علی اصغر اروجی

درباره من

دکتر علی اصغر اروجی
image

استاد گروه آموزشی الکترونیک @ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر

...

محقق گوگل

(1403/4/25)

استنادات

4725

h-index

35

i10-index

154

مؤلفین همکار

48

اسکوپوس

(1403/4/23)

استنادات

3909

مقالات

285

h-index

31

مؤلفین همکار

130

رزومه

تحصیلات، تجارب، مهارت ها و علایق من

تحصیلات

1371

کارشناسی ارشد

علم و صنعت ایران

1385

دکتری

انستیتو تکنولوژی هند-دهلی نو

1367

کارشناسی

علم و صنعت ایران

تجارب

1392-1399

مدیر گروه مهندسی الکترونیک

دانشگاه سمنان

1391-1392

مدیر گروه مهندسی الکترونیک و مهندسی پزشکی

دانشگاه سمنان

1386-1391

مدیر گروه الکترونیک و مخابرات

دانشگاه سمنان

مهارت ها

اولویت های پژوهشی

انتشارات

برخی از دستاورد های پژوهشی و فناوری

آخرین بروزرسانی: 1403/04/21
آنالیز مقایسه ای روش های بهبود اثرات کوچک سازی کانال در ترانزیستورهای SOI-MOSFET و ارائه یک تکنیک جدید
نشریه بین المللی علوم مهندسی دانشگاه علم و صنعت ایران(2008)
^علی اصغر اروجی
A new partial-SOI LDMOSFET with modified electric field for breakdown voltage improvement
IEEE transactions on device and materials reliability(2009)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
Double step buried oxide (DSBO) SOI_MOSFET : A proposed structure for improving self-heating effects
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2009)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
Quantom simulation study of a new carbon nanotube field-effect transistor with electrically induced source/drain extension
IEEE transactions on device and materials reliability(2009)
^علی اصغر اروجی
Novel attributes in the performance and scaling effects of carbon nanotube field-effect transistor with halo doping
Superlattices and Microstructures(2009)
^علی اصغر اروجی
Performance and design considerations of a novel dual-material gate carbon nanotube field-effect transistor: nonequilibrium green s function approach
Japanese journal of applied physics(2009)
^علی اصغر اروجی
Detailed simulation study of a dual material gate carbon nanotube field-effect transistor
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2009)
^علی اصغر اروجی
Dual trench AlGaN/GaN HEMT on SiC substrate: A novel device to improve the breakdown voltage and high power performance
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2016)
9311119011, ^علی اصغر اروجی*
Novel 4H-SiC MESFET with Modify the Depletion Region by Dual Well for High-Current Applications
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2016)
^علی اصغر اروجی*, 9311119009, 9311107002
A New Nanoscale Fin Field Effect Transistor with Embedded Intrinsic Region for High Temperature Applications
Superlattices and Microstructures(2016)
9211107003, ^علی اصغر اروجی*
LDC-CNTFET: A carbon nanotube field effect transistor with linear doping profile channel
Superlattices and Microstructures(2011)
^پرویز کشاورزی, ^علی اصغر اروجی
Dual material insulator SOI-LDMOSFET: A novel device for self-heating effect improvement
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2011)
^علی اصغر اروجی
Investication of the novel attributes in double recessed gate SiC MESFETs at drain side
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY(2011)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی
A novel partial SOI LDMOSFET with a trench and buried P layer for breakdown voltage improvement
Superlattices and Microstructures(2011)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی
Nanoscale SiGe-on-insulator (SGOI) MOSFET with graded doping channel for improving leakage current and hot-carrier degradation
Superlattices and Microstructures(2011)
^علی اصغر اروجی
ِA novel double-recessed 4H-SiC MESFET with partly undoped space region
Superlattices and Microstructures(2011)
^علی اصغر اروجی
A New Rounded Edge Fin Field Effect Transistor for Improving Self-Heating Effects
Japanese journal of applied physics(2011)
^علی اصغر اروجی
Amended Electric Field Distribution: A Reliable Technique for Electrical Performance Improvement in Nano scale SOI MOSFETs
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS(2017)
9311107002, ^علی اصغر اروجی*
A novel 4H-SiC MESFET with modified channel depletion region for high power and high frequency applications
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2011)
^علی اصغر اروجی
A new nanoscale and high temperature field effect transistor: Bi level FinFET
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2011)
^علی اصغر اروجی
A novel 4H-SiC SOI-MESFET with a modified breakdown voltage mechanism for improving the electrical performance
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY(2011)
^علی اصغر اروجی, ^عباس دیدبان
DC and RF Characteristics of SiC MESFETs with Different Channel Doping Concentrations under the gate
International review of Physics(2011)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی
Checkerboard Plasma Electromagnetic Surface for Wideband and Wide-Angle Bistatic Radar Cross Section Reduction
IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE(2017)
9411908002, ^مجید افصحی*, ^علی اصغر اروجی
Electro-thermal analysis of non-rectangular FinFET and modeling of fin shape effect on thermal resistance
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2017)
9211107003, ^علی اصغر اروجی*
New technique to extend the vertical depletion region at SOI-LDMOSFETs
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2017)
9112119003, ^علی اصغر اروجی*, ^عباس دیدبان
A novel recessed gate MESFET by embedded dielectric packet
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2017)
9311119009, ^علی اصغر اروجی*
The Best Control of Parasitic BJT Effect in SOI-LDMOS With SiGe Window Under Channel
IEEE Transactions on Electron Devices(2012)
^علی اصغر اروجی
A new DG nanoscale TFET based on MOSFETs by using source gate electrode: 2D simulation and an analytical potential model
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY(2017)
9311107002, ^علی اصغر اروجی*
Controlled Kink Effect in a Novel High-Voltage LDMOS Transistor by Creating Local Minimum in Energy Band Diagram
IEEE Transactions on Electron Devices(2017)
مهسا مهراد, میثم زارعی, ^علی اصغر اروجی*
Breakdown voltage improvement of LDMOSs by charge balacing:An inserted P-layer in trench oxide (IPT-LDMOS)
Superlattices and Microstructures(2012)
^علی اصغر اروجی
Stopping electric field extension in a modified nanostructure based on SOI technology - A comprehensive numerical study
Superlattices and Microstructures(2017)
محمد کاظم انوری فرد*, ^علی اصغر اروجی
Proposed suitable electron reflector layer materials for thin-film CuIn1−xGaxSe2 solar cells
OPTICAL MATERIALS(2017)
^سمانه شربتی*, 9312119005, ^علی اصغر اروجی
A novel double gate MOSFET by symmetrical insulator packets with improved short channel effects
INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2017)
9311107002, ^علی اصغر اروجی*
Triple tooth AlGaN/GaN HEMT on SiC substrate: A novel structure for high-power applications
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY(2017)
مجید غفاری, ^علی اصغر اروجی*, مجتبی ولی نتاج
Dual metal gate tunneling field effect transistors based on MOSFETs: A 2-D analytical approach
Superlattices and Microstructures(2018)
9311107002, ^علی اصغر اروجی*
A novel 4H-SiC MESFET by lateral insulator region to improve the DC and RF characteristics
INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2018)
9311119009, ^علی اصغر اروجی*
Multi-constraint QoS routing using a customized lightweight evolutionary strategy
SOFT COMPUTING(2018)
9321107001, ^هادی سلطانی زاده*, ^علی اصغر اروجی
The design and evaluation of a 100 kW grid connected solar photovoltaic power plant in Semnan city
Journal of Solar Energy Research(2017)
9511119012, ^سمانه شربتی*, ^علی اصغر اروجی
A novel high performance LDMOS transistor with high channel density
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2018)
9211107001, ^علی اصغر اروجی*
Modelling the spice parameters of SOI MOSFET using a combinational algorithm
CLUSTER COMPUTING-THE JOURNAL OF NETWORKS SOFTWARE TOOLS AND APPLICATIONS(2018)
9311119010, ^علی اصغر اروجی*, 9311107002, Mohamed Elhoseny, Ahmad Farouk, N. Arun Kumar
Analysis and modeling of unipolar junction transistor with excellent performance: a novel DG MOSFET with N+−P− junction
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2018)
9311107002, ^علی اصغر اروجی*
The effect of sharp-corner emendation of irregular FinFETs on electrothermal characteristics
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2018)
9211107003, ^علی اصغر اروجی*
Proper Electrostatic Modulation of Electric Field in a Reliable Nano-SOI With a Developed Channel
IEEE Transactions on Electron Devices(2018)
محمد کاظم انوری فرد*, ^علی اصغر اروجی
A novel nanoscale SOI MOSFET by embedding undoped region for improving self-heating effect
Superlattices and Microstructures(2018)
مجید غفاری, ^علی اصغر اروجی*
Potential efficiency improvement of Cu (In, Ga) Se2 thin-film solar cells by the window layer optimization
THIN SOLID FILMS(2018)
9511119012, ^سمانه شربتی*, ^علی اصغر اروجی
Design and analysis of an optical full-adder based on nonlinear photonic crystal ring resonators
OPTIK(2018)
9611107003, ^محمد دانائی*, ^علی اصغر اروجی
High-blocking-voltage UMOSFETs with reformed electric field distribution
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2018)
9412119011, ^علی اصغر اروجی*
A Novel SOI MESFET to Improve the Equipotential Contour Distributions by Using an Oxide Barrier
Silicon(2018)
9411119016, ^علی اصغر اروجی*, 9311107002
An Optimized Checkerboard Structure for Cross-Section Reduction: Producing a Coating Surface for Bistatic Radar Using the Equivalent Electric Circuit Model
IEEE ANTENNAS AND PROPAGATION MAGAZINE(2018)
9411908002, ^مجید افصحی*, ^علی اصغر اروجی
ترانزیستور ماسفت سه‌گیتی با استفاده از دیود تونل‌زنی سیلیسیم-ژرمانیم برای بهبود اثر بدنه شناور
مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز(2018)
9411119001, ^علی اصغر اروجی*, 9311107002
Enhancement of a Nanoscale Novel Esaki Tunneling Diode Source TFET (ETDS-TFET) for Low-Voltage Operations
Silicon(2019)
محمد کاظم انوری فرد*, ^علی اصغر اروجی
Design of all-optical XOR and XNOR logic gates based on Fano resonance in plasmonic ring resonators
OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS(2019)
9611107003, ^محمد دانائی*, ^علی اصغر اروجی
Hyperbolic FRFT-FBMC for 5G signals
IET COMMUNICATIONS(2019)
9221907002, ^علی شهزادی*, ^علی اصغر اروجی
Novel synthesis formulas to design square patch frequency selective surface absorber based on equivalent circuit model
INTERNATIONAL JOURNAL OF RF AND MICROWAVE COMPUTER-AIDED ENGINEERING(2019)
9211106001, ^مجید افصحی*, ^علی اصغر اروجی
Designing of AlxGa1-xAs/CIGS tandem solar cell by analytical model
SOLAR ENERGY(2019)
^سمانه شربتی*, 9511119012, ^علی اصغر اروجی
Impact of single halo implantation on the carbon nanotube field-effect transistor: A quantum simulation study
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2008)
^علی اصغر اروجی
Design considerations of source and drain regions in nano double gate MOSFETs
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2012)
^علی اصغر اروجی, حمیدرضا مشایخی, مرتضی چرمی
Recessed p-buffer layer SiC MESFET: A novel device for improving DC and RF characteristics
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2012)
^علی اصغر اروجی, دکتر حسینی
Novel partially depleted SOI MOSFET for suppression floating-body effect: An embedded JFET structure
Superlattices and Microstructures(2012)
^علی اصغر اروجی
A simulation study of Junctionless Double-Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Symmetrical Side Gates
Silicon(2020)
9711107001, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی
A novel nanoscale MOSFET with modified buried layer for improving of AC performance and self-heating effect
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2012)
^علی اصغر اروجی
Short-Term Person Re-Identification Using RGB, Depth and Skeleton Information of RGB-D Sensors
IRANIAN JOURNAL OF SCIENCE AND TECHNOLOGY- TRANSACTIONS OF ELECTRICAL ENGINEERING(2020)
9221907001, ^هادی سلطانی زاده*, ^علی اصغر اروجی
New trench gate power MOSFET with high breakdown voltage and reduced on-resistance using a SiGe zone in drift region
CURRENT APPLIED PHYSICS(2012)
^علی اصغر اروجی
Leakage current reduction in nanoscale fully-depleted SOI MOSFETs with modified current mechanism
CURRENT APPLIED PHYSICS(0)
^علی اصغر اروجی
A novel high-breakdown-voltage SOI MESFET by modified charge distribution
IEEE Transactions on Electron Devices(2012)
^علی اصغر اروجی
Gain improvement and microwave operation of 4H-SiC MESFET with a new recessed metal ring structure
MICROELECTRONICS JOURNAL(2012)
حسین الهی پناه, ^علی اصغر اروجی
A nano scale triple-gate transistors to suppress the aggregated body holes
Silicon(2019)
9411119001, ^علی اصغر اروجی*, 9311107002
A Nano junctionless Double-Gate MOSFET by Using the Charge Plasma Concept to Improve Short-Channel Effects and Frequency Characteristics
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS(2019)
زینب رمضانی, ^علی اصغر اروجی, سید امیر قریشی, دکتر امیری*
New symmetric and planar designs of reversible full-adders/subtractors in quantum-dot cellular automata
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL D(2019)
9311119010, ^علی اصغر اروجی*
Multifunctional Transparent Electromagnetic Surface Based on Solar Cell for Backscattering Reduction
IEEE TRANSACTIONS ON ANTENNAS AND PROPAGATION(2019)
9411908002*, دکترمحمد اکبری, ^مجید افصحی, ^علی اصغر اروجی, دکترسیبک, دکتر دنیدنی
High-Voltage and RF Performance of SOI MESFET Using Controlled Electric Field Distribution
IEEE Transactions on Electron Devices(2012)
^علی اصغر اروجی
Multidimensional Sparse representation for Multishot Person Reidentification
IEEE Sensors Letters(2019)
9221907001, ^هادی سلطانی زاده*, ^علی اصغر اروجی
Triangle and Aperiodic Metasurfaces for Bistatic Backscattering Engineering
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS(2019)
9411908002*, ^مجید افصحی, ^علی اصغر اروجی, Prof. T. A. Denidni
An AlGaN/GaN HEMT by the periodic pits in the buffer layer
PHYSICA SCRIPTA(2019)
9411119008, ^علی اصغر اروجی*
Performance Improvement of SiGe Based Silicon-On-Insulator Transistor Using Vertically Graded Channel Approach
Silicon(2019)
9411119009, ^علی اصغر اروجی*, دکتر محمد کاظم انوری فرد
Reconfigurable multi-band, graphene-based THz absorber: Circuit model approach
Results in Physics(2020)
9611107002, ^علی اصغر اروجی*
Compact Modeling of Fin-LDMOS Transistor Based on the Surface Potential
Silicon(2020)
9211107001, ^علی اصغر اروجی*
Alternative buffer layers in Sb2Se3 thin‐film solar cells to reduce open‐circuit voltage offset
SOLAR ENERGY(2020)
9811107007, ^علی اصغر اروجی*, ^سمانه شربتی
Novel, straightforward procedure to design square loop frequency selective surfaces based on equivalent circuit model
AEU-INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS(2020)
9211106001, ^مجید افصحی*, ^علی اصغر اروجی
طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFETچند لایه ای برای بهبود اثرات خود گرمایی
مدل سازی در مهندسی(2010)
^علی اصغر اروجی
Improvement of Nanoscale SOI MOSFET Heating Effects by Vertical Gaussian Drain-Source Doping Region
Silicon(2021)
9711119041, ^علی اصغر اروجی*, ^عبدالله عباسی
Investigation of Short Channel Effects in SOI MOSFET with 20 nm Channel Length by a β-Ga2O3 Layer
ECS Journal of Solid State Science and Technology(2020)
9711119041*, ^علی اصغر اروجی
Circuit modeling of ultra‐broadband terahertz absorber based on graphene array periodic disks
INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES AND FIELDS(2020)
9611107002, ^علی اصغر اروجی*
New high-voltage and high-speed β-Ga2O3 MESFET with amended electric field distribution by an insulator layer
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL PLUS(2020)
9711119041, ^علی اصغر اروجی*
A novel deep submicron SiGe-on-insulator (SGOI) MOSFET with modified channel band energy for electrical performance improvement
CURRENT APPLIED PHYSICS(2012)
^علی اصغر اروجی
Employing reduced surface field technique by a P-type region in 4H-SiC metal semiconductor field effect transistors for increasing breakdown voltage
INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES AND FIELDS(2012)
^علی اصغر اروجی
Using energy band engineering to improve heterojunction solar cellsefficiency
OPTIK(2020)
9622107001, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی
A new double-recessed 4H-SiC MESFET with superior RF characteristics
INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2013)
^علی اصغر اروجی
Impact of Split Gate in a Novel SOI MOSFET (SPG SOI) for Reduction of Short-Channel Effects: Analytical Modeling and Simulation
(2013)
^علی اصغر اروجی
SOI MOSFET with an insulator region (IR-SOI): A novel device for reliable nanoscale CMOS circuits
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS(2013)
^علی اصغر اروجی
Improvement the Breakdown Voltage and the On-resistance in the LDMOSFET: Double Buried Metal Layers Structure
Silicon(2021)
9622107001, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی
Efficiency Improvement of graphene/silicon Schottky junction solar cell using diffraction gratings
OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS(2020)
علی فتاح, 9711107001, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی
: Simplification of a Petri Net Controller in Industrial Systems by Using an Optimization Algorithm
(2013)
^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی
An AlGaN/GaN HEMT by a reversed pyramidal channel layer: Investigation and fundamental physics
INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES AND FIELDS(2020)
9411119008, ^علی اصغر اروجی*
Highly tunable multi‐band THz absorber with circuit model representation using multi‐bias scheme
INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES AND FIELDS(2020)
9611107002, ^علی اصغر اروجی*
Investigation of tied double gate 4H–SiC junctionless FET in 7 nm channel length with a symmetrical dual p+ layer
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2021)
9711119041, ^علی اصغر اروجی*
Towards high efficiency Cd-Free Sb2Se3 solar cells by the band alignment optimization
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS(2020)
9811107007, ^علی اصغر اروجی*, سمانه شربتی
A Silicon on Nothing LDMOS with Two Air Pillars in Gate Insulator for Power Applications
Silicon(2020)
9111119016, ^علی اصغر اروجی, Zeinab Ramezani, & I. S. Amiri*
Design of CuIn1−yGaySe2/Si1−xGex Tandem solar cells with controlled current matching
IET OPTOELECTRONICS(2020)
9811107007, ^سمانه شربتی*, ^علی اصغر اروجی
ICI analysis of hyperbolic FRFT-FBMC based on optimal order of transform for Internet of Things applications
IET COMMUNICATIONS(2020)
9221907002, ^علی شهزادی*, ^علی اصغر اروجی
A multi-reconfigurable CLL-loaded planar monopole antenna
RADIOENGINEERING(2020)
محمد مهدی فخاریان*, ^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
Scattering mechanisms in β-Ga2O3 junctionless SOI MOSFET: Investigation of electron mobility and short channel effects
Materials Today Communications(2021)
9711119041, ^علی اصغر اروجی*
Injected charges in partial SOI LDMOSFETs: A new technique for improving the breakdown voltage
Superlattices and Microstructures(2013)
^علی اصغر اروجی
Energy-Aware Routing Considering Load Balancing for SDN: A Minimum Graph-Based Ant Colony Optimization
CLUSTER COMPUTING-THE JOURNAL OF NETWORKS SOFTWARE TOOLS AND APPLICATIONS(2021)
9321107001, ^هادی سلطانی زاده*, ^علی اصغر اروجی
A β-Ga₂O₃ MESFET to Amend the Carrier Distribution by Using a Tunnel Diode
IEEE transactions on device and materials reliability(2021)
9711119041*, ^علی اصغر اروجی
Dual-band terahertz absorber based on graphene periodic arrays of disks and ribbons: circuit model approach
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2021)
9611107002, ^علی اصغر اروجی*
Reducing the Drain Leakage Current in a Double-Gate Junctionless MOSFET Using the Electron Screening Effect
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS(2021)
9711107001, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی
Modeling of GaAsxP1-x/CIGS tandem solar cells under stress conditions
Superlattices and Microstructures(2021)
9811107007, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی
Design considerations of underlapped source/drain regions with the Gaussian doping profile in nano-double-gate MOSFETs: A quantum simulation
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2012)
مرتضی چرمی, ^علی اصغر اروجی, حمیدرضا. مشایخی
بهبود عملکرد دیوداثرمیدانی به منظور کاربرد درتکنولوژی نانو
مهندسی برق و الکترونیک ایران(2021)
9711107003, ^علی اصغر اروجی, سمانه شربتی*
ICI and BEP analysis of hyperbolic FRFT based systems for satellite internet of things
TELECOMMUNICATION SYSTEMS(2021)
9221907002, ^علی شهزادی*, ^علی اصغر اروجی
Effect of the junction barrier on current–voltage distortions in the Sb2Se3/Zn(O,S) solar cells
OPTICAL MATERIALS(2021)
9811107007, ^علی اصغر اروجی*, سمانه شربتی
Analytical Model for Two‑Dimensional Electron Gas Charge Density in Recessed‑Gate GaN High‑Electron‑Mobility Transistors
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS(2021)
سمانه شربتی*, 9811107007, Thomas Ebel, ^علی اصغر اروجی, Wulf‑Toke Franke
Tensor-based Sparse Canonical Correlation Analysis via Low Rank Matrix Approximation for RGB-D Long-term Person Re-identification
MULTIMEDIA TOOLS AND APPLICATIONS(2020)
9221907001, ^هادی سلطانی زاده*, ^علی اصغر اروجی
Anode resistance reduction of dye-sensitized solar cells using graphene for efficiency improvement
OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS(2021)
علی فتاح, ^عبدالله عباسی*, 9711107001, ^علی اصغر اروجی
β-Ga2O3 double gate junctionless FET with an efficient volume depletion region
PHYSICS LETTERS A(2021)
9711119041*, ^علی اصغر اروجی
A novel deep gate power MOSFET in partial SOI technology for achieving high breakdown voltage and low lattice temperature
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2021)
9611119022, ^علی اصغر اروجی*
Investigation of 4H-SiC gate-all-around cylindrical nanowire junctionless MOSFET including negative capacitance and quantum confinements
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL PLUS(2021)
9711119041, ^علی اصغر اروجی*
Improving the efficiency of CIGS solar cells using an optimized p-type CZTSSe electron reflector layer
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS(2021)
9812119001, ^علی اصغر اروجی*, 9811107007
The Novel Structure to Enhancement Ion/Ioff Ratio Based on Field Effect Diode
IEEE transactions on device and materials reliability(2021)
9711119022*, ^علی اصغر اروجی, دکتر محمد سروش
Suitable Top Cell Partners for Copper Indium Gallium Selenide-Based Tandem Solar Cells to Achieve >30% Efficiency
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE(2021)
9811107007, ^علی اصغر اروجی*, دکتر سمانه شربتی
Manipulating pattern periods via external bias for graphene-based THz Dual-Band absorber
MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS(2021)
9611107002, ^علی اصغر اروجی*
Efficient Sb2(S,Se)3/Zn(O,S) solar cells with high open-circuit voltage by controlling sulfur content in the absorber-buffer layers
SOLAR ENERGY(2021)
9811107007, ^علی اصغر اروجی*, دکتر سمانه شربتی
Energy Band Adjustment in a Reliable Novel Charge Plasma SiGe Source TFET to Intensify the BTBT Rate
IEEE Transactions on Electron Devices(2021)
دکتر محمد کاظم انوری فرد*, ^علی اصغر اروجی
Ultra-fast Two-bit All-Optical Analog to Digital Convertor Based on Surface Plasmons and Kerr-Type Nonlinear Cavity
PLASMONICS(2021)
9811107002*, ^محمد دانائی, ^علی اصغر اروجی
A Novel SOI MESFET by Implanted N Layer (INL-SOI) for High Performance Applications
Journal of Modeling & Simulation in Electrical & Electronics Engineering (MSEEE)(2021)
9111119010, ^علی اصغر اروجی*
Switching Performance Enhancement in Nanotube Double-Gate Tunneling Field-Effect Transistor With Germanium Source Regions
IEEE Transactions on Electron Devices(2022)
9611119005, ^سعید محمدی*, ^علی اصغر اروجی
A Novel Deep Gate LDMOS Structure Using Double P-Trench to Improve the Breakdown Voltage and the On-State Resistance
Silicon(2022)
9611119022, ^علی اصغر اروجی*, ^عبدالله عباسی
Improving Short Channel Effects by Reformed U-Channel UTBB FD SOI MOSFET: A Feasible Scaled Device
Silicon(2022)
9611119018, ^علی اصغر اروجی*
Enhanced performance of Graphene/AlGaAs/GaAs heterostructure Schottky solar cell using AlGaAs drainage
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS(2022)
9911107003, ^علی اصغر اروجی*, ^عبدالله عباسی
An embedded β-Ga2O3 layer in a SOI-LDMOS to improve breakdown voltage
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2022)
9712119010, ^علی اصغر اروجی*, 9711119041
Physical analysis of β-Ga2O3 gate-all-around nanowire junctionless transistors: short-channel effects and temperature dependence
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2022)
9711119042, ^علی اصغر اروجی*, 9711119041
All-optical NOR and NOT logic gates based on ring resonator-based plasmonic nanostructures
OPTIK(2022)
9611107003, ^محمد دانائی*, ^علی اصغر اروجی
Design considerations of a novel Triple Oxide Trench Deep Gate LDMOS to improve self‐heating effect and breakdown voltage
IET CIRCUITS DEVICES & SYSTEMS(2022)
9611119022, ^علی اصغر اروجی*
Improvement of a Novel SOI- MESFET with an Embedded GaN Layer for High-Frequency Operations
Silicon(2022)
9711119009, ^علی اصغر اروجی*, 9711119041
A novel Field Effect Photodiode to control the output photocurrent and fast optical switching
OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS(2022)
9711119022*, ^علی اصغر اروجی, دکتر محمد سروش
Dual P+-Wire Double-Gate Junctionless MOSFET with 10-nm Regime for Low Power Applications
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS(2022)
9711107001, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی
Performance enhancement of Asymmetrical Double Gate Junctionless CMOS inverter with 3nm critical feature size using Charge Sheet
IEEE Journal of the Electron Devices Society(2022)
9711107001, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی
Physical Analysis on the DC and RF Operations of a Novel SOI-MESFET with Protruded Gate and Dual Wells
Silicon(2022)
9411119016, ^علی اصغر اروجی, Zeinab Ramezani*, دانیال کیقبادی
Performance Improvement of Nanoscale Field Effect Diode (FED) with Modified Charge Channel: 2D Simulation and an Analytical Surface Potential Model
Silicon(2022)
9711107003, ^علی اصغر اروجی*
Stacked Single-Gate Silicon on Insulator 4H-SiC Junctionless Field-Effect Transistor with a Buried P-Type 4H-SiC Layer
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE(2022)
9711119041*, ^علی اصغر اروجی
A New Technique to Improve Breakdown Voltage of SOI LDMOSs: Multiple Diode Wells
Silicon(2022)
9611119022, 9212119002, ^علی اصغر اروجی*
A Novel Nanoscale SOI MOSFET by Using a P-N Junction and an Electrically Hole Free Region to Improve the Electrical Characteristics
Silicon(2022)
9811119004, ^علی اصغر اروجی*, ^عبدالله عباسی
Effectiveness of band discontinuities between CIGS absorber and copper-based hole transport layer in limiting recombination at the back contact
Materials Today Communications(2022)
9811107007, ^علی اصغر اروجی*, سمانه شربتی
A New Technique for Improving Kink Effect in High-Voltage LDMOS Transistors: M-shape Drift Region
Silicon(2022)
9712119010, ^علی اصغر اروجی*, 9711119041
Achieving a Considerable Output Power Density in SOI MESFETs Using Silicon Dioxide Engineering
Silicon(2022)
9811119021, ^علی اصغر اروجی*, زینب رمضانی
Suppression of injected minority carriers in nanoscale field effect diodes to improve the off-current
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL PLUS(2022)
9711107003, ^علی اصغر اروجی*
An energy-efficient analog circuit for detecting QRS complexes from ECG signal
INTEGRATION-THE VLSI JOURNAL(2023)
9911107006, ^علی اصغر اروجی*, دکتر نسیم روانشاد
Realization of Double‐Gate Junctionless Field Effect Transistor Depletion Region for 6 nm Regime with an Efficient Layer
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE(2022)
40011107002, ^علی اصغر اروجی*, ^عبدالله عباسی, 9711119041
Improving Specific On-Resistance and Breakdown Voltage in SOI LDMOSs with Several N-Type Windows
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS(2023)
9611119022, ^علی اصغر اروجی*
Achieving a High Figure of Merit in LDMOSFETs with Double P-window in Silicon Dioxide
Silicon(2023)
9611119022, ^علی اصغر اروجی*
An Analytical Model for Sb2Se3 Thin-Film Solar Cells by Considering Current-Voltage Distortion
Advanced Theory and Simulations(2023)
9811107007, ^علی اصغر اروجی*, سمانه شربتی
High performance nanoscale SOI MOSFET with enhanced gate control
Micro and Nanostructures(2023)
9811119004, ^علی اصغر اروجی*
Improvement of self-heating effect in a novel nanoscale SOI MOSFET with undoped region: A comprehensive investigation on DC and AC operations
Superlattices and Microstructures(2013)
^علی اصغر اروجی
A novel high frequency SOI MESFET by modified gate capacitances
Superlattices and Microstructures(2013)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی, امیرحسین امین بیدختی
A novel high voltage lateral double diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) device with a U-shaped buried oxide feature
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2013)
^علی اصغر اروجی
A novel vertical stepped doping poly-Si TFT (VSD-TFT) for leakage current improvement
Superlattices and Microstructures(2013)
^علی اصغر اروجی
A silicon/indium arsenide source structure to suppress the parasitic bipolar-induced breakdown effect in SOI MOSFETs
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2013)
^علی اصغر اروجی
Voltage difference engineering in SOI MOSFETs: A novel side gate device with improved electrical performance
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2013)
^علی اصغر اروجی
Improvement of Electrical Properties in a Novel Partially Depleted SOI MOSFET With Emphasizing on the Hysteresis Effect
IEEE Transactions on Electron Devices(2013)
^علی اصغر اروجی
Off-State Current Improvement of Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistor by Modifying Central Potential
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE(2023)
9911119036, ^علی اصغر اروجی*
A Modulation Electric Field Technique to Improve the LD-MOSFET Performance with a P-type Ga2O3 Pocket
Silicon(2023)
9821119003, ^علی اصغر اروجی*, 9711119041
Investigation of the Electrical and Thermal Performance of SOI MOSFETs with Modified Channel Engineering
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2013)
^علی اصغر اروجی
Pyramid P+ area in SOI junction-less MOSFET for logic applications: DC investigation
Applied Nanoscience(2023)
40011107002, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی, منیره هوشمند
Complete depletion area in SOI junctionless FETs by multiple buried P-type pockets
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL PLUS(2023)
40011107002, ^علی اصغر اروجی*, ^عبدالله عباسی, 40011107005
A bidirectional quantum remote state preparation scheme and its performance analysis in noisy environments
OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS(2023)
40011107002, ^علی اصغر اروجی*, منیره هوشمند
Controlled conduction band offset in Sb2Se3 solar cell through introduction of (Zn,Sn)O buffer layer to improve photovoltaic performance: A simulation study
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS(2023)
40111107002, ^علی اصغر اروجی*, ایمان غریب شاهیان
500V breakdown voltage in β‐Ga2O3 laterally diffused metal‐oxide‐semiconductor field‐effect transistor with 108 5MW/cm2 power figure of merit
IET CIRCUITS DEVICES & SYSTEMS(2023)
9911119026, ^علی اصغر اروجی*, 9711119041
A nanoscale junctionless FET to amend the electric field distribution using a β‑Ga2 O3 packet
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS(2023)
9811119010, ^علی اصغر اروجی*, 9811119004
Band alignment engineering to improve open-circuit voltage in Cd-free Cu(In,Ga)Se2/(Zn,In)S thin-film solar cells
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL PLUS(2023)
9911119014, ^علی اصغر اروجی*
Optimizing interface energy band alignment in Cd-free Sb2Se3 solar cells by controlling the oxygen content of In2(O,S)3 buffer layer to improve the efficiency: A simulation study
OPTICS AND LASER TECHNOLOGY(2024)
9911119034, ^علی اصغر اروجی*
Performance improvement of junctionless SOI-MOSFETs by a superior depletion technique
PHYSICA SCRIPTA(2023)
9911119036, ^علی اصغر اروجی*, 9711119041
Highly compact tunable hourglass-shaped graphene band-stop filter at terahertz frequencies
Results in Optics(2023)
9911107005, ^علی اصغر اروجی, ^محمد دانائی*
4H-SiC layer with multiple trenches in lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor transistors for high temperature and high voltage applications
Journal of Vacuum Science and Technology B:Nanotechnology and Microelectronics(2023)
9611119022, ^علی اصغر اروجی*
Superior peak-to-valley current ratio in Esaki diode by utilizing a quantum well
OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS(2023)
40011107005, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی
Superior energy-delay-production in nanoscale field effect diode by embedded doped pockets for digital applications
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS(2024)
9711107003, ^علی اصغر اروجی*
Superior Impact Ionization Rate in Deep Gate LDMOS Devices to Improve the Figure of Merit and Lattice Temperature
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS(2024)
40011119005, ^علی اصغر اروجی*, ^عبدالله عباسی
A silicon-on-insulator metal–semiconductor field-effect transistor with an L-shaped buried oxide for high output-power density
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2014)
^علی اصغر اروجی
Design of all-optical AND gate based on a hybrid photonic crystal and plasmonic structure
OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS(2024)
9611107003, ^محمد دانائی*, ^علی اصغر اروجی
Safety analysis of Discrete Event Systems using a simplified Petri Net controller
ISA TRANSACTIONS(2014)
^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی
Advancing quantum broadcast performance in noisy environments: a generalized approach with 4n-qubit cluster states
QUANTUM INFORMATION PROCESSING(2024)
40011107002, ^علی اصغر اروجی*, منیره هوشمند
Achieving an efficient Sb2Se3-based solar cell by improving the performance parameters using the grey wolf optimization algorithm
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS(2024)
40112107001, ^علی اصغر اروجی*, 9811107007, ^هادی سلطانی زاده
Improvement of Cd-free CIGS solar cell efficiency using triple silicon dioxide boxes as rear-passivation
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS(2024)
40011119007, ^علی اصغر اروجی*, ^عبدالله عباسی, 9821119003
Employing Gaussian Apodization Technique in Fiber Bragg Gratings: A Simulation Study
(2014)
محمد مهدی شهیدی , ^علی اصغر اروجی, نسرین صالحی
Highly selective single-mode graphene bandpass filter based on Wilkinson power divider structure
DIAMOND AND RELATED MATERIALS(2024)
9911107005, ^علی اصغر اروجی*, ^محمد دانائی
Achieving high photovoltaic performance in graphene/AlGaAs/GaAs Schottky junction solar cells by incorporating an InAlGaP hole reflector layer
OPTICS COMMUNICATIONS(2024)
9911107003, ^علی اصغر اروجی*
A High-Performance and High-Resolution Optical Refractive Index Sensor Using a Compact Photonic Crystal Ring Resonator
Sensing and Imaging(2024)
9911107005, ^علی اصغر اروجی, ^محمد دانائی*
An efficient asymmetric bidirectional quantum teleportation protocol and the analysis of its performance over noisy environments
OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS(2024)
40011107002, ^علی اصغر اروجی*, منیره هوشمند
Superior performance in double-diffused MOSFET by multi-trench gate structure: physical investigation and design
PHYSICA SCRIPTA(2024)
9622107001, ^عبدالله عباسی, ^علی اصغر اروجی*
A novel double-recessed 4H-SiC MESFET using scattering the electric field for high power and RF applications
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2014)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی
A new design of dual-port active integrated antenna for 2.4/5.2 GHz WLAN applications
(2013)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
The impact of high-k gate dielectric and FIBL on performance of nano DG-MOSFETs with underlapped source/drain region
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2014)
مرتضی چرمی, حمید رضا مشایخی , ^علی اصغر اروجی
Solving the problem of forbidden states in Discrete Event Systems: A novel systematic method for reducing the number of control places
ASIAN JOURNAL OF CONTROL(2015)
^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی
A novel SOI MESFET by л-shaped gate for improving the driving current
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2014)
^علی اصغر اروجی
آشکارسازی و تعیین مکان متون فارسی - عربی در تصاویر ویدیویی
(2014)
^سعید مظفری, ^علی اصغر اروجی
Improving Self-Heating Effect and Maximum Power Density in SOI MESFETs by Using the Hole's Well Under Channel
IEEE Transactions on Electron Devices(2014)
^علی اصغر اروجی
Positive charges at buried oxide interface of RESURF: An anallytical model for the breakdown voltage
Superlattices and Microstructures(2014)
^علی اصغر اروجی, مهسا مهراد
Simulation analysis of a novel dual-trench structure for a high power silicon-on-insulator metal-semicond0uctor field effect transistor
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2014)
^علی اصغر اروجی
A novel high-performance SOI MESFET by stopping the depletion region extension
Superlattices and Microstructures(2014)
^علی اصغر اروجی
A novel SOI MESFET by reducing the electric field crowding for high voltage applications
Superlattices and Microstructures(2014)
^علی اصغر اروجی
Novel Indium Arsenide double gate and gate all around nanowire MOSFETs for diminishing the exchange correlation effect: A quantum study
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2014)
^علی اصغر اروجی
Novel reduced body charge technique in reliable nanoscale SOI MOSFETs for suppressing the kink effect
Superlattices and Microstructures(2014)
^علی اصغر اروجی
High-performance SOI MESFET with modified depletion region using a triple recessed gate for RF applications
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی, مرتضی رحیمیان
مقابله با نویز حلقه زمین به کمک چک حالت مشترک
(1999)
^علی اصغر اروجی
The Simulation of a New Asymmetrical Double-Gate Poly-Si TFT with Modified Channel Conduction Mechanism for Highly Reduced Off-State Leakage Current
IEEE transactions on device and materials reliability(2005)
^علی اصغر اروجی,
Two-Dimensional Analytical Threshold Voltage Model of Nanaoscale Fully Depleted SOI MOSFET with Electrically Induced S/D Extensions
IEEE Transactions on Electron Devices(2005)
, ^علی اصغر اروجی
آنالیز و شبیه سازی مشخصات دیودهای کربید سیلسیم
(2006)
^علی اصغر اروجی
طراحی وساخت یک مقاومت قابل کنترل با ولتاژبا رنج دینامیکی وسیع و اعوجاج کم
(2006)
, ^علی اصغر اروجی
Leakage Current Reduction Techniques in Poly-Si TFTs for Active Matrix Liquid Crystal Displays: A Comprehensive Study
IEEE transactions on device and materials reliability(2006)
^علی اصغر اروجی,
Nanoscale SOI MOSFETs with Electrically induced Source/Drain Extension: Novel Attributes and Design Considerations for Suppressed Short-Channel Effects
Superlattices and Microstructures(2006)
^علی اصغر اروجی,
Investigation of a New Modified Source/Drain for Diminished Self-Heating Effects in Nanoscale MOSFETs Using computer Simulation
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2006)
, ^علی اصغر اروجی
New dual–Material SG Nanoscale MOSFET: Analytical Threshold–Voltage Model
IEEE Transactions on Electron Devices(2006)
, ^علی اصغر اروجی,
A New Symmetrical Double Gate Nanoscale MOSFET with Asymmetrical Side Gates for Electrically Induced Source/Drain
MICROELECTRONIC ENGINEERING(2006)
^علی اصغر اروجی,
A Simple Petri Net Controller by Solving Some Integer Linear Programming Problems
CONTROL ENGINEERING AND APPLIED INFORMATICS(2014)
^عباس دیدبان, میثم زارعی, ^علی اصغر اروجی
A novel SOI-MESFET structure with double protruded region for RF and high voltage applications
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی
A reflectarray based on the folded sir patch-slot configuration backed on FSS for low RCS
(2014)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
A novel slot antenna with reconfigurable meander-slot DGS for cognitive radio applications
APPLIED COMPUTATIONAL ELECTROMAGNETICS SOCIETY JOURNAL(2014)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
Reconfigurable multiband extended U-slot antenna with switchable polarization for wireless applications
IEEE ANTENNAS AND PROPAGATION MAGAZINE(2015)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
design of reconfigurable active integrated microstrip antenna with switchable LNA/PA performances for WLAN and WiMAX applications
IET MICROWAVES ANTENNAS & PROPAGATION(2015)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
Accurate Analytical Drain Current Model for a Nanoscale Fully-Depleted SOI MOSFET
SOLID-STATE ELECTRONICS(2014)
^علی اصغر اروجی
32nm high current performance double gate MOSFET for low power CMOS circuits
INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2015)
^علی اصغر اروجی
A novel nanoscale SOI MOSFET with Si embedded layer as an effective heat sink
INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2014)
^علی اصغر اروجی
A novel double recessed gate 4H-SiC MESFET at drain side with partly undoped space region
(2013)
^علی اصغر اروجی
A Novel MESFET structure by U-shape buried oxide for improving the DC and RF Characteristics
Superlattices and Microstructures(2015)
^علی اصغر اروجی
Numerical simulation of lateral diffused metal oxide semiconductor field effect transistors: A novel technique for electric field control to improve breakdown voltage
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی
A New Gate Induced Barrier Thin-Film Transistor (GIB-TFT) for Active Matrix Liquid Crystal Displays: Design and Performance Considerations
JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY(2006)
, ^علی اصغر اروجی
Shielded Channel Double-Gate MOSFET: A Novel Device for Reliable Nanoscale CMOS Applications
IEEE transactions on device and materials reliability(2005)
^علی اصغر اروجی,
Investigation of the Novel Attributes of a Carbon Nanotube FET with high-k Gate Dielectrics
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2008)
^علی اصغر اروجی
A SiGe on insulator MOSFET to improve the electrical performances: Amended channel band energy
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی
A new technique in LDMOS transistors to improve the breakdown voltage and the lattice temperature
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
مهسا مهراد, ^علی اصغر اروجی
Novel attributes of AlGaN/AlN/GaN/SiC HEMTs with the multiple indented channel
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی
A novel nanoscale fin field effect transistor by amended channel: Investigation and fundamental physics
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی
Operational improvement of AlGaN/GaN HEMT on SiC substrate with the amended depletion region
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی
A novel symmetric GaN MESFET by dual extra layers of Si3N4
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی, امیرحسین امین بیدختی
High-voltage and low specific on-resistance power UMOSFET using P and N type columns
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
A novel LDMOS structure using P-trench for high performance applications
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی, ^عباس دیدبان
Enhanced Critical Electrical Characteristics in a Nanoscale Low-Voltage SOI MOSFET with Dual Tunnel Diode
IEEE Transactions on Electron Devices(2015)
^علی اصغر اروجی
A novel fin field effect transistor by extra insulator layer for high performance nanoscale applications
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2015)
^علی اصغر اروجی
A novel lateral diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) by attracting the electric field lines
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی
A novel nanoscale low-voltage SOI MOSFET with dual tunnel diode (DTD-SOI): Investigation and fundamental physics
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی
Evidence for Enhanced Reliability in a Novel Nanoscale Partially-Depleted SOI MOSFET
IEEE transactions on device and materials reliability(2015)
^علی اصغر اروجی
A novel symmetrical 4H–SiC MESFET: an effective way to improve the breakdown voltage
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2015)
^علی اصغر اروجی
A novel high-performance high-frequency SOI MESFET by the damped electric field
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2016)
^علی اصغر اروجی, 9121107001, ^پرویز کشاورزی
Novel attributes and design considerations of source and drain regions in carbon nanotube transistor
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2009)
^علی اصغر اروجی, 8611119001
A novel step-doping fully-depleted silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor for reliable deep sub-micron devices
Japanese journal of applied physics(2009)
^علی اصغر اروجی
ترانزیستور سیلیسیم روی عایق دو گیتی پله ای (SDG SOI): ساختاری نوین برای کاهش آثار کانال کوتاه
بیست و سومین کنفرانس مهندسی برق ایران(2015-05-10)
^علی اصغر اروجی
افزایش ولتاژ شکست و کاهش مقاومت حالت روشن ترانزیستور SOI-LDMOS با استفاده از یک لایه فلز در لایه ی اکسید مدفون
اولین کنفرانس بین المللی دستاوردهای نوین پژوهشی در مهندسی برق و کامپیوتر(2016-05-13)
9112119003, ^علی اصغر اروجی
Numerical Modeling of Nanoscale SOI-MESFET for the VLSI Applications
اولین کنفرانس بین المللی دستاوردهای نوین پژوهشی در مهندسی برق و کامپیوتر(2016-05-13)
Hadi Shahnazari, ^علی اصغر اروجی
مشخصه یابی و بررسی اثر افزودن نقره بر حسگرهای گازی اکسید قلع
اولین کنفرانس بین المللی دستاوردهای نوین پژوهشی در مهندسی برق و کامپیوتر(2016-05-13)
9312119004, سعیده رهبر پور, حسن غفور فرد, ^علی اصغر اروجی
بهبود عملکرد سلول های خورشیدی لایه نازک آنتیموان سلنیم به واسطه بهینه سازی سطوح انرژی در باند هدایت و کاهش تلفات نوری در لایه بافر
اولین همایش ملی هوش مصنوعی و پردازش هوشمند(2022-08-31)
9811107007, ^علی اصغر اروجی*
بهینه سازی ترانزیستور اثرمیدان نفوذ افقی با گیت عمیق وچگالی ناخالصی ناحیه رانشی پله ای برای بهبود ولتاژ شکست و مقاومت حالت روشن
اولین همایش ملی هوش مصنوعی و پردازش هوشمند(2022-08-31)
40011119005*, ^علی اصغر اروجی
بهبود شیب زیر آستانه برای ترانزیستور اثر میدانی تونلی با استفاده از ساختار ناهمگون
اولین همایش ملی هوش مصنوعی و پردازش هوشمند(2022-08-31)
40011107005*, ^عبدالله عباسی, ^علی اصغر اروجی
بهبود چگالی جریان دیود تونلی ایساکی با استفاده از پیوند ناهمگون
اولین همایش ملی هوش مصنوعی و پردازش هوشمند(2022-08-31)
40011107005*, ^علی اصغر اروجی, ^عبدالله عباسی
بهبود ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو با جاسازی ناحیه بدون ناخالصی و استفاده از ماده نیترید سیلیسیم در ناحیه مدفون برای بهبود اثر خود گرمایی
اولین همایش ملی هوش مصنوعی و پردازش هوشمند(2022-08-31)
9911119039, ^علی اصغر اروجی*
بهبود اثر خود گرمایی ترانزیستورهای ماسفت در فناوری سیلیسیم بر روی عایق با استفاده ازجاسازی نیترید سیلیسیم T شکل در ناحیه مدفون
ششمین کنفرانس ملی کاربرد فناوری های نوین در علوم مهندسی(2023-02-28)
9911119039*, ^علی اصغر اروجی
Three Independent Gate Fin Field Effect Transistor
International Conference on Nano Science & Technology(2010-02-17)
^علی اصغر اروجی
آنالیز و طراحی یک ساختار جدید برای ترانزیستورهای UTB-SOI-MOSFET جهت بهبود اثرات خودگرمایی
هفدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2009-05-12)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
Novel attributes on the performance of ultra scaled asymmetrical double gate SOI MOSFET: non-equilibrium green s function approach
هفدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2009-05-12)
^علی اصغر اروجی
A novel SOI MOSFET with buried alumina gate oxide
IEEE-RSM 2009(2009-08-10)
^علی اصغر اروجی
بررسی اثر گام خاموشی سیگنال های پروب و کنترل در گیت های نوری بر پایه آینه حلقوی غیر خطی
نخستین همایش ملی مهندسی اپتیک و لیزر ایران(2009-05-20)
^علی اصغر اروجی
A novel partial SOI power device with step in buried oxide for improvement of breakdown voltage
2008 IEEE International conference on semiconductor electronics(ICSE2008)(2008-11-25)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
Improving short channel effects of sub-100nm double gate MOSFET having high-K material in oxide stack
The 14th International Symposium on the physics of semiconductor and applications(2008-08-26)
^علی اصغر اروجی
Investigation of electrical characteristics of submicron silicon carbide MOSFETs
2nd International congress on nanoscience & Nanotechnology(2008-10-28)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
Nanoscale triple material double gate(TM-DG) MOSFET for improving short channel effects
International conference on advances in electronics and micro-electronics(2008-09-29)
^علی اصغر اروجی
Nanoscale SOI MOSFETs with double step buried oxide:A novel structure for suppressed self-heating effects
2008 International conference on microelectronics(2008-12-14)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
Dual material gate oxide stack symmetric double gate MOSFET: Improving short channel effects of nanoscale double gate Mosfet
2008 internnational biennial electronics conference(2008-10-06)
^علی اصغر اروجی
Two-Dimensional Analytical Modelling of Nanoscale Electrically-Shallow Junction (EJ) Fully Depleted SOI MOSFET
ICM 2004 (IEEE)(2004-10-01)
, ^علی اصغر اروجی
Performance Considerations of a Novel MOSFET Architecture: Symmetrical Double Gate with Electrically Induced Source/Drain
Thirteenth International workshop on the physics of semiconductor devices(2005-12-01)
^علی اصغر اروجی,
Analytical Modeling of Nanoscale Dual Material Surrounding–Gate Fully Depleted SOI MOSFET
International Conference on MEMS and Semiconductor Nanotechnology(2005-12-01)
^علی اصغر اروجی,
آنالیز مقایسه ای مشخصات سیگنال کوچک نانو ترانزیستورهای اثر میدان فلز – اکسید – نیمه هادی کربید سیلیسیم ( SIC-MOSFET )
کنفرانس ملی مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد(2008-03-05)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
The Impact of High-K Gate Dielectrics on Carbon Nanotube Transistors
14th International workshop on the physics of semiconductor devices(2007-12-16)
^علی اصغر اروجی
6H-SiC lateral Power MOSFETs with an Asymmetrical Buried Oxide Double Step Structure
ICMMT 2008(2008-04-21)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
A Novel thin–film Power MOSFETs with an Asymmetrical Buried Oxide Double Step Structure
6th ICEENG(2008-05-27)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
آنالیز و شبیه سازی انتقال کوانتومی در ترانزیستور اثر میدانی نانوتیوب کربن
دهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران(2007-09-04)
^علی اصغر اروجی
آنالیز و شبیه سازی کاهش سد پتانسیل ناشی از افزایش ولتاژ درین در ترانزیستورهای اثر میدان فلز – نیمه هادی کربید سیلیسیم
دهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران(2007-09-04)
^علی اصغر اروجی
اثر پاشندگی در قطبشی بر شکل پالس و عملکرد سیستم های مخابرات فیبرنوری
کنفرانس ملی مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد(2008-03-05)
^علی اصغر اروجی
Full Quantum Mechanical Simulation of a Novel Nanoscale DG-MOSFET: 2D NEGF Approach
IEEE AFRICON 2007(2007-09-26)
^علی اصغر اروجی, رحیم فائز
Charge Controlling in Nanoscale Shielded Channel DG-MOSFET: A Quantum Simulation
14th International workshop on the physics of semiconductor devices(2007-12-16)
^علی اصغر اروجی, رحیم فائز
Two-Dimensional Quantum Simulation of Scaling Effects in Ultrathin Body MOSFET Structure: NEGF Approach
14th International workshop on the physics of semiconductor devices(2007-12-16)
^علی اصغر اروجی, رحیم فائز
ترانزیستور FinFET با لبه های مدور:ارائه یک ساختار جدید به منظور بهبود اثر خود گرمایی
هجدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2010-05-11)
^علی اصغر اروجی
یافته های نوین در رفتار ترانزیستورهای اثر میدان یونیزاسیون برخوردی
هجدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2010-05-11)
^علی اصغر اروجی
A Novel SiC MESFET with Double Recessed Gate in Drain Side
International Symposium on Signals, Systems and Electronics(2010-06-27)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی
آنالیزو شبیه سازی ترازیستورهای MOSFET در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق
هفتمین همایش دانشجویی فناوری نانو(2010-05-26)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
ارائه و شبیه سازی روشهایی جدید برای کاهش اثرات کانال کوچک در ترانزیستورهای اثر میدانی نانو تیوب کربن
هفتمین همایش دانشجویی فناوری نانو(2010-05-26)
^علی اصغر اروجی
Comparative study of buried insulator materials in LDMOSFETs
IEEE R8 International conference on computational technologies in electrical and electronics engineering(2010-07-11)
^علی اصغر اروجی, ^عباس دیدبان
Investigation of channel impurity impacts on carbon nanotube field effect transistors by self-consistent solution between poisson and schrodinger equa
12th WSEAS International conference on mathematical methods computational techniques in electrical engineering(2010-10-21)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی
A novel GaAs MESFET with multi-recessed drift region and partly p-type doped space layer
2011 International Conference on Electronic Devices, Systems & Application (ICEDSA)(2011-04-25)
^علی اصغر اروجی
A novel N-MOSFET with air gaps in gate insulator for deep submicron applications
2011 International Conference on Electronic Devices, Systems & Application (ICEDSA)(2011-04-25)
^علی اصغر اروجی
ارائه یک ساختار جدید از ترانزیستور FinFET به منظور کاربرد در دماهای بالا
کنفرانس فیزیک ایران 1390(2011-09-05)
^علی اصغر اروجی
Farsi/Arabic Text Extraction from Video Images by Corner Detection
ششمین کنفرانس ماشین بینایی و پردازش تصویر ایران(2010-10-27)
^سعید مظفری, ^علی اصغر اروجی
4H-SiC SOI-MESFET with a Step in Buried Oxide for Improving Electrical Performance
IEEE International Conference on Computer Science and Automation Engineering (CSAE 2011)(2011-06-10)
^علی اصغر اروجی
A New Method for Improving Breakdown Voltage in PSOI MOSFETs Using Variable Drift Region Doping Concentration
IEEE International Conference on Computer Science and Automation Engineering (CSAE 2011)(2011-06-10)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی
A novel A1GaN/GaN/A1GaN double-Heterojunction high electron mobility transistor for performance improvement
International Conference on Signal Processing, Communication, Computing & Networking Technologies, ICSCCN 2011, India(2011-07-21)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
A novel step burried oxide partial SOI LDMOSFET with triple drift layer
International Conference on Signal Processing, Communication, Computing & Networking Technologies, ICSCCN 2011, India(2011-07-21)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی, مریم ایرانیان پور حقیقی
A novel power high electron mobility transistor with partial stepped recess in the drain access region for performance improvement
International Conference on Signal Processing, Communication, Computing & Networking Technologies, ICSCCN 2011, India(2011-07-21)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
A novel double field-plate power high electron mobility transistor based on AlGaN/GaN for performance improvement
International Conference on Signal Processing, Communication, Computing & Networking Technologies, ICSCCN 2011, India(2011-07-21)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
Farsi/Arabic Text Extraction From Video Images
نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2011-05-17)
^سعید مظفری, ^علی اصغر اروجی
Investigation of double recessed gate SiC MESFETs with different recessed lengths
نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2011-05-17)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی
Novel partially depleted SOI MOSFETs for reducing the floating-body effect
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی
Double Step Insulator Fin Field Effect Transistor
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی
Improved Breakdown Voltage of SOI MESFET with 4H-SiC Layer
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی
Improved Characteristics SOI MOSFETs with two new structures: Raised Buried Oxide and Recessed Buried Oxide
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی
A Novel Structure for Leakage Current Improvement: A Triple Gate Poly Silicon Thin Film Transistor with Non Uniform Doping Channel
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی
A Novel SiGe-on-Insulator (SGOI) MOSFET for leakage Current Reduction: Garaded Single Halo Doping
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی
High Breakdown SOI MESFET with Horizontal T Shaped Gate
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی
Nanoscale SiGe-on-Insulator (SGOI) MOSFET with Step High Doping Concentration for Leakage Current Reduction
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی
A novel SiC MESFET with recessed P-Buffer layer
International Conference on Electronics, Computers and Artificial Intelligence, ECAI-2011, Romania(2011-06-30)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی
DC and RF characteristics of SiC MESFETs with different channel doping concentrations under the gate
International Conference on Electronics, Computers and Artificial Intelligence, ECAI-2011, Romania(2011-06-30)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی
رهیافتی جدید در شبیه سازی عددی تورهای براگ فیبر نوری یکنواخت و مورب
پنجمین همایش ملی فیزیک دانشگاه پیام نور(2011-10-07)
^علی اصغر اروجی
An Improved SOI MESFET with Triple-Recessed Drift Region for Electrical Performance Improvement
16th International Workshop on Physics of Semiconductor Devices(2011-12-19)
^علی اصغر اروجی
A Simple Petri Net controller in Discrete Event Systems
14th INFAC Symposium on Information Control Problems in Manufacturing(2012-05-23)
^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی, حسن اعلا
Designing an optimized controller in industrial system using some integer linear programming problems
نهمین کنفرانس بین المللی مهندسی صنایع(2013-01-20)
^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی
Investigation of multiple material gate impact on short channel effects and reliability of nanoscale SOI mosfets
WASET International Congress(2013-02-14)
^علی اصغر اروجی
آنالیز و مقایسه تاثیر گیت پنج ماده ای بر اثرات نامطلوب کانال کوتاه در نانو ترانزیستورهای MOSFET-SOI
دومین همایش آموزشی فناوری نانو(2013-03-13)
^علی اصغر اروجی
Nanoscale SGOI MOSFET with Vertical Step Doping: A Novel Structure for Improving of Leakage Current
International Conference on Enabling Science and Nanotechnology(ESciNano2012)(2012-01-05)
^علی اصغر اروجی
A Novel SiGe-on-Insulator (SGOI) MOSFET with Three Step Doping Channel for Reliability Improvement
International Conference on Enabling Science and Nanotechnology(ESciNano2012)(2012-01-05)
^علی اصغر اروجی
Microstip Antenna with a Reconfigurable Dumbbell-Shaped Defected Ground Plane for DCS-1800 and PCS-1900
IEEE International Symposium on Antennas and Propagation 2013(2013-07-07)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
طراحی یک ساختار جدید UMOSFET برای افزایش ولتاژشکست و کاهش مقاومت ویژه
کنفرانس فیزیک ایران 1393(2014-09-08)
^علی اصغر اروجی
بررسی ساز و کار شکست در گوشه های نوک تیز اتصالات P-N در ماسفت های کربید سیلیسیم و ارائه یک ساختار جدید برای افزایش ولتاژ شکست
کنفرانس فیزیک ایران 1393(2014-09-08)
^علی اصغر اروجی
بهبود ولتاژ شکست افزاره های با قابلیت تحرک الکترونی بالا مبتنی بر گالیوم نیترید با بهینه سازی غلظت آلایش لایه p ایجاد شده در لایه حایل
کنفرانس فیزیک ایران 1393(2014-09-08)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
A novel reflectarray backed on FSS based on the folded SIR configuration for low RCS
8th European Conference on Antennas and Propagation(2014-04-06)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
بهبود بازدهي سلول¬هاي خورشيدي لايه نازك آنتيموان سلنيم از طريق بهينه سازي لايه بافر
مرادي حقيقي الهه(تاریخ دفاع: 1402/07/24) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود مشخصه هاي الكتريكي ترانزيستورهاي ماسفت قدرت اثر ميدان نفوذ افقي با استفاده از اكسيد گاليم
عابدي ريك نسا(تاریخ دفاع: 1401/11/17) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود بازدهي سلول هاي خورشيدي لايه نازك CIGS از طريق بهينه سازي پيوند جاذب /بافر
خيامي احمد(تاریخ دفاع: 1402/06/28) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود مشخصه هاي الكتريكي ترانزيستورهاي قدرت اثر ميدان نفوذ افقي گيت عميق در فناوري سيليسيم بر روي عايق
رضائي فاطمه(تاریخ دفاع: 1402/06/27) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود اثر خود گرمايي در ترانزيستورهاي ماسفت سيليسيم روي عايق
هلالي محمد(تاریخ دفاع: 1401/11/16) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود عملكرد ترانزيستورهاي اثر ميدان نفوذي افقي سيليسيوم روي عايق با استفاده از مدولاسيون ميدان الكتريكي
جعفري سيدمحمدحسين(تاریخ دفاع: 1401/11/16) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان بدون پيوند
مقدم ابريشمي كيميا(تاریخ دفاع: 1401/11/10) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثرميداني در مقياس نانو
حيدري مهران(تاریخ دفاع: 1401/11/25) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود جريان حالت خاموش و مدلسازي ترانزيستور اثر ميداني بدون پيوند دوگيتي
باوير محمد(تاریخ دفاع: 1402/04/13) ، مقطع : دكتري
بهبود جريان حالت خاموش و مدلسازي ترانزيستور اثر ميداني بدون پيوند دوگيتي
باوير محمد(تاریخ دفاع: 1402/04/13) ، مقطع : دكتري
طراحي و مدل سازي سلول هاي خورشيدي لايه نازك Sb2Se3 به منظور افزايش بازدهي
غريب شاهيان ايمان(تاریخ دفاع: 1402/04/12) ، مقطع : دكتري
بررسي و بهبود ترانزيستورهاي اثر ميدان SOI بدون اتصال با مواد نيمه هادي شكاف باند بالا
معتمدي ايدا(تاریخ دفاع: 1400/11/23) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز ـ نيمه هادي در تكنولوژي سيليسيم روي عايق
سينا محدثه(تاریخ دفاع: 1400/11/18) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود مشخصه هاي الكتريكي ترانزيستورهاي قدرت LDMOS در تكنولوژي سيليسيم روي عايق
عباسقلي پورسويري فرشاد(تاریخ دفاع: 1400/11/19) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي قدرت اثر ميدان نفوذ افقي در تكنولوژي سيليسيم روي عايق
كرمي مرتضي(تاریخ دفاع: 1400/08/19) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود مشخصات فركانسي ترانزيستورهاي اثر ميدان سيليسيم روي عايق
بزرگي سيدامير(تاریخ دفاع: 1400/11/18) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود ساختارهاي سلول هاي خورشيدي لايه نازك CIGS
احمدپناه فاطمه السادات(تاریخ دفاع: 1400/06/17) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي اثرات ماده اكسيد گاليوم بر مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي SOI MESFET
علي نژاد علي(تاریخ دفاع: 1400/11/18) ، مقطع : كارشناسي ارشد
طراحي و شبيه سازي فتوديود اثر ميداني با قابليت كنترل جريان نوري خروجي
شرفي فواد(تاریخ دفاع: 1399/11/20) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود عملكرد و ويژگي هاي فركانسي ترانزيستورهاي SOI-MESFET
خورابه مهدي(تاریخ دفاع: 1400/03/25) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز -‌ نيمه هادي
رييسي سيروس(تاریخ دفاع: 1400/11/18) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز -‌ نيمه هادي
رييسي سيروس(تاریخ دفاع: 1400/11/18) ، مقطع : كارشناسي ارشد
تحليل، طراحي و مدل سازي جاذب هاي نوري مبتني بر گرافن در باند تراهرتز
آقايي تكتم(تاریخ دفاع: 1400/04/01) ، مقطع : دكتري
طراحي گيت هاي منطقي تمام نوري مبتني بر ساختارهاي هيبريدي
مرادي مرضيه(تاریخ دفاع: 1402/07/18) ، مقطع : دكتري
بررسي و بهبود مشخصه هاي الكتريكي ترانزيستورهاي سيليسيم روي عايق (SOI)
مددي استانجين داريوش(تاریخ دفاع: 1399/11/29) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود مشخصه هاي الكتريكي ترانزيستورهاي قدرت اثر ميدان نفوذ افقي (LDMOS)
گاوشاني امير(تاریخ دفاع: 1399/12/06) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود جريان در تزانزيستورهاي تونلي بدون اتصال
صفري عارف(تاریخ دفاع: 1398/11/08) ، مقطع : كارشناسي ارشد
طراحي، شبيه سازي و بهبود مشخصات حسگرهاي ضريب شكست بر پايه‌ي موجبرهاي فلزـ عايق ـ فلز
هداوند احسان(تاریخ دفاع: 1399/11/25) ، مقطع : كارشناسي ارشد
مسيريابي انرژي ـ كارآمد براي شبكه هاي ابري مبتني بر SDN
ترك زاده سمانه(تاریخ دفاع: 1400/03/25) ، مقطع : دكتري
بررسي و كاهش اثرات كانال كوتاه در ترانزيستورهاي اثر ميدان با فن‌آوري سيليسيم روي عايق
قاسمي مسلم(تاریخ دفاع: 1399/06/24) ، مقطع : كارشناسي ارشد
طراحي فرا سطح هاي الكترومغناطيس براي مهندسي پراكندگي امواج با روش مدار معادل الكتريكي
قايخلو عليرضا(تاریخ دفاع: 1399/02/24) ، مقطع : دكتري
بررسي و بهبود مقاومت حالت روشن در ترانزيستورهاي اثر ميدان توان
پرتو مجيد(تاریخ دفاع: 1397/06/26) ، مقطع : كارشناسي ارشد
طراحي ساختارهاي جديد براي سلولهاي خورشيدي لايه نازك CIGS
غريب شاهيان ايمان(تاریخ دفاع: 1397/06/19) ، مقطع : كارشناسي ارشد
طراحي ساختارهاي جديد براي سلولهاي خورشيدي لايه نازك CIGS
غريب شاهيان ايمان(تاریخ دفاع: 1397/06/19) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود مشخصه‌هاي ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز ـ نيمه‌هادي
محترم محدثه(تاریخ دفاع: 1396/11/01) ، مقطع : كارشناسي ارشد
كاهش تداخل بين حاملي در ارتباطات سلولي نسل پنجم بر پايه تبديلات جديد
موسوي محمدرضا(تاریخ دفاع: 1399/03/12) ، مقطع : دكتري
بازشناسي افراد با استفاده از تصاوير رنگ ، عمق و اسكلت
ايماني زينب(تاریخ دفاع: 1398/07/15) ، مقطع : دكتري
بررسي مشخصات استاتيك ترانزيستورهاي اثرميدان نفوذ افقي(LDMOS)
عزالدين مهرناز(تاریخ دفاع: 1396/06/27) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود ولتاژ شكست افزاره‌هاي توان LDMOS درتكنولوژي SOI
جان ميرزا فرهاد(تاریخ دفاع: 1398/10/01) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي قدرتUMOSFET
عباسي الهام(تاریخ دفاع: 1397/06/12) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود اثرات كانال كوتاه در ماسفت‌هاي چندگيتي
افضلي سيد سعيد(تاریخ دفاع: 1396/11/02) ، مقطع : كارشناسي ارشد
كاهش اثرات كانال كوتاه در ماسفت‌هاي SOI
رفيع رسول(تاریخ دفاع: 1396/12/20) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي ماسفت با استفاده از تكنولوژي سيليسيم ژرمانيم
شكوهي شورمستي علي(تاریخ دفاع: 1396/11/02) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود ولتاژ شكست ترانزيستورهاي با قابليت تحرك الكتروني بالا مبتني بر گاليوم نيترايد
سجادي جاغرق صدف سادات(تاریخ دفاع: 1396/08/23) ، مقطع : كارشناسي ارشد
تحليل و طراحي سطوح انتخابگر فركانسي جهت كاهش سطح مقطع راداري
فيروزفر امير(تاریخ دفاع: 1399/06/30) ، مقطع : دكتري
ساخت و مشخصه يابي حسگرهاي اكسيد قلع آلايش شده با نقره
حيدري سكينه(تاریخ دفاع: 1395/11/03) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستور فلز نيمه هادي اثر ميدان
روستائي زهره(تاریخ دفاع: 1395/07/04) ، مقطع : كارشناسي ارشد
اناليز تحليلي و بهبود اثار كانال كوتاه ترانزيستورهاي نانو مقياس اثر ميدان در فناوري سيليسيوم روي عايق
رمضاني زينب(تاریخ دفاع: 1396/09/21) ، مقطع : دكتري
بررسي و بهبود مقاومت حالت روشن و ولتاژ شكست ترانزيستورهاي اثر ميدان نفوذي
پاك امين(تاریخ دفاع: 1396/09/21) ، مقطع : دكتري
بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي قدرت اثر ميدان افقي درتكنولوژي سيليسيم روي عايق
دهقان طزره مصطفي(تاریخ دفاع: 1395/07/11) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود ولتاژ شكست ترانزيستورهاي با قابليت تحرك الكتروني بالا بر پايه گاليوم نيتريد
غفاري مجيد(تاریخ دفاع: 1395/07/12) ، مقطع : كارشناسي ارشد
سنتز چند هدفه مدارهاي برگشت پذير
سرو قد مقدم معين(تاریخ دفاع: 1395/06/15) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان چند گيتي نانو مقياس
كريمي فاطمه(تاریخ دفاع: 1396/06/30) ، مقطع : دكتري
تحليل و طراحي سيستم پهن باند مجتمع با تاكيد بر مولد پالس و آنتن فعال تغيير پذير
ولي زاده شهميرزادي آرش(تاریخ دفاع: 1395/04/22) ، مقطع : دكتري
تحليل طراحي و ساخت آنتن مسطح با قابليت تاثير پذيري توام فركانس، پرتو تشعشعي و پلاريزاسيون
فخاريان محمدمهدي(تاریخ دفاع: 1395/04/22) ، مقطع : دكتري
بررسي ترانزيستورهاي ماسفت دوگيتي و راههاي بهبود عملكرد آن
نجفعلي زاده منفرد حامد(تاریخ دفاع: 1394/11/12) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود عملكرد ترانزيستر هاي سيليسيم روي عايق در كاربردهاي ولتاژ پايين
انوري فرد محمدكاظم(تاریخ دفاع: 1393/11/25) ، مقطع : دكتري
مهندسي ميدان الكتريكي در نزديكي گيت جهت بهبود عملكرد افزاره هاي با قابليت تحرك الكتروني بالا مبتني بر گاليوم نيترايد
آقارضائي سوداني حسن(تاریخ دفاع: 1393/07/01) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان نفوذ افقي
حنائي مهسا(تاریخ دفاع: 1393/11/12) ، مقطع : كارشناسي ارشد
مهندسي ناحيه رانشي براي بهبود عملكرد ترانزيستورهاي SOI LDMOS
جهان بخش محمدعلي(تاریخ دفاع: 1393/11/14) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان كربيد سيليسيم
جوزي نجف آبادي محمد(تاریخ دفاع: 1394/06/24) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود آثار كانال كوتاه در ترانزيستورهاي نانو SOI MOSFET
رحيمي فر عاطفه(تاریخ دفاع: 1393/06/24) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود پاسخ فركانسي ترانزيستورهاي MESFET درتكنولوژي سيليسيم روي عايق
شاه نظري ثاني هادي(تاریخ دفاع: 1393/11/06) ، مقطع : كارشناسي ارشد
تحليل و بهبود مقاومت حالت روشن در ترانزيستورهاي اثرميدان توان
منصوري حجت اله(تاریخ دفاع: 1394/06/24) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود مشخصات ترانزيستورهاي ماسفت با گيت فراگير
نجاتي محمد(تاریخ دفاع: 1393/06/31) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهينه سازي و بهبود مشخصات ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز - نيمه هادي مسفت
اسلامي جم معين(تاریخ دفاع: 1392/12/13) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود مشخصات نانو ترانزيستورهاي سيليسيم ژرمانيم
محتشم عليرضا(تاریخ دفاع: 1393/06/31) ، مقطع : كارشناسي ارشد
-
شيخ الاسلامي سيد مصطفي(تاریخ دفاع: 1392/07/16) ، مقطع : كارشناسي ارشد
-
اكبريان خطبه سرا اكرم(تاریخ دفاع: 1392/12/03) ، مقطع : كارشناسي ارشد
-
رمضاني زينب(تاریخ دفاع: 1392/06/25) ، مقطع : كارشناسي ارشد
آناليز و بهبود مشخصات ترانزيستورهاي اثر ميداني نفوذي افقي
مهراد مهسا(تاریخ دفاع: 1392/12/03) ، مقطع : دكتري
پايان نامه
زارعي ميثم(تاریخ دفاع: 1392/11/19) ، مقطع : دكتري
پايان نامه
عباسي عبداله(تاریخ دفاع: 1394/06/17) ، مقطع : دكتري
آناليز و شبيه سازي نانو ترانزيستورهاي سيليسيم بر روي عايق براي بهبود اثرات كانال كوتاه
تفكري دلبري پانيذ(تاریخ دفاع: 1392/04/10) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود مشخصات ترانزيستورهاي اثر ميدان فاز نيمه هادي گاليم آرسنايد
امين بيدختي اميرحسين(تاریخ دفاع: 1390/06/29) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود مشخصات ترانزيستورهاي فيلم نازك پلي سيليكاتي
اسماعيل نژادعلي تپه ربابه(تاریخ دفاع: 1390/11/10) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي ترانزيستورهاي سليسيم ژرمانيم دوكاناله و اثرات تنش در بهبود مشخصات آنها
رحيميان مرتضي(تاریخ دفاع: 1390/11/10) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود اثرات كنال كوتاه ترانزيستورهاي سيليسيم روي عايق
رحماني نژاد سوده(تاریخ دفاع: 1390/10/26) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي اثرات كوانتومي ترانزيستورهاي اثر ميدان
عبداله حسين(تاریخ دفاع: 1389/06/01) ، مقطع : كارشناسي ارشد
آناليز عملكرد تقويت كننده هاي نوري در سيستم هاي مخابرات نوري
بلوري نسا(تاریخ دفاع: 1389/07/05) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود عملكرد مشخصات ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز نيمه هادي كربيد سيليسيم
قاسميان معصومه(تاریخ دفاع: 1390/12/14) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود مشخصات فركانسي ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز نيمه هادي
عنبرحيدري اكرم(تاریخ دفاع: 1392/07/01) ، مقطع : كارشناسي ارشد
آناليز ترانزيستورهاي كربيد سيلسيم
جمالي مهابادي سيداحسان(تاریخ دفاع: 1390/06/28) ، مقطع : كارشناسي ارشد
طراحي فيلترهاي نوري
شهيدي محمدمهدي(تاریخ دفاع: 1390/06/28) ، مقطع : كارشناسي ارشد
آناليز و شبيه سازي اثرات كانال
رضوي سيدمحمد(تاریخ دفاع: 1390/06/21) ، مقطع : كارشناسي ارشد
تکنیک پالس
تکنیک پالس
ترانزیستور نانو مقیاس اثر میدانی باله ای با کانال اصلاح شده مدور
(2016-05-17)
ترانزیستور نانو مقیاس با دیود ایساکی دوگانه
(2015-07-15)
ترانزیستور اثر میدان سیلیسیم بر روی عایق با استفاده یک تکه فلز زیر کانال
(2016-10-30)
آنتن ترکیبی و تغییرپذیر حلقه-شکاف با قابلیت سوئیچینگ فرکانس عملکرد، پلاریزاسیون و پرتو تشعشعی
دانشگاه سمنان(2016-11-12)
ترانزستور اثر میدانی سیلیسیم بر روی عایق با استفاده از ایجاد چاه حفره ای در زیر کانال
(2016-03-14)
سلول خورشیدی لایه نازک CIGS با لایه منعکس کننده الکترون و سوق دهنده حفره
(2017-11-22)
ترانزیستور اثر میدانی نفوذی افقی با گیت ورقه ورقه شده
(2017-04-15)
اتصال سری دو سلول خورشیدی مس-گالیم-سلنیم و سیلیسیم به منظور افزایش بازدهی با قابلیت کنترل جریان
(2018-05-21)
ساختار ترانزیستور نانو مقیاس فلز-اکسید-نیمه هادی با یک اتصال (N+-P)
(2018-01-06)
سلول‌ خورشیدی پشت سر همAlxGa1-xAs/CIGS شامل بافت‌های ناهموار سطحی جهت به دام اندازی نور
دانشگاه سمنان(2020-05-03)
سلول خورشیدی مس ایندیم گالیم دی سلناید با به کارگیری لایه های انتقال دهنده حفره مبتنی بر مس
(2023-04-30)
بهبود بازدهی سلول های خورشیدی لایه نازک CuIn1−xGaxSe2 با بهینه سازی لایه بافر(ناظر)
(2017-10-30)

دانلود ها

فایل ها و ابزارهای مفید

طرح درس

طرح دروس و شرح آن

مطالب وبلاگ

اخبار، اطلاعیه ها و...

تماس

در ارتباط باشید

در ارتباط باشید

گروه آموزشی الکترونیک، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه سمنان، ایران
aliaorouji@semnan.ac.ir
(+98)2331533996

فرم تماس