvement the Breakdown Voltage and the On-resistance in the LDMOSFET: Double Buried Metal Layers Structure

Silicon(2021)
9622107001, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی

Analytical Model for Two‑Dimensional Electron Gas Charge Density in Recessed‑Gate GaN High‑Electron‑Mobility Transistors

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS(2021)
سمانه شربتی*, 9811107007, Thomas Ebel, ^علی اصغر اروجی, Wulf‑Toke Franke

Investigation of 4H-SiC gate-all-around cylindrical nanowire junctionless MOSFET including negative capacitance and quantum confinements

EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL PLUS(2021)
9711119041, ^علی اصغر اروجی*

Effect of the junction barrier on current–voltage distortions in the Sb2Se3/Zn(O,S) solar cells

OPTICAL MATERIALS(2021)
9811107007, ^علی اصغر اروجی*, سمانه شربتی

Reducing the Drain Leakage Current in a Double-Gate Junctionless MOSFET Using the Electron Screening Effect

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS(2021)
9711107001, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی

Modeling of GaAsxP1-x/CIGS tandem solar cells under stress conditions

Superlattices and Microstructures(2021)
9811107007, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی

A Novel SOI MESFET by Implanted N Layer (INL-SOI) for High Performance Applications

Journal of Modeling & Simulation in Electrical & Electronics Engineering (MSEEE)(2021)
9111119010, ^علی اصغر اروجی*

Anode resistance reduction of dye-sensitized solar cells using graphene for efficiency improvement

OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS(2021)
علی فتاح, ^عبدالله عباسی*, 9711107001, ^علی اصغر اروجی

بهبود عملکرد دیوداثرمیدانی به منظور کاربرد درتکنولوژی نانو

مهندسی برق و الکترونیک ایران(2021)
9711107003, ^علی اصغر اروجی, سمانه شربتی*

ICI and BEP analysis of hyperbolic FRFT based systems for satellite internet of things

TELECOMMUNICATION SYSTEMS(2021)
9221907002, ^علی شهزادی*, ^علی اصغر اروجی

Improvement of Nanoscale SOI MOSFET Heating Effects by Vertical Gaussian Drain-Source Doping Region

Silicon(2021)
9711119041, ^علی اصغر اروجی*, ^عبدالله عباسی

Scattering mechanisms in β-Ga2O3 junctionless SOI MOSFET: Investigation of electron mobility and short channel effects

Materials Today Communications(2021)
9711119041, ^علی اصغر اروجی*

A β-Ga₂O₃ MESFET to Amend the Carrier Distribution by Using a Tunnel Diode

IEEE transactions on device and materials reliability(2021)
9711119041*, ^علی اصغر اروجی

Dual-band terahertz absorber based on graphene periodic arrays of disks and ribbons: circuit model approach

JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2021)
9611107002, ^علی اصغر اروجی*

Investigation of tied double gate 4H–SiC junctionless FET in 7 nm channel length with a symmetrical dual p+ layer

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2021)
9711119041, ^علی اصغر اروجی*

Highly tunable multi‐band THz absorber with circuit model representation using multi‐bias scheme

INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES AND FIELDS(2020)
9611107002, ^علی اصغر اروجی*

A Silicon on Nothing LDMOS with Two Air Pillars in Gate Insulator for Power Applications

Silicon(2020)
9111119016, ^علی اصغر اروجی, Zeinab Ramezani, & I. S. Amiri*

Efficiency Improvement of graphene/silicon Schottky junction solar cell using diffraction gratings

OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS(2020)
علی فتاح, 9711107001, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی

Using energy band engineering to improve heterojunction solar cellsefficiency

OPTIK(2020)
9622107001, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی

Towards high efficiency Cd-Free Sb2Se3 solar cells by the band alignment optimization

SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS(2020)
9811107007, ^علی اصغر اروجی*, سمانه شربتی

Design of CuIn1−yGaySe2/Si1−xGex Tandem solar cells with controlled current matching

IET OPTOELECTRONICS(2020)
9811107007, ^سمانه شربتی*, ^علی اصغر اروجی

An AlGaN/GaN HEMT by a reversed pyramidal channel layer: Investigation and fundamental physics

INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES AND FIELDS(2020)
9411119008, ^علی اصغر اروجی*

A simulation study of Junctionless Double-Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Symmetrical Side Gates

Silicon(2020)
9711107001, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی

New high-voltage and high-speed β-Ga2O3 MESFET with amended electric field distribution by an insulator layer

EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL PLUS(2020)
9711119041, ^علی اصغر اروجی*

A multi-reconfigurable CLL-loaded planar monopole antenna

RADIOENGINEERING(2020)
محمد مهدی فخاریان*, ^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی

Circuit modeling of ultra‐broadband terahertz absorber based on graphene array periodic disks

INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES AND FIELDS(2020)
9611107002, ^علی اصغر اروجی*

Short-Term Person Re-Identification Using RGB, Depth and Skeleton Information of RGB-D Sensors

IRANIAN JOURNAL OF SCIENCE AND TECHNOLOGY- TRANSACTIONS OF ELECTRICAL ENGINEERING(2020)
9221907001, ^هادی سلطانی زاده*, ^علی اصغر اروجی

Tensor-based Sparse Canonical Correlation Analysis via Low Rank Matrix Approximation for RGB-D Long-term Person Re-identification

MULTIMEDIA TOOLS AND APPLICATIONS(2020)
9221907001, ^هادی سلطانی زاده*, ^علی اصغر اروجی

Alternative buffer layers in Sb2Se3 thin‐film solar cells to reduce open‐circuit voltage offset

SOLAR ENERGY(2020)
9811107007, ^علی اصغر اروجی*, ^سمانه شربتی

Novel, straightforward procedure to design square loop frequency selective surfaces based on equivalent circuit model

AEU-INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS(2020)
9211106001, ^مجید افصحی*, ^علی اصغر اروجی

ICI analysis of hyperbolic FRFT-FBMC based on optimal order of transform for Internet of Things applications

IET COMMUNICATIONS(2020)
9221907002, ^علی شهزادی*, ^علی اصغر اروجی

Reconfigurable multi-band, graphene-based THz absorber: Circuit model approach

Results in Physics(2020)
9611107002, ^علی اصغر اروجی*

Investigation of Short Channel Effects in SOI MOSFET with 20 nm Channel Length by a β-Ga2O3 Layer

ECS Journal of Solid State Science and Technology(2020)
9711119041*, ^علی اصغر اروجی

Compact Modeling of Fin-LDMOS Transistor Based on the Surface Potential

Silicon(2020)
9211107001, ^علی اصغر اروجی*

Multidimensional Sparse representation for Multishot Person Reidentification

IEEE Sensors Letters(2019)
9221907001, ^هادی سلطانی زاده*, ^علی اصغر اروجی

Performance Improvement of SiGe Based Silicon-On-Insulator Transistor Using Vertically Graded Channel Approach

Silicon(2019)
9411119009, ^علی اصغر اروجی*, دکتر محمد کاظم انوری فرد

Enhancement of a Nanoscale Novel Esaki Tunneling Diode Source TFET (ETDS-TFET) for Low-Voltage Operations

Silicon(2019)
محمد کاظم انوری فرد*, ^علی اصغر اروجی

A Nano junctionless Double-Gate MOSFET by Using the Charge Plasma Concept to Improve Short-Channel Effects and Frequency Characteristics

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS(2019)
زینب رمضانی, ^علی اصغر اروجی, سید امیر قریشی, دکتر امیری*

Triangle and Aperiodic Metasurfaces for Bistatic Backscattering Engineering

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS(2019)
9411908002*, ^مجید افصحی, ^علی اصغر اروجی, Prof. T. A. Denidni

An AlGaN/GaN HEMT by the periodic pits in the buffer layer

PHYSICA SCRIPTA(2019)
9411119008, ^علی اصغر اروجی*

Designing of AlxGa1-xAs/CIGS tandem solar cell by analytical model

SOLAR ENERGY(2019)
^سمانه شربتی*, 9511119012, ^علی اصغر اروجی

A nano scale triple-gate transistors to suppress the aggregated body holes

Silicon(2019)
9411119001, ^علی اصغر اروجی*, 9311107002

New symmetric and planar designs of reversible full-adders/subtractors in quantum-dot cellular automata

EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL D(2019)
9311119010, ^علی اصغر اروجی*

Multifunctional Transparent Electromagnetic Surface Based on Solar Cell for Backscattering Reduction

IEEE TRANSACTIONS ON ANTENNAS AND PROPAGATION(2019)
9411908002*, دکترمحمد اکبری, ^مجید افصحی, ^علی اصغر اروجی, دکترسیبک, دکتر دنیدنی

Hyperbolic FRFT-FBMC for 5G signals

IET COMMUNICATIONS(2019)
9221907002, ^علی شهزادی*, ^علی اصغر اروجی

Novel synthesis formulas to design square patch frequency selective surface absorber based on equivalent circuit model

INTERNATIONAL JOURNAL OF RF AND MICROWAVE COMPUTER-AIDED ENGINEERING(2019)
9211106001, ^مجید افصحی*, ^علی اصغر اروجی

Design of all-optical XOR and XNOR logic gates based on Fano resonance in plasmonic ring resonators

OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS(2019)
9611107003, ^محمد دانائی*, ^علی اصغر اروجی

High-blocking-voltage UMOSFETs with reformed electric field distribution

JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2018)
9412119011, ^علی اصغر اروجی*

Design and analysis of an optical full-adder based on nonlinear photonic crystal ring resonators

OPTIK(2018)
9611107003, ^محمد دانائی*, ^علی اصغر اروجی

An Optimized Checkerboard Structure for Cross-Section Reduction: Producing a Coating Surface for Bistatic Radar Using the Equivalent Electric Circuit Model

IEEE ANTENNAS AND PROPAGATION MAGAZINE(2018)
9411908002, ^مجید افصحی*, ^علی اصغر اروجی

ترانزیستور ماسفت سه‌گیتی با استفاده از دیود تونل‌زنی سیلیسیم-ژرمانیم برای بهبود اثر بدنه شناور

مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز(2018)
9411119001, ^علی اصغر اروجی*, 9311107002

A Novel SOI MESFET to Improve the Equipotential Contour Distributions by Using an Oxide Barrier

Silicon(2018)
9411119016, ^علی اصغر اروجی*, 9311107002

A novel nanoscale SOI MOSFET by embedding undoped region for improving self-heating effect

Superlattices and Microstructures(2018)
مجید غفاری, ^علی اصغر اروجی*

Potential efficiency improvement of Cu (In, Ga) Se2 thin-film solar cells by the window layer optimization

THIN SOLID FILMS(2018)
9511119012, ^سمانه شربتی*, ^علی اصغر اروجی

Analysis and modeling of unipolar junction transistor with excellent performance: a novel DG MOSFET with N+−P− junction

JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2018)
9311107002, ^علی اصغر اروجی*

The effect of sharp-corner emendation of irregular FinFETs on electrothermal characteristics

JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2018)
9211107003, ^علی اصغر اروجی*

Proper Electrostatic Modulation of Electric Field in a Reliable Nano-SOI With a Developed Channel

IEEE Transactions on Electron Devices(2018)
محمد کاظم انوری فرد*, ^علی اصغر اروجی

A novel high performance LDMOS transistor with high channel density

JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2018)
9211107001, ^علی اصغر اروجی*

Modelling the spice parameters of SOI MOSFET using a combinational algorithm

CLUSTER COMPUTING-THE JOURNAL OF NETWORKS SOFTWARE TOOLS AND APPLICATIONS(2018)
9311119010, ^علی اصغر اروجی*, 9311107002, Mohamed Elhoseny, Ahmad Farouk, N. Arun Kumar

Dual metal gate tunneling field effect transistors based on MOSFETs: A 2-D analytical approach

Superlattices and Microstructures(2018)
9311107002, ^علی اصغر اروجی*

A novel 4H-SiC MESFET by lateral insulator region to improve the DC and RF characteristics

INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2018)
9311119009, ^علی اصغر اروجی*

Multi-constraint QoS routing using a customized lightweight evolutionary strategy

SOFT COMPUTING(2018)
9321107001, ^هادی سلطانی زاده*, ^علی اصغر اروجی

Triple tooth AlGaN/GaN HEMT on SiC substrate: A novel structure for high-power applications

JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY(2017)
مجید غفاری, ^علی اصغر اروجی*, مجتبی ولی نتاج

Stopping electric field extension in a modified nanostructure based on SOI technology - A comprehensive numerical study

Superlattices and Microstructures(2017)
محمد کاظم انوری فرد*, ^علی اصغر اروجی

Proposed suitable electron reflector layer materials for thin-film CuIn1−xGaxSe2 solar cells

OPTICAL MATERIALS(2017)
^سمانه شربتی*, 9312119005, ^علی اصغر اروجی

Controlled Kink Effect in a Novel High-Voltage LDMOS Transistor by Creating Local Minimum in Energy Band Diagram

IEEE Transactions on Electron Devices(2017)
مهسا مهراد, میثم زارعی, ^علی اصغر اروجی*

The design and evaluation of a 100 kW grid connected solar photovoltaic power plant in Semnan city

Journal of Solar Energy Research(2017)
9511119012, ^سمانه شربتی*, ^علی اصغر اروجی

A novel recessed gate MESFET by embedded dielectric packet

JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2017)
9311119009, ^علی اصغر اروجی*

New technique to extend the vertical depletion region at SOI-LDMOSFETs

JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2017)
9112119003, ^علی اصغر اروجی*, ^عباس دیدبان

A new DG nanoscale TFET based on MOSFETs by using source gate electrode: 2D simulation and an analytical potential model

JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY(2017)
9311107002, ^علی اصغر اروجی*

A novel double gate MOSFET by symmetrical insulator packets with improved short channel effects

INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2017)
9311107002, ^علی اصغر اروجی*

Electro-thermal analysis of non-rectangular FinFET and modeling of fin shape effect on thermal resistance

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2017)
9211107003, ^علی اصغر اروجی*

Amended Electric Field Distribution: A Reliable Technique for Electrical Performance Improvement in Nano scale SOI MOSFETs

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS(2017)
9311107002, ^علی اصغر اروجی*

Checkerboard Plasma Electromagnetic Surface for Wideband and Wide-Angle Bistatic Radar Cross Section Reduction

IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE(2017)
9411908002, ^مجید افصحی*, ^علی اصغر اروجی

Novel 4H-SiC MESFET with Modify the Depletion Region by Dual Well for High-Current Applications

JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2016)
^علی اصغر اروجی*, 9311119009, 9311107002

A New Nanoscale Fin Field Effect Transistor with Embedded Intrinsic Region for High Temperature Applications

Superlattices and Microstructures(2016)
9211107003, ^علی اصغر اروجی*

Dual trench AlGaN/GaN HEMT on SiC substrate: A novel device to improve the breakdown voltage and high power performance

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2016)
9311119011, ^علی اصغر اروجی*

A novel high-performance high-frequency SOI MESFET by the damped electric field

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2016)
^علی اصغر اروجی, 9121107001, ^پرویز کشاورزی

Evidence for Enhanced Reliability in a Novel Nanoscale Partially-Depleted SOI MOSFET

IEEE transactions on device and materials reliability(2015)
^علی اصغر اروجی

A SiGe on insulator MOSFET to improve the electrical performances: Amended channel band energy

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی

High-voltage and low specific on-resistance power UMOSFET using P and N type columns

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

A novel LDMOS structure using P-trench for high performance applications

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی, ^عباس دیدبان

A novel lateral diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) by attracting the electric field lines

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی

Novel attributes of AlGaN/AlN/GaN/SiC HEMTs with the multiple indented channel

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی

A novel nanoscale fin field effect transistor by amended channel: Investigation and fundamental physics

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی

Operational improvement of AlGaN/GaN HEMT on SiC substrate with the amended depletion region

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی

A novel fin field effect transistor by extra insulator layer for high performance nanoscale applications

JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2015)
^علی اصغر اروجی

A novel symmetrical 4H–SiC MESFET: an effective way to improve the breakdown voltage

JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2015)
^علی اصغر اروجی

Reconfigurable multiband extended U-slot antenna with switchable polarization for wireless applications

IEEE ANTENNAS AND PROPAGATION MAGAZINE(2015)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی

A novel nanoscale low-voltage SOI MOSFET with dual tunnel diode (DTD-SOI): Investigation and fundamental physics

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی

A new technique in LDMOS transistors to improve the breakdown voltage and the lattice temperature

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
مهسا مهراد, ^علی اصغر اروجی

A novel symmetric GaN MESFET by dual extra layers of Si3N4

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی, امیرحسین امین بیدختی

Enhanced Critical Electrical Characteristics in a Nanoscale Low-Voltage SOI MOSFET with Dual Tunnel Diode

IEEE Transactions on Electron Devices(2015)
^علی اصغر اروجی

Solving the problem of forbidden states in Discrete Event Systems: A novel systematic method for reducing the number of control places

ASIAN JOURNAL OF CONTROL(2015)
^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی

32nm high current performance double gate MOSFET for low power CMOS circuits

INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2015)
^علی اصغر اروجی

Numerical simulation of lateral diffused metal oxide semiconductor field effect transistors: A novel technique for electric field control to improve breakdown voltage

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی

design of reconfigurable active integrated microstrip antenna with switchable LNA/PA performances for WLAN and WiMAX applications

IET MICROWAVES ANTENNAS & PROPAGATION(2015)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی

A Novel MESFET structure by U-shape buried oxide for improving the DC and RF Characteristics

Superlattices and Microstructures(2015)
^علی اصغر اروجی

High-performance SOI MESFET with modified depletion region using a triple recessed gate for RF applications

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی, مرتضی رحیمیان

A novel SOI-MESFET structure with double protruded region for RF and high voltage applications

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی

A novel high-performance SOI MESFET by stopping the depletion region extension

Superlattices and Microstructures(2014)
^علی اصغر اروجی

A novel nanoscale SOI MOSFET with Si embedded layer as an effective heat sink

INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2014)
^علی اصغر اروجی

Improving Self-Heating Effect and Maximum Power Density in SOI MESFETs by Using the Hole's Well Under Channel

IEEE Transactions on Electron Devices(2014)
^علی اصغر اروجی

Simulation analysis of a novel dual-trench structure for a high power silicon-on-insulator metal-semicond0uctor field effect transistor

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2014)
^علی اصغر اروجی

A novel slot antenna with reconfigurable meander-slot DGS for cognitive radio applications

APPLIED COMPUTATIONAL ELECTROMAGNETICS SOCIETY JOURNAL(2014)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی

Novel Indium Arsenide double gate and gate all around nanowire MOSFETs for diminishing the exchange correlation effect: A quantum study

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2014)
^علی اصغر اروجی

Positive charges at buried oxide interface of RESURF: An anallytical model for the breakdown voltage

Superlattices and Microstructures(2014)
^علی اصغر اروجی, مهسا مهراد

A novel SOI MESFET by reducing the electric field crowding for high voltage applications

Superlattices and Microstructures(2014)
^علی اصغر اروجی

Accurate Analytical Drain Current Model for a Nanoscale Fully-Depleted SOI MOSFET

SOLID-STATE ELECTRONICS(2014)
^علی اصغر اروجی

Novel reduced body charge technique in reliable nanoscale SOI MOSFETs for suppressing the kink effect

Superlattices and Microstructures(2014)
^علی اصغر اروجی

A silicon-on-insulator metal–semiconductor field-effect transistor with an L-shaped buried oxide for high output-power density

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2014)
^علی اصغر اروجی

A Simple Petri Net Controller by Solving Some Integer Linear Programming Problems

CONTROL ENGINEERING AND APPLIED INFORMATICS(2014)
^عباس دیدبان, میثم زارعی, ^علی اصغر اروجی

A reflectarray based on the folded sir patch-slot configuration backed on FSS for low RCS

(2014)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی

The impact of high-k gate dielectric and FIBL on performance of nano DG-MOSFETs with underlapped source/drain region

JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2014)
مرتضی چرمی, حمید رضا مشایخی , ^علی اصغر اروجی

A novel SOI MESFET by л-shaped gate for improving the driving current

JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2014)
^علی اصغر اروجی

A novel double-recessed 4H-SiC MESFET using scattering the electric field for high power and RF applications

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2014)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی

آشکارسازی و تعیین مکان متون فارسی - عربی در تصاویر ویدیویی

(2014)
^سعید مظفری, ^علی اصغر اروجی

Safety analysis of Discrete Event Systems using a simplified Petri Net controller

ISA TRANSACTIONS(2014)
^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی

Employing Gaussian Apodization Technique in Fiber Bragg Gratings: A Simulation Study

(2014)
محمد مهدی شهیدی , ^علی اصغر اروجی, نسرین صالحی

A novel high voltage lateral double diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) device with a U-shaped buried oxide feature

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2013)
^علی اصغر اروجی

A novel vertical stepped doping poly-Si TFT (VSD-TFT) for leakage current improvement

Superlattices and Microstructures(2013)
^علی اصغر اروجی

A silicon/indium arsenide source structure to suppress the parasitic bipolar-induced breakdown effect in SOI MOSFETs

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2013)
^علی اصغر اروجی

Voltage difference engineering in SOI MOSFETs: A novel side gate device with improved electrical performance

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2013)
^علی اصغر اروجی

A novel double recessed gate 4H-SiC MESFET at drain side with partly undoped space region

(2013)
^علی اصغر اروجی

Improvement of Electrical Properties in a Novel Partially Depleted SOI MOSFET With Emphasizing on the Hysteresis Effect

IEEE Transactions on Electron Devices(2013)
^علی اصغر اروجی

Investigation of the Electrical and Thermal Performance of SOI MOSFETs with Modified Channel Engineering

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2013)
^علی اصغر اروجی

A novel high frequency SOI MESFET by modified gate capacitances

Superlattices and Microstructures(2013)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی, امیرحسین امین بیدختی

Improvement of self-heating effect in a novel nanoscale SOI MOSFET with undoped region: A comprehensive investigation on DC and AC operations

Superlattices and Microstructures(2013)
^علی اصغر اروجی

A new design of dual-port active integrated antenna for 2.4/5.2 GHz WLAN applications

(2013)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی

: Simplification of a Petri Net Controller in Industrial Systems by Using an Optimization Algorithm

(2013)
^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی

A new double-recessed 4H-SiC MESFET with superior RF characteristics

INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2013)
^علی اصغر اروجی

Impact of Split Gate in a Novel SOI MOSFET (SPG SOI) for Reduction of Short-Channel Effects: Analytical Modeling and Simulation

(2013)
^علی اصغر اروجی

Injected charges in partial SOI LDMOSFETs: A new technique for improving the breakdown voltage

Superlattices and Microstructures(2013)
^علی اصغر اروجی

SOI MOSFET with an insulator region (IR-SOI): A novel device for reliable nanoscale CMOS circuits

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS(2013)
^علی اصغر اروجی

A novel deep submicron SiGe-on-insulator (SGOI) MOSFET with modified channel band energy for electrical performance improvement

CURRENT APPLIED PHYSICS(2012)
^علی اصغر اروجی

Design considerations of underlapped source/drain regions with the Gaussian doping profile in nano-double-gate MOSFETs: A quantum simulation

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2012)
مرتضی چرمی, ^علی اصغر اروجی, حمیدرضا. مشایخی

High-Voltage and RF Performance of SOI MESFET Using Controlled Electric Field Distribution

IEEE Transactions on Electron Devices(2012)
^علی اصغر اروجی

Design considerations of source and drain regions in nano double gate MOSFETs

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2012)
^علی اصغر اروجی, حمیدرضا مشایخی, مرتضی چرمی

Recessed p-buffer layer SiC MESFET: A novel device for improving DC and RF characteristics

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2012)
^علی اصغر اروجی, دکتر حسینی

Novel partially depleted SOI MOSFET for suppression floating-body effect: An embedded JFET structure

Superlattices and Microstructures(2012)
^علی اصغر اروجی

New trench gate power MOSFET with high breakdown voltage and reduced on-resistance using a SiGe zone in drift region

CURRENT APPLIED PHYSICS(2012)
^علی اصغر اروجی

A novel nanoscale MOSFET with modified buried layer for improving of AC performance and self-heating effect

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2012)
^علی اصغر اروجی

Gain improvement and microwave operation of 4H-SiC MESFET with a new recessed metal ring structure

MICROELECTRONICS JOURNAL(2012)
حسین الهی پناه, ^علی اصغر اروجی

A novel high-breakdown-voltage SOI MESFET by modified charge distribution

IEEE Transactions on Electron Devices(2012)
^علی اصغر اروجی

Breakdown voltage improvement of LDMOSs by charge balacing:An inserted P-layer in trench oxide (IPT-LDMOS)

Superlattices and Microstructures(2012)
^علی اصغر اروجی

Employing reduced surface field technique by a P-type region in 4H-SiC metal semiconductor field effect transistors for increasing breakdown voltage

INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES AND FIELDS(2012)
^علی اصغر اروجی

The Best Control of Parasitic BJT Effect in SOI-LDMOS With SiGe Window Under Channel

IEEE Transactions on Electron Devices(2012)
^علی اصغر اروجی

ِA novel double-recessed 4H-SiC MESFET with partly undoped space region

Superlattices and Microstructures(2011)
^علی اصغر اروجی

A New Rounded Edge Fin Field Effect Transistor for Improving Self-Heating Effects

Japanese journal of applied physics(2011)
^علی اصغر اروجی

A novel 4H-SiC MESFET with modified channel depletion region for high power and high frequency applications

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2011)
^علی اصغر اروجی

A new nanoscale and high temperature field effect transistor: Bi level FinFET

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2011)
^علی اصغر اروجی

A novel 4H-SiC SOI-MESFET with a modified breakdown voltage mechanism for improving the electrical performance

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY(2011)
^علی اصغر اروجی, ^عباس دیدبان

Nanoscale SiGe-on-insulator (SGOI) MOSFET with graded doping channel for improving leakage current and hot-carrier degradation

Superlattices and Microstructures(2011)
^علی اصغر اروجی

Investication of the novel attributes in double recessed gate SiC MESFETs at drain side

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY(2011)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی

A novel partial SOI LDMOSFET with a trench and buried P layer for breakdown voltage improvement

Superlattices and Microstructures(2011)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی

Dual material insulator SOI-LDMOSFET: A novel device for self-heating effect improvement

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2011)
^علی اصغر اروجی

LDC-CNTFET: A carbon nanotube field effect transistor with linear doping profile channel

Superlattices and Microstructures(2011)
^پرویز کشاورزی, ^علی اصغر اروجی

DC and RF Characteristics of SiC MESFETs with Different Channel Doping Concentrations under the gate

International review of Physics(2011)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی

طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFETچند لایه ای برای بهبود اثرات خود گرمایی

مدل سازی در مهندسی(2010)
^علی اصغر اروجی

Novel attributes and design considerations of source and drain regions in carbon nanotube transistor

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2009)
^علی اصغر اروجی, 8611119001

A novel step-doping fully-depleted silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor for reliable deep sub-micron devices

Japanese journal of applied physics(2009)
^علی اصغر اروجی

Double step buried oxide (DSBO) SOI_MOSFET : A proposed structure for improving self-heating effects

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2009)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

A new partial-SOI LDMOSFET with modified electric field for breakdown voltage improvement

IEEE transactions on device and materials reliability(2009)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

Novel attributes in the performance and scaling effects of carbon nanotube field-effect transistor with halo doping

Superlattices and Microstructures(2009)
^علی اصغر اروجی

Quantom simulation study of a new carbon nanotube field-effect transistor with electrically induced source/drain extension

IEEE transactions on device and materials reliability(2009)
^علی اصغر اروجی

Performance and design considerations of a novel dual-material gate carbon nanotube field-effect transistor: nonequilibrium green s function approach

Japanese journal of applied physics(2009)
^علی اصغر اروجی

Detailed simulation study of a dual material gate carbon nanotube field-effect transistor

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2009)
^علی اصغر اروجی

Impact of single halo implantation on the carbon nanotube field-effect transistor: A quantum simulation study

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2008)
^علی اصغر اروجی

آنالیز مقایسه ای روش های بهبود اثرات کوچک سازی کانال در ترانزیستورهای SOI-MOSFET و ارائه یک تکنیک جدید

نشریه بین المللی علوم مهندسی دانشگاه علم و صنعت ایران(2008)
^علی اصغر اروجی

Investigation of the Novel Attributes of a Carbon Nanotube FET with high-k Gate Dielectrics

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2008)
^علی اصغر اروجی

A New Gate Induced Barrier Thin-Film Transistor (GIB-TFT) for Active Matrix Liquid Crystal Displays: Design and Performance Considerations

JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY(2006)
, ^علی اصغر اروجی

آنالیز و شبیه سازی مشخصات دیودهای کربید سیلسیم

(2006)
^علی اصغر اروجی

طراحی وساخت یک مقاومت قابل کنترل با ولتاژبا رنج دینامیکی وسیع و اعوجاج کم

(2006)
, ^علی اصغر اروجی

Investigation of a New Modified Source/Drain for Diminished Self-Heating Effects in Nanoscale MOSFETs Using computer Simulation

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2006)
, ^علی اصغر اروجی

Leakage Current Reduction Techniques in Poly-Si TFTs for Active Matrix Liquid Crystal Displays: A Comprehensive Study

IEEE transactions on device and materials reliability(2006)
^علی اصغر اروجی,

Nanoscale SOI MOSFETs with Electrically induced Source/Drain Extension: Novel Attributes and Design Considerations for Suppressed Short-Channel Effects

Superlattices and Microstructures(2006)
^علی اصغر اروجی,

New dual–Material SG Nanoscale MOSFET: Analytical Threshold–Voltage Model

IEEE Transactions on Electron Devices(2006)
, ^علی اصغر اروجی,

A New Symmetrical Double Gate Nanoscale MOSFET with Asymmetrical Side Gates for Electrically Induced Source/Drain

MICROELECTRONIC ENGINEERING(2006)
^علی اصغر اروجی,

The Simulation of a New Asymmetrical Double-Gate Poly-Si TFT with Modified Channel Conduction Mechanism for Highly Reduced Off-State Leakage Current

IEEE transactions on device and materials reliability(2005)
^علی اصغر اروجی,

Shielded Channel Double-Gate MOSFET: A Novel Device for Reliable Nanoscale CMOS Applications

IEEE transactions on device and materials reliability(2005)
^علی اصغر اروجی,

Two-Dimensional Analytical Threshold Voltage Model of Nanaoscale Fully Depleted SOI MOSFET with Electrically Induced S/D Extensions

IEEE Transactions on Electron Devices(2005)
, ^علی اصغر اروجی

مقابله با نویز حلقه زمین به کمک چک حالت مشترک

(1999)
^علی اصغر اروجی

Leakage current reduction in nanoscale fully-depleted SOI MOSFETs with modified current mechanism

CURRENT APPLIED PHYSICS(0)
^علی اصغر اروجی

Numerical Modeling of Nanoscale SOI-MESFET for the VLSI Applications

اولین کنفرانس بین المللی دستاوردهای نوین پژوهشی در مهندسی برق و کامپیوتر(2016-05-13)
Hadi Shahnazari, ^علی اصغر اروجی

مشخصه یابی و بررسی اثر افزودن نقره بر حسگرهای گازی اکسید قلع

اولین کنفرانس بین المللی دستاوردهای نوین پژوهشی در مهندسی برق و کامپیوتر(2016-05-13)
9312119004, سعیده رهبر پور, حسن غفور فرد, ^علی اصغر اروجی

افزایش ولتاژ شکست و کاهش مقاومت حالت روشن ترانزیستور SOI-LDMOS با استفاده از یک لایه فلز در لایه ی اکسید مدفون

اولین کنفرانس بین المللی دستاوردهای نوین پژوهشی در مهندسی برق و کامپیوتر(2016-05-13)
9112119003, ^علی اصغر اروجی

ترانزیستور سیلیسیم روی عایق دو گیتی پله ای (SDG SOI): ساختاری نوین برای کاهش آثار کانال کوتاه

بیست و سومین کنفرانس مهندسی برق ایران(2015-05-10)
^علی اصغر اروجی

بررسی ساز و کار شکست در گوشه های نوک تیز اتصالات P-N در ماسفت های کربید سیلیسیم و ارائه یک ساختار جدید برای افزایش ولتاژ شکست

کنفرانس فیزیک ایران 1393(2014-09-08)
^علی اصغر اروجی

بهبود ولتاژ شکست افزاره های با قابلیت تحرک الکترونی بالا مبتنی بر گالیوم نیترید با بهینه سازی غلظت آلایش لایه p ایجاد شده در لایه حایل

کنفرانس فیزیک ایران 1393(2014-09-08)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

طراحی یک ساختار جدید UMOSFET برای افزایش ولتاژشکست و کاهش مقاومت ویژه

کنفرانس فیزیک ایران 1393(2014-09-08)
^علی اصغر اروجی

A novel reflectarray backed on FSS based on the folded SIR configuration for low RCS

8th European Conference on Antennas and Propagation(2014-04-06)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی

Microstip Antenna with a Reconfigurable Dumbbell-Shaped Defected Ground Plane for DCS-1800 and PCS-1900

IEEE International Symposium on Antennas and Propagation 2013(2013-07-07)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی

آنالیز و مقایسه تاثیر گیت پنج ماده ای بر اثرات نامطلوب کانال کوتاه در نانو ترانزیستورهای MOSFET-SOI

دومین همایش آموزشی فناوری نانو(2013-03-13)
^علی اصغر اروجی

Investigation of multiple material gate impact on short channel effects and reliability of nanoscale SOI mosfets

WASET International Congress(2013-02-14)
^علی اصغر اروجی

Designing an optimized controller in industrial system using some integer linear programming problems

نهمین کنفرانس بین المللی مهندسی صنایع(2013-01-20)
^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی

A Simple Petri Net controller in Discrete Event Systems

14th INFAC Symposium on Information Control Problems in Manufacturing(2012-05-23)
^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی, حسن اعلا

A Novel SiGe-on-Insulator (SGOI) MOSFET with Three Step Doping Channel for Reliability Improvement

International Conference on Enabling Science and Nanotechnology(ESciNano2012)(2012-01-05)
^علی اصغر اروجی

Nanoscale SGOI MOSFET with Vertical Step Doping: A Novel Structure for Improving of Leakage Current

International Conference on Enabling Science and Nanotechnology(ESciNano2012)(2012-01-05)
^علی اصغر اروجی

An Improved SOI MESFET with Triple-Recessed Drift Region for Electrical Performance Improvement

16th International Workshop on Physics of Semiconductor Devices(2011-12-19)
^علی اصغر اروجی

High Breakdown SOI MESFET with Horizontal T Shaped Gate

International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی

Double Step Insulator Fin Field Effect Transistor

International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی

A Novel Structure for Leakage Current Improvement: A Triple Gate Poly Silicon Thin Film Transistor with Non Uniform Doping Channel

International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی

Nanoscale SiGe-on-Insulator (SGOI) MOSFET with Step High Doping Concentration for Leakage Current Reduction

International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی

Improved Breakdown Voltage of SOI MESFET with 4H-SiC Layer

International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی

A Novel SiGe-on-Insulator (SGOI) MOSFET for leakage Current Reduction: Garaded Single Halo Doping

International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی

Novel partially depleted SOI MOSFETs for reducing the floating-body effect

International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی

Improved Characteristics SOI MOSFETs with two new structures: Raised Buried Oxide and Recessed Buried Oxide

International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی

رهیافتی جدید در شبیه سازی عددی تورهای براگ فیبر نوری یکنواخت و مورب

پنجمین همایش ملی فیزیک دانشگاه پیام نور(2011-10-07)
^علی اصغر اروجی

ارائه یک ساختار جدید از ترانزیستور FinFET به منظور کاربرد در دماهای بالا

کنفرانس فیزیک ایران 1390(2011-09-05)
^علی اصغر اروجی

A novel power high electron mobility transistor with partial stepped recess in the drain access region for performance improvement

International Conference on Signal Processing, Communication, Computing & Networking Technologies, ICSCCN 2011, India(2011-07-21)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

A novel A1GaN/GaN/A1GaN double-Heterojunction high electron mobility transistor for performance improvement

International Conference on Signal Processing, Communication, Computing & Networking Technologies, ICSCCN 2011, India(2011-07-21)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

A novel double field-plate power high electron mobility transistor based on AlGaN/GaN for performance improvement

International Conference on Signal Processing, Communication, Computing & Networking Technologies, ICSCCN 2011, India(2011-07-21)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

A novel step burried oxide partial SOI LDMOSFET with triple drift layer

International Conference on Signal Processing, Communication, Computing & Networking Technologies, ICSCCN 2011, India(2011-07-21)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی, مریم ایرانیان پور حقیقی

DC and RF characteristics of SiC MESFETs with different channel doping concentrations under the gate

International Conference on Electronics, Computers and Artificial Intelligence, ECAI-2011, Romania(2011-06-30)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی

A novel SiC MESFET with recessed P-Buffer layer

International Conference on Electronics, Computers and Artificial Intelligence, ECAI-2011, Romania(2011-06-30)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی

A New Method for Improving Breakdown Voltage in PSOI MOSFETs Using Variable Drift Region Doping Concentration

IEEE International Conference on Computer Science and Automation Engineering (CSAE 2011)(2011-06-10)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی

4H-SiC SOI-MESFET with a Step in Buried Oxide for Improving Electrical Performance

IEEE International Conference on Computer Science and Automation Engineering (CSAE 2011)(2011-06-10)
^علی اصغر اروجی

Farsi/Arabic Text Extraction From Video Images

نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2011-05-17)
^سعید مظفری, ^علی اصغر اروجی

Investigation of double recessed gate SiC MESFETs with different recessed lengths

نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2011-05-17)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی

A novel GaAs MESFET with multi-recessed drift region and partly p-type doped space layer

2011 International Conference on Electronic Devices, Systems & Application (ICEDSA)(2011-04-25)
^علی اصغر اروجی

A novel N-MOSFET with air gaps in gate insulator for deep submicron applications

2011 International Conference on Electronic Devices, Systems & Application (ICEDSA)(2011-04-25)
^علی اصغر اروجی

Farsi/Arabic Text Extraction from Video Images by Corner Detection

ششمین کنفرانس ماشین بینایی و پردازش تصویر ایران(2010-10-27)
^سعید مظفری, ^علی اصغر اروجی

Investigation of channel impurity impacts on carbon nanotube field effect transistors by self-consistent solution between poisson and schrodinger equa

12th WSEAS International conference on mathematical methods computational techniques in electrical engineering(2010-10-21)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی

Comparative study of buried insulator materials in LDMOSFETs

IEEE R8 International conference on computational technologies in electrical and electronics engineering(2010-07-11)
^علی اصغر اروجی, ^عباس دیدبان

A Novel SiC MESFET with Double Recessed Gate in Drain Side

International Symposium on Signals, Systems and Electronics(2010-06-27)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی

آنالیزو شبیه سازی ترازیستورهای MOSFET در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق

هفتمین همایش دانشجویی فناوری نانو(2010-05-26)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

ارائه و شبیه سازی روشهایی جدید برای کاهش اثرات کانال کوچک در ترانزیستورهای اثر میدانی نانو تیوب کربن

هفتمین همایش دانشجویی فناوری نانو(2010-05-26)
^علی اصغر اروجی

یافته های نوین در رفتار ترانزیستورهای اثر میدان یونیزاسیون برخوردی

هجدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2010-05-11)
^علی اصغر اروجی

ترانزیستور FinFET با لبه های مدور:ارائه یک ساختار جدید به منظور بهبود اثر خود گرمایی

هجدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2010-05-11)
^علی اصغر اروجی

Three Independent Gate Fin Field Effect Transistor

International Conference on Nano Science & Technology(2010-02-17)
^علی اصغر اروجی

A novel SOI MOSFET with buried alumina gate oxide

IEEE-RSM 2009(2009-08-10)
^علی اصغر اروجی

بررسی اثر گام خاموشی سیگنال های پروب و کنترل در گیت های نوری بر پایه آینه حلقوی غیر خطی

نخستین همایش ملی مهندسی اپتیک و لیزر ایران(2009-05-20)
^علی اصغر اروجی

Novel attributes on the performance of ultra scaled asymmetrical double gate SOI MOSFET: non-equilibrium green s function approach

هفدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2009-05-12)
^علی اصغر اروجی

آنالیز و طراحی یک ساختار جدید برای ترانزیستورهای UTB-SOI-MOSFET جهت بهبود اثرات خودگرمایی

هفدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2009-05-12)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

Nanoscale SOI MOSFETs with double step buried oxide:A novel structure for suppressed self-heating effects

2008 International conference on microelectronics(2008-12-14)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

A novel partial SOI power device with step in buried oxide for improvement of breakdown voltage

2008 IEEE International conference on semiconductor electronics(ICSE2008)(2008-11-25)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

Investigation of electrical characteristics of submicron silicon carbide MOSFETs

2nd International congress on nanoscience & Nanotechnology(2008-10-28)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

Dual material gate oxide stack symmetric double gate MOSFET: Improving short channel effects of nanoscale double gate Mosfet

2008 internnational biennial electronics conference(2008-10-06)
^علی اصغر اروجی

Nanoscale triple material double gate(TM-DG) MOSFET for improving short channel effects

International conference on advances in electronics and micro-electronics(2008-09-29)
^علی اصغر اروجی

Improving short channel effects of sub-100nm double gate MOSFET having high-K material in oxide stack

The 14th International Symposium on the physics of semiconductor and applications(2008-08-26)
^علی اصغر اروجی

A Novel thin–film Power MOSFETs with an Asymmetrical Buried Oxide Double Step Structure

6th ICEENG(2008-05-27)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

6H-SiC lateral Power MOSFETs with an Asymmetrical Buried Oxide Double Step Structure

ICMMT 2008(2008-04-21)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

آنالیز مقایسه ای مشخصات سیگنال کوچک نانو ترانزیستورهای اثر میدان فلز – اکسید – نیمه هادی کربید سیلیسیم ( SIC-MOSFET )

کنفرانس ملی مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد(2008-03-05)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

اثر پاشندگی در قطبشی بر شکل پالس و عملکرد سیستم های مخابرات فیبرنوری

کنفرانس ملی مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد(2008-03-05)
^علی اصغر اروجی

Charge Controlling in Nanoscale Shielded Channel DG-MOSFET: A Quantum Simulation

14th International workshop on the physics of semiconductor devices(2007-12-16)
^علی اصغر اروجی, رحیم فائز

Two-Dimensional Quantum Simulation of Scaling Effects in Ultrathin Body MOSFET Structure: NEGF Approach

14th International workshop on the physics of semiconductor devices(2007-12-16)
^علی اصغر اروجی, رحیم فائز

The Impact of High-K Gate Dielectrics on Carbon Nanotube Transistors

14th International workshop on the physics of semiconductor devices(2007-12-16)
^علی اصغر اروجی

Full Quantum Mechanical Simulation of a Novel Nanoscale DG-MOSFET: 2D NEGF Approach

IEEE AFRICON 2007(2007-09-26)
^علی اصغر اروجی, رحیم فائز

آنالیز و شبیه سازی انتقال کوانتومی در ترانزیستور اثر میدانی نانوتیوب کربن

دهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران(2007-09-04)
^علی اصغر اروجی

آنالیز و شبیه سازی کاهش سد پتانسیل ناشی از افزایش ولتاژ درین در ترانزیستورهای اثر میدان فلز – نیمه هادی کربید سیلیسیم

دهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران(2007-09-04)
^علی اصغر اروجی

Analytical Modeling of Nanoscale Dual Material Surrounding–Gate Fully Depleted SOI MOSFET

International Conference on MEMS and Semiconductor Nanotechnology(2005-12-01)
^علی اصغر اروجی,

Performance Considerations of a Novel MOSFET Architecture: Symmetrical Double Gate with Electrically Induced Source/Drain

Thirteenth International workshop on the physics of semiconductor devices(2005-12-01)
^علی اصغر اروجی,

Two-Dimensional Analytical Modelling of Nanoscale Electrically-Shallow Junction (EJ) Fully Depleted SOI MOSFET

ICM 2004 (IEEE)(2004-10-01)
, ^علی اصغر اروجی

بهبود ترانزيستورهاي با تحرك بالاي الكترون

رجبي صبا ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود مشخصات ترانزيستورهاي قدرت اثر ميدان در تكنولوژي سلينيم بر روي عايق

اميني مقدم حميد ، مقطع : كارشناسي ارشد

آناليز و شبيه سازي اثرات كانال

رضوي سيدمحمد(تاریخ دفاع: 1390/06/21) ، مقطع : كارشناسي ارشد

ترانزيستورهاي اثر ميدان سيلسيم

مهراد مهسا ، مقطع : كارشناسي ارشد

مشخصات ترانزيستورهاي لايه نازك

كلاته اسيه ، مقطع : كارشناسي ارشد

طراحي فيلترهاي نوري

شهيدي محمدمهدي(تاریخ دفاع: 1390/06/28) ، مقطع : كارشناسي ارشد

آناليز ترانزيستورهاي كربيد سيلسيم

جمالي مهابادي سيداحسان(تاریخ دفاع: 1390/06/28) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود مشخصات فركانسي ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز نيمه هادي

عنبرحيدري اكرم(تاریخ دفاع: 1392/07/01) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود عملكرد مشخصات ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز نيمه هادي كربيد سيليسيم

قاسميان معصومه(تاریخ دفاع: 1390/12/14) ، مقطع : كارشناسي ارشد

آناليز عملكرد تقويت كننده هاي نوري در سيستم هاي مخابرات نوري

بلوري نسا(تاریخ دفاع: 1389/07/05) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي اثرات كوانتومي ترانزيستورهاي اثر ميدان

عبداله حسين(تاریخ دفاع: 1389/06/01) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود اثرات كنال كوتاه ترانزيستورهاي سيليسيم روي عايق

رحماني نژاد سوده(تاریخ دفاع: 1390/10/26) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي ترانزيستورهاي سليسيم ژرمانيم دوكاناله و اثرات تنش در بهبود مشخصات آنها

رحيميان مرتضي(تاریخ دفاع: 1390/11/10) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود مشخصات ترانزيستورهاي فيلم نازك پلي سيليكاتي

اسماعيل نژادعلي تپه ربابه(تاریخ دفاع: 1390/11/10) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود مشخصات ترانزيستورهاي اثر ميدان فاز نيمه هادي گاليم آرسنايد

امين بيدختي اميرحسين(تاریخ دفاع: 1390/06/29) ، مقطع : كارشناسي ارشد

آناليز و شبيه سازي نانو ترانزيستورهاي سيليسيم بر روي عايق براي بهبود اثرات كانال كوتاه

تفكري دلبري پانيذ(تاریخ دفاع: 1392/04/10) ، مقطع : كارشناسي ارشد

پايان نامه

عباسي عبداله(تاریخ دفاع: 1394/06/17) ، مقطع : دكتري

پايان نامه

زارعي ميثم(تاریخ دفاع: 1392/11/19) ، مقطع : دكتري

آناليز و بهبود مشخصات ترانزيستورهاي اثر ميداني نفوذي افقي

مهراد مهسا(تاریخ دفاع: 1392/12/03) ، مقطع : دكتري

-

رمضاني زينب(تاریخ دفاع: 1392/06/25) ، مقطع : كارشناسي ارشد

-

اكبريان خطبه سرا اكرم(تاریخ دفاع: 1392/12/03) ، مقطع : كارشناسي ارشد

-

شيخ الاسلامي سيد مصطفي(تاریخ دفاع: 1392/07/16) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي و بهبود مشخصات نانو ترانزيستورهاي سيليسيم ژرمانيم

محتشم عليرضا(تاریخ دفاع: 1393/06/31) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهينه سازي و بهبود مشخصات ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز - نيمه هادي مسفت

اسلامي جم معين(تاریخ دفاع: 1392/12/13) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي و بهبود مشخصات ترانزيستورهاي ماسفت با گيت فراگير

نجاتي محمد(تاریخ دفاع: 1393/06/31) ، مقطع : كارشناسي ارشد

تحليل و بهبود مقاومت حالت روشن در ترانزيستورهاي اثرميدان توان

منصوري حجت اله(تاریخ دفاع: 1394/06/24) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود پاسخ فركانسي ترانزيستورهاي MESFET درتكنولوژي سيليسيم روي عايق

شاه نظري ثاني هادي(تاریخ دفاع: 1393/11/06) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود آثار كانال كوتاه در ترانزيستورهاي نانو SOI MOSFET

رحيمي فر عاطفه(تاریخ دفاع: 1393/06/24) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي و بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان كربيد سيليسيم

جوزي نجف آبادي محمد(تاریخ دفاع: 1394/06/24) ، مقطع : كارشناسي ارشد

مهندسي ناحيه رانشي براي بهبود عملكرد ترانزيستورهاي SOI LDMOS

جهان بخش محمدعلي(تاریخ دفاع: 1393/11/14) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان نفوذ افقي

حنائي مهسا(تاریخ دفاع: 1393/11/12) ، مقطع : كارشناسي ارشد

مهندسي ميدان الكتريكي در نزديكي گيت جهت بهبود عملكرد افزاره هاي با قابليت تحرك الكتروني بالا مبتني بر گاليوم نيترايد

آقارضائي سوداني حسن(تاریخ دفاع: 1393/07/01) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود عملكرد ترانزيستر هاي سيليسيم روي عايق در كاربردهاي ولتاژ پايين

انوري فرد محمدكاظم(تاریخ دفاع: 1393/11/25) ، مقطع : دكتري

بررسي ترانزيستورهاي ماسفت دوگيتي و راههاي بهبود عملكرد آن

نجفعلي زاده منفرد حامد(تاریخ دفاع: 1394/11/12) ، مقطع : كارشناسي ارشد

تحليل طراحي و ساخت آنتن مسطح با قابليت تاثير پذيري توام فركانس، پرتو تشعشعي و پلاريزاسيون

فخاريان محمدمهدي(تاریخ دفاع: 1395/04/22) ، مقطع : دكتري

تحليل و طراحي سيستم پهن باند مجتمع با تاكيد بر مولد پالس و آنتن فعال تغيير پذير

ولي زاده شهميرزادي آرش(تاریخ دفاع: 1395/04/22) ، مقطع : دكتري

بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان چند گيتي نانو مقياس

كريمي فاطمه(تاریخ دفاع: 1396/06/30) ، مقطع : دكتري

سنتز چند هدفه مدارهاي برگشت پذير

سرو قد مقدم معين(تاریخ دفاع: 1395/06/15) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود ولتاژ شكست ترانزيستورهاي با قابليت تحرك الكتروني بالا بر پايه گاليوم نيتريد

غفاري مجيد(تاریخ دفاع: 1395/07/12) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي قدرت اثر ميدان افقي درتكنولوژي سيليسيم روي عايق

دهقان طزره مصطفي(تاریخ دفاع: 1395/07/11) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي و بهبود مقاومت حالت روشن و ولتاژ شكست ترانزيستورهاي اثر ميدان نفوذي

پاك امين(تاریخ دفاع: 1396/09/21) ، مقطع : دكتري

اناليز تحليلي و بهبود اثار كانال كوتاه ترانزيستورهاي نانو مقياس اثر ميدان در فناوري سيليسيوم روي عايق

رمضاني زينب(تاریخ دفاع: 1396/09/21) ، مقطع : دكتري

بررسي و بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستور فلز نيمه هادي اثر ميدان

روستائي زهره(تاریخ دفاع: 1395/07/04) ، مقطع : كارشناسي ارشد

ساخت و مشخصه يابي حسگرهاي اكسيد قلع آلايش شده با نقره

حيدري سكينه(تاریخ دفاع: 1395/11/03) ، مقطع : كارشناسي ارشد

تحليل و طراحي سطوح انتخابگر فركانسي جهت كاهش سطح مقطع راداري

فيروزفر امير(تاریخ دفاع: 1399/06/30) ، مقطع : دكتري

بهبود ولتاژ شكست ترانزيستورهاي با قابليت تحرك الكتروني بالا مبتني بر گاليوم نيترايد

سجادي جاغرق صدف سادات(تاریخ دفاع: 1396/08/23) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي ماسفت با استفاده از تكنولوژي سيليسيم ژرمانيم

شكوهي شورمستي علي(تاریخ دفاع: 1396/11/02) ، مقطع : كارشناسي ارشد

كاهش اثرات كانال كوتاه در ماسفت‌هاي SOI

رفيع رسول(تاریخ دفاع: 1396/12/20) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي و بهبود اثرات كانال كوتاه در ماسفت‌هاي چندگيتي

افضلي سيد سعيد(تاریخ دفاع: 1396/11/02) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي قدرتUMOSFET

عباسي الهام(تاریخ دفاع: 1397/06/12) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود ولتاژ شكست افزاره‌هاي توان LDMOS درتكنولوژي SOI

جان ميرزا فرهاد(تاریخ دفاع: 1398/10/01) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي مشخصات استاتيك ترانزيستورهاي اثرميدان نفوذ افقي(LDMOS)

عزالدين مهرناز(تاریخ دفاع: 1396/06/27) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بازشناسي افراد با استفاده از تصاوير رنگ ، عمق و اسكلت

ايماني زينب(تاریخ دفاع: 1398/07/15) ، مقطع : دكتري

كاهش تداخل بين حاملي در ارتباطات سلولي نسل پنجم بر پايه تبديلات جديد

موسوي محمدرضا(تاریخ دفاع: 1399/03/12) ، مقطع : دكتري

بررسي و بهبود مشخصه‌هاي ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز ـ نيمه‌هادي

محترم محدثه(تاریخ دفاع: 1396/12/01) ، مقطع : كارشناسي ارشد

طراحي ساختارهاي جديد براي سلولهاي خورشيدي لايه نازك CIGS

غريب شاهيان ايمان(تاریخ دفاع: 1397/06/19) ، مقطع : كارشناسي ارشد

طراحي ساختارهاي جديد براي سلولهاي خورشيدي لايه نازك CIGS

غريب شاهيان ايمان(تاریخ دفاع: 1397/06/19) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي و بهبود مقاومت حالت روشن در ترانزيستورهاي اثر ميدان توان

پرتو مجيد(تاریخ دفاع: 1397/06/26) ، مقطع : كارشناسي ارشد

تحليل و بهخبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي با تحرك الكتروني بالا مبتني بر ALGaN/GaN

اميري ميلاد ، مقطع : دكتري

طراحي فرا سطح هاي الكترومغناطيس براي مهندسي پراكندگي امواج با روش مدار معادل الكتريكي

قايخلو عليرضا(تاریخ دفاع: 1399/02/24) ، مقطع : دكتري

بررسي و كاهش اثرات كانال كوتاه در ترانزيستورهاي اثر ميدان با فن‌آوري سيليسيم روي عايق

قاسمي مسلم(تاریخ دفاع: 1399/06/24) ، مقطع : كارشناسي ارشد

مسيريابي انرژي ـ كارآمد براي شبكه هاي ابري مبتني بر SDN

ترك زاده سمانه(تاریخ دفاع: 1400/03/25) ، مقطع : دكتري

طراحي، شبيه سازي و بهبود مشخصات حسگرهاي ضريب شكست بر پايه‌ي موجبرهاي فلزـ عايق ـ فلز

هداوند احسان(تاریخ دفاع: 1399/11/25) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي و بهبود جريان در تزانزيستورهاي تونلي بدون اتصال

صفري عارف(تاریخ دفاع: 1398/11/08) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي و بهبود مشخصه هاي الكتريكي ترانزيستورهاي قدرت اثر ميدان نفوذ افقي (LDMOS)

گاوشاني امير(تاریخ دفاع: 1399/12/06) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي و بهبود مشخصه هاي الكتريكي ترانزيستورهاي سيليسيم روي عايق (SOI)

مددي استانجين داريوش(تاریخ دفاع: 1399/11/29) ، مقطع : كارشناسي ارشد

آناليز و بهبود مشخصه ترانزيستور اثرميدان تونلي TFET مبتني بر تونل زني افقي

فرامرزي زهرا ، مقطع : دكتري

طراحي گيت هاي منطقي تمام نوري مبتني بر ساختارهاي هيبريدي

مرادي مرضيه ، مقطع : دكتري

تحليل، طراحي و مدل سازي جاذب هاي نوري مبتني بر گرافن در باند تراهرتز

آقايي تكتم(تاریخ دفاع: 1400/04/01) ، مقطع : دكتري

بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز -‌ نيمه هادي

رييسي سيروس ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز -‌ نيمه هادي

رييسي سيروس ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي و بهبود عملكرد و ويژگي هاي فركانسي ترانزيستورهاي SOI-MESFET

خورابه مهدي(تاریخ دفاع: 1400/03/25) ، مقطع : كارشناسي ارشد

طراحي و شبيه سازي فتوديود اثر ميداني با قابليت كنترل جريان نوري خروجي

شرفي فواد(تاریخ دفاع: 1399/11/20) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي اثرات ماده اكسيد گاليوم بر مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي SOI MESFET

علي نژاد علي ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي و بهبود ساختارهاي سلول هاي خورشيدي لايه نازك CIGS

احمدپناه فاطمه السادات(تاریخ دفاع: 1400/06/17) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي و بهبود مشخصات فركانسي ترانزيستورهاي اثر ميدان سيليسيم روي عايق

بزرگي سيدامير ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي قدرت اثر ميدان نفوذ افقي در تكنولوژي سيليسيم روي عايق

كرمي مرتضي(تاریخ دفاع: 1400/08/19) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي و بهبود مشخصه هاي الكتريكي ترانزيستورهاي قدرت LDMOS در تكنولوژي سيليسيم روي عايق

عباسقلي پورسويري فرشاد ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي و بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز ـ نيمه هادي در تكنولوژي سيليسيم روي عايق

سينا محدثه ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي و شبيه سازي مشخصات الكتريكي ساختار ترانزيستورهاي قدرت UMOSFET با اكسيد گاليوم

ايمني حميد ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي و بهبود ترانزيستورهاي اثر ميدان SOI بدون اتصال با مواد نيمه هادي شكاف باند بالا

معتمدي ايدا ، مقطع : كارشناسي ارشد

طراحي و مدل‌سازي سلول‌هاي خورشيدي لايه نازك Sb2Se3 به منظور افزايش بازدهي

غريب شاهيان ايمان ، مقطع : دكتري

بهبود جريان حالت خاموش و مدلسازي ترانزيستور اثر ميداني بدون پيوند دوگيتي

باوير محمد ، مقطع : دكتري

بهبود جريان حالت خاموش و مدلسازي ترانزيستور اثر ميداني بدون پيوند دوگيتي

باوير محمد ، مقطع : دكتري

بهبود مقاومت حالت روشن و مدلسازي تزانزيستورهاي قدرت MOSFET

شكوهي شورمستي علي ، مقطع : دكتري

بهبود مقاومت حالت روشن و مدلسازي تزانزيستورهاي قدرت MOSFET

شكوهي شورمستي علي ، مقطع : دكتري

بررسي و بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثرميداني در مقياس نانو

حيدري مهران ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان بدون پيوند

مقدم ابريشمي كيميا ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي و بهبود مشخصات ترانزيستورهاي اثر ميدان نفوذي افقي سيليسيم روي عايق

جعفري سيدمحمدحسين ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود نسبت جريان حالت روشن به خاموش و مدلسازي ديودهاي اثر ميداني

رضايي ارش ، مقطع : دكتري

پياده سازي يك فيلتر پايين گذر مرتبه دوم تحريك از بدنه با ولتاژ تغذيه بسيار پايين و با استفاده از تكنيك سوئيچ-آپ امپ

درويشاني حديثه ، مقطع : كارشناسي ارشد

تکنیک پالس

تکنیک پالس

ساختار ترانزیستور نانو مقیاس فلز-اکسید-نیمه هادی با یک اتصال (N+-P)

(2018-01-06)

ترانزیستور اثر میدانی نفوذی افقی با گیت ورقه ورقه شده

(2017-04-15)

ترانزیستور اثر میدان سیلیسیم بر روی عایق با استفاده یک تکه فلز زیر کانال

(2016-10-30)

آنتن ترکیبی و تغییرپذیر حلقه-شکاف با قابلیت سوئیچینگ فرکانس عملکرد، پلاریزاسیون و پرتو تشعشعی

دانشگاه سمنان(2016-11-12)

ترانزستور اثر میدانی سیلیسیم بر روی عایق با استفاده از ایجاد چاه حفره ای در زیر کانال

(2016-03-14)

ترانزیستور نانو مقیاس با دیود ایساکی دوگانه

(2015-07-15)

اتصال سری دو سلول خورشیدی مس-گالیم-سلنیم و سیلیسیم به منظور افزایش بازدهی با قابلیت کنترل جریان

(2018-05-21)

ترانزیستور نانو مقیاس اثر میدانی باله ای با کانال اصلاح شده مدور

(2016-05-17)

سلول خورشیدی لایه نازک CIGS با لایه منعکس کننده الکترون و سوق دهنده حفره

(2017-11-22)

سلول‌ خورشیدی پشت سر همAlxGa1-xAs/CIGS شامل بافت‌های ناهموار سطحی جهت به دام اندازی نور

دانشگاه سمنان(2020-05-03)

بهبود بازدهی سلول های خورشیدی لایه نازک CuIn1−xGaxSe2 با بهینه سازی لایه بافر(ناظر)

(2017-10-30)

تئوری و تکنولوژی ساخت افزاره نیم رسانا   (611 بار دانلود)

رشته : مهندسی برق , گرایش : الکترونیک

مدارهای پالس و دیجیتال   (637 بار دانلود)

رشته : مهندسی برق , گرایش : الکترونیک