علی اصغر اروجی

درباره من

دکتر علی اصغر اروجی
image

استاد گروه آموزشی الکترونیک @ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر

...

محقق گوگل

Citation

1982

h-index

25

i10-index

66

اسکوپوس

Citation

Documents

h-index

co-authors

رزومه

تحصیلات، تجارت، مهارت ها و علایق من

تحصیلات

1367

کارشناسی

علم و صنعت ایران

1371

کارشناسی ارشد

علم و صنعت ایران

1385

دکتری

انستیتو تکنولوژی هند-دهلی نو

تجارب

مهارت ها

اولویت های پژوهشی

انتشارات

برخی از دستاورد های پژوهشی و تحقیقاتی
Novel synthesis formulas to design square patch frequency selective surface absorber based on equivalent circuit model
International Journal of RF and Microwave Computer-Aided Engineering(2019)
9211106001, ^مجید افصحی*, ^علی اصغر اروجی
Design of all-optical XOR and XNOR logic gates based on Fano resonance in plasmonic ring resonators
OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS(2019)
9611107003, ^محمد دانائی*, ^علی اصغر اروجی
Hyperbolic FRFT-FBMC for 5G signals
IET COMMUNICATIONS(2019)
9221907002, ^علی شهزادی*, ^علی اصغر اروجی
High-blocking-voltage UMOSFETs with reformed electric field distribution
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2018)
9412119011, ^علی اصغر اروجی*
Design and analysis of an optical full-adder based on nonlinear photonic crystal ring resonators
OPTIK(2018)
9611107003, ^محمد دانائی*, ^علی اصغر اروجی
An Optimized Checkerboard Structure for Cross-Section Reduction: Producing a Coating Surface for Bistatic Radar Using the Equivalent Electric Circuit Model
IEEE ANTENNAS AND PROPAGATION MAGAZINE(2018)
9411908002, ^مجید افصحی*, ^علی اصغر اروجی
ترانزیستور ماسفت سه‌گیتی با استفاده از دیود تونل‌زنی سیلیسیم-ژرمانیم برای بهبود اثر بدنه شناور
مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز(2018)
9411119001, ^علی اصغر اروجی*, 9311107002
An Asymmetric Nanoscale SOI MOSFET by Means of a P-N Structure as Virtual Hole’s Well at the Source Side
Silicon(2018)
9311107002, ^علی اصغر اروجی*
A Novel SOI MESFET to Improve the Equipotential Contour Distributions by Using an Oxide Barrier
Silicon(2018)
9411119016, ^علی اصغر اروجی*, 9311107002
A novel nanoscale SOI MOSFET by embedding undoped region for improving self-heating effect
Superlattices and Microstructures(2018)
مجید غفاری, ^علی اصغر اروجی*
Potential efficiency improvement of Cu (In, Ga) Se2 thin-film solar cells by the window layer optimization
THIN SOLID FILMS(2018)
9511119012, ^سمانه شربتی*, ^علی اصغر اروجی
Analysis and modeling of unipolar junction transistor with excellent performance: a novel DG MOSFET with N+−P− junction
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2018)
9311107002, ^علی اصغر اروجی*
The effect of sharp-corner emendation of irregular FinFETs on electrothermal characteristics
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2018)
9211107003, ^علی اصغر اروجی*
Proper Electrostatic Modulation of Electric Field in a Reliable Nano-SOI With a Developed Channel
IEEE Transactions on Electron Devices(2018)
محمد کاظم انوری فرد*, ^علی اصغر اروجی
A novel high performance LDMOS transistor with high channel density
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2018)
9211107001, ^علی اصغر اروجی*
Modelling the spice parameters of SOI MOSFET using a combinational algorithm
CLUSTER COMPUTING-THE JOURNAL OF NETWORKS SOFTWARE TOOLS AND APPLICATIONS(2018)
9311119010, ^علی اصغر اروجی*, 9311107002, Mohamed Elhoseny, Ahmad Farouk, N. Arun Kumar
Dual metal gate tunneling field effect transistors based on MOSFETs: A 2-D analytical approach
Superlattices and Microstructures(2018)
9311107002, ^علی اصغر اروجی*
A novel 4H-SiC MESFET by lateral insulator region to improve the DC and RF characteristics
INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2018)
9311119009, ^علی اصغر اروجی*
Multi-constraint QoS routing using a customized lightweight evolutionary strategy
SOFT COMPUTING(2018)
9321107001, ^هادی سلطانی زاده*, ^علی اصغر اروجی
Triple tooth AlGaN/GaN HEMT on SiC substrate: A novel structure for high-power applications
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY(2017)
مجید غفاری, ^علی اصغر اروجی*, مجتبی ولی نتاج
Stopping electric field extension in a modified nanostructure based on SOI technology - A comprehensive numerical study
Superlattices and Microstructures(2017)
محمد کاظم انوری فرد*, ^علی اصغر اروجی
Proposed suitable electron reflector layer materials for thin-film CuIn1−xGaxSe2 solar cells
OPTICAL MATERIALS(2017)
^سمانه شربتی*, 9312119005, ^علی اصغر اروجی
Controlled Kink Effect in a Novel High-Voltage LDMOS Transistor by Creating Local Minimum in Energy Band Diagram
IEEE Transactions on Electron Devices(2017)
مهسا مهراد, میثم زارعی, ^علی اصغر اروجی*
The design and evaluation of a 100 kW grid connected solar photovoltaic power plant in Semnan city
Journal of Solar Energy Research(2017)
9511119012, ^سمانه شربتی*, ^علی اصغر اروجی
A novel recessed gate MESFET by embedded dielectric packet
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2017)
9311119009, ^علی اصغر اروجی*
New technique to extend the vertical depletion region at SOI-LDMOSFETs
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2017)
9112119003, ^علی اصغر اروجی*, ^عباس دیدبان
A new DG nanoscale TFET based on MOSFETs by using source gate electrode: 2D simulation and an analytical potential model
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY(2017)
9311107002, ^علی اصغر اروجی*
A novel double gate MOSFET by symmetrical insulator packets with improved short channel effects
INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2017)
9311107002, ^علی اصغر اروجی*
Electro-thermal analysis of non-rectangular FinFET and modeling of fin shape effect on thermal resistance
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2017)
9211107003, ^علی اصغر اروجی*
طراحی ساختاری از ترانزیستور ماسفت دوگیتی با به کارگیری دو ماده، اکسید هافنیم (HfO2) و سیلیسیم-ژرمانیوم (SiGe) در کانالی از جنس سیلیسیم (DM-DG)
مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز(2017)
9211119012, ^علی اصغر اروجی*
Amended Electric Field Distribution: A Reliable Technique for Electrical Performance Improvement in Nano scale SOI MOSFETs
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS(2017)
9311107002, ^علی اصغر اروجی*
Checkerboard Plasma Electromagnetic Surface for Wideband and Wide-Angle Bistatic Radar Cross Section Reduction
IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE(2017)
9411908002, ^مجید افصحی*, ^علی اصغر اروجی
ترانزیستور اثر میدان فلز-نیمه هادی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق با استفاده از یک تکه اکسید اضافی در کانال برای کاربردهای توان و فرکانس بالا
مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز(2017)
^علی اصغر اروجی*, 9311107002, 9111119006
Superior electrical characteristics of novel nanoscale MOSFET with embedded tunnel diode
Superlattices and Microstructures(2017)
میثم زارعی, ^علی اصغر اروجی*
Polarization and radiation pattern reconfigurability of a planar monopole-fed loop antenna for GPS application
RADIOENGINEERING(2016)
9111106001, ^پژمان رضائی*, ^علی اصغر اروجی
A multi-objective synthesis methodology for majority/minority logic networks
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2016)
9311119010, ^علی اصغر اروجی*, منیره هوشمند
Investigation of Veritcal Graded Channel Doping in Nanoscale Fully-Depleted SOI-MOSFET
Superlattices and Microstructures(2016)
9311107002, ^علی اصغر اروجی*
Control of Electric field in 4H-SiC UMOSFET: Physical Investigation
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2016)
9111119004, ^علی اصغر اروجی, Morteza Fathipour
Novel 4H-SiC MESFET with Modify the Depletion Region by Dual Well for High-Current Applications
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2016)
^علی اصغر اروجی*, 9311119009, 9311107002
Design of reconfigurable active integrated pulse generator-antenna with pulse-shape modulation for ultra-wideband applications
IET MICROWAVES ANTENNAS & PROPAGATION(2016)
9111115006*, ^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
A DESIGN OF UWB RECONFIGURABLE PULSE TRANSMITTER WITH PULSE SHAPE MODULATION
MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS(2016)
9111115006*, ^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
A novel laminated gate to improve the ON-state resistance of LDMOS transistors
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2016)
9211107001, ^علی اصغر اروجی*
A New Nanoscale Fin Field Effect Transistor with Embedded Intrinsic Region for High Temperature Applications
Superlattices and Microstructures(2016)
9211107003, ^علی اصغر اروجی*
A compact reconfigurable sub-nanosecond pulse generator with pulse-shape modulation
INTERNATIONAL JOURNAL Of MICROWAVE AND WIRELESS TECHNOLOGIES(2016)
9111115006*, ^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
Dual trench AlGaN/GaN HEMT on SiC substrate: A novel device to improve the breakdown voltage and high power performance
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2016)
9311119011, ^علی اصغر اروجی*
A Novel Double-Gate SOI MOSFET to Improve the Floating Body Effect by Dual SiGe Trench
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2016)
^علی اصغر اروجی*, 9111119006, 9111119004
A Novel High Breakdown Voltage LDMOS by Protruded Silicon Dioxide at the Drift Region
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2016)
Meysam Zareiee, ^علی اصغر اروجی*, Mahsa Mehrad
A novel technique at LDMOSs to improve the figure of merit
Superlattices and Microstructures(2016)
9211107001, ^علی اصغر اروجی
A Wideband and Reconfigurable Filtering Slot Antenna
IEEE ANTENNAS AND WIRELESS PROPAGATION LETTERS(2016)
9111106001*, ^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی, Meysam Soltanpur
A novel high-performance high-frequency SOI MESFET by the damped electric field
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2016)
^علی اصغر اروجی, 9121107001, ^پرویز کشاورزی
Evidence for Enhanced Reliability in a Novel Nanoscale Partially-Depleted SOI MOSFET
IEEE transactions on device and materials reliability(2015)
^علی اصغر اروجی
A SiGe on insulator MOSFET to improve the electrical performances: Amended channel band energy
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی
A novel nanoscale fin field effect transistor by amended channel: Investigation and fundamental physics
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی
Operational improvement of AlGaN/GaN HEMT on SiC substrate with the amended depletion region
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی
High-voltage and low specific on-resistance power UMOSFET using P and N type columns
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
A novel LDMOS structure using P-trench for high performance applications
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی, ^عباس دیدبان
A novel lateral diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) by attracting the electric field lines
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی
Novel attributes of AlGaN/AlN/GaN/SiC HEMTs with the multiple indented channel
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی
A novel fin field effect transistor by extra insulator layer for high performance nanoscale applications
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2015)
^علی اصغر اروجی
A novel symmetrical 4H–SiC MESFET: an effective way to improve the breakdown voltage
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2015)
^علی اصغر اروجی
Reconfigurable multiband extended U-slot antenna with switchable polarization for wireless applications
IEEE ANTENNAS AND PROPAGATION MAGAZINE(2015)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
A novel symmetric GaN MESFET by dual extra layers of Si3N4
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی, امیرحسین امین بیدختی
A novel nanoscale low-voltage SOI MOSFET with dual tunnel diode (DTD-SOI): Investigation and fundamental physics
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی
A new technique in LDMOS transistors to improve the breakdown voltage and the lattice temperature
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
مهسا مهراد, ^علی اصغر اروجی
Enhanced Critical Electrical Characteristics in a Nanoscale Low-Voltage SOI MOSFET with Dual Tunnel Diode
IEEE Transactions on Electron Devices(2015)
^علی اصغر اروجی
Solving the problem of forbidden states in Discrete Event Systems: A novel systematic method for reducing the number of control places
ASIAN JOURNAL OF CONTROL(2015)
^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی
32nm high current performance double gate MOSFET for low power CMOS circuits
INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2015)
^علی اصغر اروجی
Numerical simulation of lateral diffused metal oxide semiconductor field effect transistors: A novel technique for electric field control to improve breakdown voltage
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی
design of reconfigurable active integrated microstrip antenna with switchable LNA/PA performances for WLAN and WiMAX applications
IET MICROWAVES ANTENNAS & PROPAGATION(2015)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
A Novel MESFET structure by U-shape buried oxide for improving the DC and RF Characteristics
Superlattices and Microstructures(2015)
^علی اصغر اروجی
High-performance SOI MESFET with modified depletion region using a triple recessed gate for RF applications
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی, مرتضی رحیمیان
A novel SOI-MESFET structure with double protruded region for RF and high voltage applications
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی
A novel high-performance SOI MESFET by stopping the depletion region extension
Superlattices and Microstructures(2014)
^علی اصغر اروجی
A novel nanoscale SOI MOSFET with Si embedded layer as an effective heat sink
INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2014)
^علی اصغر اروجی
Improving Self-Heating Effect and Maximum Power Density in SOI MESFETs by Using the Hole's Well Under Channel
IEEE Transactions on Electron Devices(2014)
^علی اصغر اروجی
Simulation analysis of a novel dual-trench structure for a high power silicon-on-insulator metal-semicond0uctor field effect transistor
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2014)
^علی اصغر اروجی
A novel slot antenna with reconfigurable meander-slot DGS for cognitive radio applications
APPLIED COMPUTATIONAL ELECTROMAGNETICS SOCIETY JOURNAL(2014)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
Novel Indium Arsenide double gate and gate all around nanowire MOSFETs for diminishing the exchange correlation effect: A quantum study
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2014)
^علی اصغر اروجی
Positive charges at buried oxide interface of RESURF: An anallytical model for the breakdown voltage
Superlattices and Microstructures(2014)
^علی اصغر اروجی, مهسا مهراد
A novel SOI MESFET by reducing the electric field crowding for high voltage applications
Superlattices and Microstructures(2014)
^علی اصغر اروجی
Novel reduced body charge technique in reliable nanoscale SOI MOSFETs for suppressing the kink effect
Superlattices and Microstructures(2014)
^علی اصغر اروجی
Accurate Analytical Drain Current Model for a Nanoscale Fully-Depleted SOI MOSFET
SOLID-STATE ELECTRONICS(2014)
^علی اصغر اروجی
A silicon-on-insulator metal–semiconductor field-effect transistor with an L-shaped buried oxide for high output-power density
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2014)
^علی اصغر اروجی
A Simple Petri Net Controller by Solving Some Integer Linear Programming Problems
CONTROL ENGINEERING AND APPLIED INFORMATICS(2014)
^عباس دیدبان, میثم زارعی, ^علی اصغر اروجی
A reflectarray based on the folded sir patch-slot configuration backed on FSS for low RCS
(2014)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
The impact of high-k gate dielectric and FIBL on performance of nano DG-MOSFETs with underlapped source/drain region
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2014)
مرتضی چرمی, حمید رضا مشایخی , ^علی اصغر اروجی
A novel SOI MESFET by л-shaped gate for improving the driving current
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2014)
^علی اصغر اروجی
آشکارسازی و تعیین مکان متون فارسی - عربی در تصاویر ویدیویی
(2014)
^سعید مظفری, ^علی اصغر اروجی
A novel double-recessed 4H-SiC MESFET using scattering the electric field for high power and RF applications
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2014)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی
Safety analysis of Discrete Event Systems using a simplified Petri Net controller
ISA TRANSACTIONS(2014)
^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی
Employing Gaussian Apodization Technique in Fiber Bragg Gratings: A Simulation Study
(2014)
محمد مهدی شهیدی , ^علی اصغر اروجی, نسرین صالحی
A novel high voltage lateral double diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) device with a U-shaped buried oxide feature
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2013)
^علی اصغر اروجی
A novel vertical stepped doping poly-Si TFT (VSD-TFT) for leakage current improvement
Superlattices and Microstructures(2013)
^علی اصغر اروجی
A silicon/indium arsenide source structure to suppress the parasitic bipolar-induced breakdown effect in SOI MOSFETs
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2013)
^علی اصغر اروجی
Voltage difference engineering in SOI MOSFETs: A novel side gate device with improved electrical performance
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2013)
^علی اصغر اروجی
A novel double recessed gate 4H-SiC MESFET at drain side with partly undoped space region
(2013)
^علی اصغر اروجی
Improvement of Electrical Properties in a Novel Partially Depleted SOI MOSFET With Emphasizing on the Hysteresis Effect
IEEE Transactions on Electron Devices(2013)
^علی اصغر اروجی
Investigation of the Electrical and Thermal Performance of SOI MOSFETs with Modified Channel Engineering
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2013)
^علی اصغر اروجی
A novel high frequency SOI MESFET by modified gate capacitances
Superlattices and Microstructures(2013)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی, امیرحسین امین بیدختی
Improvement of self-heating effect in a novel nanoscale SOI MOSFET with undoped region: A comprehensive investigation on DC and AC operations
Superlattices and Microstructures(2013)
^علی اصغر اروجی
A new design of dual-port active integrated antenna for 2.4/5.2 GHz WLAN applications
(2013)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
: Simplification of a Petri Net Controller in Industrial Systems by Using an Optimization Algorithm
(2013)
^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی
A new double-recessed 4H-SiC MESFET with superior RF characteristics
INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2013)
^علی اصغر اروجی
Impact of Split Gate in a Novel SOI MOSFET (SPG SOI) for Reduction of Short-Channel Effects: Analytical Modeling and Simulation
(2013)
^علی اصغر اروجی
Injected charges in partial SOI LDMOSFETs: A new technique for improving the breakdown voltage
Superlattices and Microstructures(2013)
^علی اصغر اروجی
SOI MOSFET with an insulator region (IR-SOI): A novel device for reliable nanoscale CMOS circuits
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS(2013)
^علی اصغر اروجی
A novel deep submicron SiGe-on-insulator (SGOI) MOSFET with modified channel band energy for electrical performance improvement
CURRENT APPLIED PHYSICS(2012)
^علی اصغر اروجی
Design considerations of underlapped source/drain regions with the Gaussian doping profile in nano-double-gate MOSFETs: A quantum simulation
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2012)
مرتضی چرمی, ^علی اصغر اروجی, حمیدرضا. مشایخی
Design considerations of source and drain regions in nano double gate MOSFETs
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2012)
^علی اصغر اروجی, حمیدرضا مشایخی, مرتضی چرمی
Recessed p-buffer layer SiC MESFET: A novel device for improving DC and RF characteristics
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2012)
^علی اصغر اروجی, دکتر حسینی
High-Voltage and RF Performance of SOI MESFET Using Controlled Electric Field Distribution
IEEE Transactions on Electron Devices(2012)
^علی اصغر اروجی
Novel partially depleted SOI MOSFET for suppression floating-body effect: An embedded JFET structure
Superlattices and Microstructures(2012)
^علی اصغر اروجی
New trench gate power MOSFET with high breakdown voltage and reduced on-resistance using a SiGe zone in drift region
CURRENT APPLIED PHYSICS(2012)
^علی اصغر اروجی
A novel nanoscale MOSFET with modified buried layer for improving of AC performance and self-heating effect
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2012)
^علی اصغر اروجی
Gain improvement and microwave operation of 4H-SiC MESFET with a new recessed metal ring structure
MICROELECTRONICS JOURNAL(2012)
حسین الهی پناه, ^علی اصغر اروجی
A novel high-breakdown-voltage SOI MESFET by modified charge distribution
IEEE Transactions on Electron Devices(2012)
^علی اصغر اروجی
Employing reduced surface field technique by a P-type region in 4H-SiC metal semiconductor field effect transistors for increasing breakdown voltage
INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES AND FIELDS(2012)
^علی اصغر اروجی
Breakdown voltage improvement of LDMOSs by charge balacing:An inserted P-layer in trench oxide (IPT-LDMOS)
Superlattices and Microstructures(2012)
^علی اصغر اروجی
The Best Control of Parasitic BJT Effect in SOI-LDMOS With SiGe Window Under Channel
IEEE Transactions on Electron Devices(2012)
^علی اصغر اروجی
Nanoscale SiGe-on-insulator (SGOI) MOSFET with graded doping channel for improving leakage current and hot-carrier degradation
Superlattices and Microstructures(2011)
^علی اصغر اروجی
ِA novel double-recessed 4H-SiC MESFET with partly undoped space region
Superlattices and Microstructures(2011)
^علی اصغر اروجی
A New Rounded Edge Fin Field Effect Transistor for Improving Self-Heating Effects
Japanese journal of applied physics(2011)
^علی اصغر اروجی
A novel 4H-SiC MESFET with modified channel depletion region for high power and high frequency applications
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2011)
^علی اصغر اروجی
A new nanoscale and high temperature field effect transistor: Bi level FinFET
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2011)
^علی اصغر اروجی
A novel 4H-SiC SOI-MESFET with a modified breakdown voltage mechanism for improving the electrical performance
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY(2011)
^علی اصغر اروجی, ^عباس دیدبان
Investication of the novel attributes in double recessed gate SiC MESFETs at drain side
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY(2011)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی
A novel partial SOI LDMOSFET with a trench and buried P layer for breakdown voltage improvement
Superlattices and Microstructures(2011)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی
Dual material insulator SOI-LDMOSFET: A novel device for self-heating effect improvement
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2011)
^علی اصغر اروجی
LDC-CNTFET: A carbon nanotube field effect transistor with linear doping profile channel
Superlattices and Microstructures(2011)
^پرویز کشاورزی, ^علی اصغر اروجی
DC and RF Characteristics of SiC MESFETs with Different Channel Doping Concentrations under the gate
International review of Physics(2011)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی
طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFETچند لایه ای برای بهبود اثرات خود گرمایی
مدل سازی در مهندسی(2010)
^علی اصغر اروجی
Novel attributes and design considerations of source and drain regions in carbon nanotube transistor
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2009)
^علی اصغر اروجی, 8611119001
A novel step-doping fully-depleted silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor for reliable deep sub-micron devices
Japanese journal of applied physics(2009)
^علی اصغر اروجی
Double step buried oxide (DSBO) SOI_MOSFET : A proposed structure for improving self-heating effects
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2009)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
A new partial-SOI LDMOSFET with modified electric field for breakdown voltage improvement
IEEE transactions on device and materials reliability(2009)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
Quantom simulation study of a new carbon nanotube field-effect transistor with electrically induced source/drain extension
IEEE transactions on device and materials reliability(2009)
^علی اصغر اروجی
Novel attributes in the performance and scaling effects of carbon nanotube field-effect transistor with halo doping
Superlattices and Microstructures(2009)
^علی اصغر اروجی
Detailed simulation study of a dual material gate carbon nanotube field-effect transistor
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2009)
^علی اصغر اروجی
Performance and design considerations of a novel dual-material gate carbon nanotube field-effect transistor: nonequilibrium green s function approach
Japanese journal of applied physics(2009)
^علی اصغر اروجی
Impact of single halo implantation on the carbon nanotube field-effect transistor: A quantum simulation study
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2008)
^علی اصغر اروجی
Investigation of the Novel Attributes of a Carbon Nanotube FET with high-k Gate Dielectrics
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2008)
^علی اصغر اروجی
آنالیز مقایسه ای روش های بهبود اثرات کوچک سازی کانال در ترانزیستورهای SOI-MOSFET و ارائه یک تکنیک جدید
نشریه بین المللی علوم مهندسی دانشگاه علم و صنعت ایران(2008)
^علی اصغر اروجی
A New Gate Induced Barrier Thin-Film Transistor (GIB-TFT) for Active Matrix Liquid Crystal Displays: Design and Performance Considerations
JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY(2006)
, ^علی اصغر اروجی
آنالیز و شبیه سازی مشخصات دیودهای کربید سیلسیم
(2006)
^علی اصغر اروجی
طراحی وساخت یک مقاومت قابل کنترل با ولتاژبا رنج دینامیکی وسیع و اعوجاج کم
(2006)
, ^علی اصغر اروجی
Investigation of a New Modified Source/Drain for Diminished Self-Heating Effects in Nanoscale MOSFETs Using computer Simulation
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2006)
, ^علی اصغر اروجی
Leakage Current Reduction Techniques in Poly-Si TFTs for Active Matrix Liquid Crystal Displays: A Comprehensive Study
IEEE transactions on device and materials reliability(2006)
^علی اصغر اروجی,
Nanoscale SOI MOSFETs with Electrically induced Source/Drain Extension: Novel Attributes and Design Considerations for Suppressed Short-Channel Effects
Superlattices and Microstructures(2006)
^علی اصغر اروجی,
New dual–Material SG Nanoscale MOSFET: Analytical Threshold–Voltage Model
IEEE Transactions on Electron Devices(2006)
, ^علی اصغر اروجی,
A New Symmetrical Double Gate Nanoscale MOSFET with Asymmetrical Side Gates for Electrically Induced Source/Drain
MICROELECTRONIC ENGINEERING(2006)
^علی اصغر اروجی,
The Simulation of a New Asymmetrical Double-Gate Poly-Si TFT with Modified Channel Conduction Mechanism for Highly Reduced Off-State Leakage Current
IEEE transactions on device and materials reliability(2005)
^علی اصغر اروجی,
Shielded Channel Double-Gate MOSFET: A Novel Device for Reliable Nanoscale CMOS Applications
IEEE transactions on device and materials reliability(2005)
^علی اصغر اروجی,
Two-Dimensional Analytical Threshold Voltage Model of Nanaoscale Fully Depleted SOI MOSFET with Electrically Induced S/D Extensions
IEEE Transactions on Electron Devices(2005)
, ^علی اصغر اروجی
مقابله با نویز حلقه زمین به کمک چک حالت مشترک
(1999)
^علی اصغر اروجی
Leakage current reduction in nanoscale fully-depleted SOI MOSFETs with modified current mechanism
CURRENT APPLIED PHYSICS(0)
^علی اصغر اروجی
افزایش ولتاژ شکست و کاهش مقاومت حالت روشن ترانزیستور SOI-LDMOS با استفاده از یک لایه فلز در لایه ی اکسید مدفون
اولین کنفرانس بین المللی دستاوردهای نوین پژوهشی در مهندسی برق و کامپیوتر(2016-05-13)
9112119003, ^علی اصغر اروجی
Numerical Modeling of Nanoscale SOI-MESFET for the VLSI Applications
اولین کنفرانس بین المللی دستاوردهای نوین پژوهشی در مهندسی برق و کامپیوتر(2016-05-13)
Hadi Shahnazari, ^علی اصغر اروجی
مشخصه یابی و بررسی اثر افزودن نقره بر حسگرهای گازی اکسید قلع
اولین کنفرانس بین المللی دستاوردهای نوین پژوهشی در مهندسی برق و کامپیوتر(2016-05-13)
9312119004, سعیده رهبر پور, حسن غفور فرد, ^علی اصغر اروجی
ترانزیستور سیلیسیم روی عایق دو گیتی پله ای (SDG SOI): ساختاری نوین برای کاهش آثار کانال کوتاه
بیست و سومین کنفرانس مهندسی برق ایران(2015-05-10)
^علی اصغر اروجی
طراحی یک ساختار جدید UMOSFET برای افزایش ولتاژشکست و کاهش مقاومت ویژه
کنفرانس فیزیک ایران 1393(2014-09-08)
^علی اصغر اروجی
بررسی ساز و کار شکست در گوشه های نوک تیز اتصالات P-N در ماسفت های کربید سیلیسیم و ارائه یک ساختار جدید برای افزایش ولتاژ شکست
کنفرانس فیزیک ایران 1393(2014-09-08)
^علی اصغر اروجی
بهبود ولتاژ شکست افزاره های با قابلیت تحرک الکترونی بالا مبتنی بر گالیوم نیترید با بهینه سازی غلظت آلایش لایه p ایجاد شده در لایه حایل
کنفرانس فیزیک ایران 1393(2014-09-08)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
A novel reflectarray backed on FSS based on the folded SIR configuration for low RCS
8th European Conference on Antennas and Propagation(2014-04-06)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
Microstip Antenna with a Reconfigurable Dumbbell-Shaped Defected Ground Plane for DCS-1800 and PCS-1900
IEEE International Symposium on Antennas and Propagation 2013(2013-07-07)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
آنالیز و مقایسه تاثیر گیت پنج ماده ای بر اثرات نامطلوب کانال کوتاه در نانو ترانزیستورهای MOSFET-SOI
دومین همایش آموزشی فناوری نانو(2013-03-13)
^علی اصغر اروجی
Investigation of multiple material gate impact on short channel effects and reliability of nanoscale SOI mosfets
WASET International Congress(2013-02-14)
^علی اصغر اروجی
Designing an optimized controller in industrial system using some integer linear programming problems
نهمین کنفرانس بین المللی مهندسی صنایع(2013-01-20)
^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی
A Simple Petri Net controller in Discrete Event Systems
14th INFAC Symposium on Information Control Problems in Manufacturing(2012-05-23)
^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی, حسن اعلا
Nanoscale SGOI MOSFET with Vertical Step Doping: A Novel Structure for Improving of Leakage Current
International Conference on Enabling Science and Nanotechnology(ESciNano2012)(2012-01-05)
^علی اصغر اروجی
A Novel SiGe-on-Insulator (SGOI) MOSFET with Three Step Doping Channel for Reliability Improvement
International Conference on Enabling Science and Nanotechnology(ESciNano2012)(2012-01-05)
^علی اصغر اروجی
An Improved SOI MESFET with Triple-Recessed Drift Region for Electrical Performance Improvement
16th International Workshop on Physics of Semiconductor Devices(2011-12-19)
^علی اصغر اروجی
Novel partially depleted SOI MOSFETs for reducing the floating-body effect
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی
Improved Characteristics SOI MOSFETs with two new structures: Raised Buried Oxide and Recessed Buried Oxide
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی
High Breakdown SOI MESFET with Horizontal T Shaped Gate
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی
Double Step Insulator Fin Field Effect Transistor
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی
A Novel Structure for Leakage Current Improvement: A Triple Gate Poly Silicon Thin Film Transistor with Non Uniform Doping Channel
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی
Nanoscale SiGe-on-Insulator (SGOI) MOSFET with Step High Doping Concentration for Leakage Current Reduction
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی
Improved Breakdown Voltage of SOI MESFET with 4H-SiC Layer
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی
A Novel SiGe-on-Insulator (SGOI) MOSFET for leakage Current Reduction: Garaded Single Halo Doping
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی
رهیافتی جدید در شبیه سازی عددی تورهای براگ فیبر نوری یکنواخت و مورب
پنجمین همایش ملی فیزیک دانشگاه پیام نور(2011-10-07)
^علی اصغر اروجی
ارائه یک ساختار جدید از ترانزیستور FinFET به منظور کاربرد در دماهای بالا
کنفرانس فیزیک ایران 1390(2011-09-05)
^علی اصغر اروجی
A novel step burried oxide partial SOI LDMOSFET with triple drift layer
International Conference on Signal Processing, Communication, Computing & Networking Technologies, ICSCCN 2011, India(2011-07-21)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی, مریم ایرانیان پور حقیقی
A novel power high electron mobility transistor with partial stepped recess in the drain access region for performance improvement
International Conference on Signal Processing, Communication, Computing & Networking Technologies, ICSCCN 2011, India(2011-07-21)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
A novel A1GaN/GaN/A1GaN double-Heterojunction high electron mobility transistor for performance improvement
International Conference on Signal Processing, Communication, Computing & Networking Technologies, ICSCCN 2011, India(2011-07-21)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
A novel double field-plate power high electron mobility transistor based on AlGaN/GaN for performance improvement
International Conference on Signal Processing, Communication, Computing & Networking Technologies, ICSCCN 2011, India(2011-07-21)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
A novel SiC MESFET with recessed P-Buffer layer
International Conference on Electronics, Computers and Artificial Intelligence, ECAI-2011, Romania(2011-06-30)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی
DC and RF characteristics of SiC MESFETs with different channel doping concentrations under the gate
International Conference on Electronics, Computers and Artificial Intelligence, ECAI-2011, Romania(2011-06-30)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی
4H-SiC SOI-MESFET with a Step in Buried Oxide for Improving Electrical Performance
IEEE International Conference on Computer Science and Automation Engineering (CSAE 2011)(2011-06-10)
^علی اصغر اروجی
A New Method for Improving Breakdown Voltage in PSOI MOSFETs Using Variable Drift Region Doping Concentration
IEEE International Conference on Computer Science and Automation Engineering (CSAE 2011)(2011-06-10)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی
Farsi/Arabic Text Extraction From Video Images
نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2011-05-17)
^سعید مظفری, ^علی اصغر اروجی
Investigation of double recessed gate SiC MESFETs with different recessed lengths
نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2011-05-17)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی
A novel GaAs MESFET with multi-recessed drift region and partly p-type doped space layer
2011 International Conference on Electronic Devices, Systems & Application (ICEDSA)(2011-04-25)
^علی اصغر اروجی
A novel N-MOSFET with air gaps in gate insulator for deep submicron applications
2011 International Conference on Electronic Devices, Systems & Application (ICEDSA)(2011-04-25)
^علی اصغر اروجی
Farsi/Arabic Text Extraction from Video Images by Corner Detection
ششمین کنفرانس ماشین بینایی و پردازش تصویر ایران(2010-10-27)
^سعید مظفری, ^علی اصغر اروجی
Investigation of channel impurity impacts on carbon nanotube field effect transistors by self-consistent solution between poisson and schrodinger equa
12th WSEAS International conference on mathematical methods computational techniques in electrical engineering(2010-10-21)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی
Comparative study of buried insulator materials in LDMOSFETs
IEEE R8 International conference on computational technologies in electrical and electronics engineering(2010-07-11)
^علی اصغر اروجی, ^عباس دیدبان
A Novel SiC MESFET with Double Recessed Gate in Drain Side
International Symposium on Signals, Systems and Electronics(2010-06-27)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی
آنالیزو شبیه سازی ترازیستورهای MOSFET در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق
هفتمین همایش دانشجویی فناوری نانو(2010-05-26)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
ارائه و شبیه سازی روشهایی جدید برای کاهش اثرات کانال کوچک در ترانزیستورهای اثر میدانی نانو تیوب کربن
هفتمین همایش دانشجویی فناوری نانو(2010-05-26)
^علی اصغر اروجی
ترانزیستور FinFET با لبه های مدور:ارائه یک ساختار جدید به منظور بهبود اثر خود گرمایی
هجدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2010-05-11)
^علی اصغر اروجی
یافته های نوین در رفتار ترانزیستورهای اثر میدان یونیزاسیون برخوردی
هجدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2010-05-11)
^علی اصغر اروجی
Three Independent Gate Fin Field Effect Transistor
International Conference on Nano Science & Technology(2010-02-17)
^علی اصغر اروجی
A novel SOI MOSFET with buried alumina gate oxide
IEEE-RSM 2009(2009-08-10)
^علی اصغر اروجی
بررسی اثر گام خاموشی سیگنال های پروب و کنترل در گیت های نوری بر پایه آینه حلقوی غیر خطی
نخستین همایش ملی مهندسی اپتیک و لیزر ایران(2009-05-20)
^علی اصغر اروجی
Novel attributes on the performance of ultra scaled asymmetrical double gate SOI MOSFET: non-equilibrium green s function approach
هفدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2009-05-12)
^علی اصغر اروجی
آنالیز و طراحی یک ساختار جدید برای ترانزیستورهای UTB-SOI-MOSFET جهت بهبود اثرات خودگرمایی
هفدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2009-05-12)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
Nanoscale SOI MOSFETs with double step buried oxide:A novel structure for suppressed self-heating effects
2008 International conference on microelectronics(2008-12-14)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
A novel partial SOI power device with step in buried oxide for improvement of breakdown voltage
2008 IEEE International conference on semiconductor electronics(ICSE2008)(2008-11-25)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
Investigation of electrical characteristics of submicron silicon carbide MOSFETs
2nd International congress on nanoscience & Nanotechnology(2008-10-28)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
Dual material gate oxide stack symmetric double gate MOSFET: Improving short channel effects of nanoscale double gate Mosfet
2008 internnational biennial electronics conference(2008-10-06)
^علی اصغر اروجی
Nanoscale triple material double gate(TM-DG) MOSFET for improving short channel effects
International conference on advances in electronics and micro-electronics(2008-09-29)
^علی اصغر اروجی
Improving short channel effects of sub-100nm double gate MOSFET having high-K material in oxide stack
The 14th International Symposium on the physics of semiconductor and applications(2008-08-26)
^علی اصغر اروجی
A Novel thin–film Power MOSFETs with an Asymmetrical Buried Oxide Double Step Structure
6th ICEENG(2008-05-27)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
6H-SiC lateral Power MOSFETs with an Asymmetrical Buried Oxide Double Step Structure
ICMMT 2008(2008-04-21)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
آنالیز مقایسه ای مشخصات سیگنال کوچک نانو ترانزیستورهای اثر میدان فلز – اکسید – نیمه هادی کربید سیلیسیم ( SIC-MOSFET )
کنفرانس ملی مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد(2008-03-05)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
اثر پاشندگی در قطبشی بر شکل پالس و عملکرد سیستم های مخابرات فیبرنوری
کنفرانس ملی مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد(2008-03-05)
^علی اصغر اروجی
Two-Dimensional Quantum Simulation of Scaling Effects in Ultrathin Body MOSFET Structure: NEGF Approach
14th International workshop on the physics of semiconductor devices(2007-12-16)
^علی اصغر اروجی, رحیم فائز
The Impact of High-K Gate Dielectrics on Carbon Nanotube Transistors
14th International workshop on the physics of semiconductor devices(2007-12-16)
^علی اصغر اروجی
Charge Controlling in Nanoscale Shielded Channel DG-MOSFET: A Quantum Simulation
14th International workshop on the physics of semiconductor devices(2007-12-16)
^علی اصغر اروجی, رحیم فائز
Full Quantum Mechanical Simulation of a Novel Nanoscale DG-MOSFET: 2D NEGF Approach
IEEE AFRICON 2007(2007-09-26)
^علی اصغر اروجی, رحیم فائز
آنالیز و شبیه سازی انتقال کوانتومی در ترانزیستور اثر میدانی نانوتیوب کربن
دهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران(2007-09-04)
^علی اصغر اروجی
آنالیز و شبیه سازی کاهش سد پتانسیل ناشی از افزایش ولتاژ درین در ترانزیستورهای اثر میدان فلز – نیمه هادی کربید سیلیسیم
دهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران(2007-09-04)
^علی اصغر اروجی
Analytical Modeling of Nanoscale Dual Material Surrounding–Gate Fully Depleted SOI MOSFET
International Conference on MEMS and Semiconductor Nanotechnology(2005-12-01)
^علی اصغر اروجی,
Performance Considerations of a Novel MOSFET Architecture: Symmetrical Double Gate with Electrically Induced Source/Drain
Thirteenth International workshop on the physics of semiconductor devices(2005-12-01)
^علی اصغر اروجی,
Two-Dimensional Analytical Modelling of Nanoscale Electrically-Shallow Junction (EJ) Fully Depleted SOI MOSFET
ICM 2004 (IEEE)(2004-10-01)
, ^علی اصغر اروجی
آناليز و شبيه سازي اثرات كانال
رضوي سيدمحمد(تاریخ دفاع: 1390/06/21) ، مقطع : كارشناسي ارشد
طراحي فيلترهاي نوري
شهيدي محمدمهدي(تاریخ دفاع: 1390/06/28) ، مقطع : كارشناسي ارشد
آناليز ترانزيستورهاي كربيد سيلسيم
جمالي مهابادي سيداحسان(تاریخ دفاع: 1390/06/28) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود مشخصات فركانسي ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز نيمه هادي
عنبرحيدري اكرم(تاریخ دفاع: 1392/07/01) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود عملكرد مشخصات ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز نيمه هادي كربيد سيليسيم
قاسميان معصومه(تاریخ دفاع: 1390/12/14) ، مقطع : كارشناسي ارشد
آناليز عملكرد تقويت كننده هاي نوري در سيستم هاي مخابرات نوري
بلوري نسا(تاریخ دفاع: 1389/07/05) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي اثرات كوانتومي ترانزيستورهاي اثر ميدان
عبداله حسين(تاریخ دفاع: 1389/06/01) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود اثرات كنال كوتاه ترانزيستورهاي سيليسيم روي عايق
رحماني نژاد سوده(تاریخ دفاع: 1390/10/26) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي ترانزيستورهاي سليسيم ژرمانيم دوكاناله و اثرات تنش در بهبود مشخصات آنها
رحيميان مرتضي(تاریخ دفاع: 1390/11/10) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود مشخصات ترانزيستورهاي فيلم نازك پلي سيليكاتي
اسماعيل نژادعلي تپه ربابه(تاریخ دفاع: 1390/11/10) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود مشخصات ترانزيستورهاي اثر ميدان فاز نيمه هادي گاليم آرسنايد
امين بيدختي اميرحسين(تاریخ دفاع: 1390/06/29) ، مقطع : كارشناسي ارشد
آناليز و شبيه سازي نانو ترانزيستورهاي سيليسيم بر روي عايق براي بهبود اثرات كانال كوتاه
تفكري دلبري پانيذ(تاریخ دفاع: 1392/04/10) ، مقطع : كارشناسي ارشد
آناليز و بهبود مشخصات ترانزيستورهاي اثر ميداني نفوذي افقي
مهراد مهسا(تاریخ دفاع: 1392/12/03) ، مقطع : دكتري
بررسي و بهبود مشخصات نانو ترانزيستورهاي سيليسيم ژرمانيم
محتشم عليرضا(تاریخ دفاع: 1393/06/31) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهينه سازي و بهبود مشخصات ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز - نيمه هادي مسفت
اسلامي جم معين(تاریخ دفاع: 1392/12/13) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود مشخصات ترانزيستورهاي ماسفت با گيت فراگير
نجاتي محمد(تاریخ دفاع: 1393/06/31) ، مقطع : كارشناسي ارشد
تحليل و بهبود مقاومت حالت روشن در ترانزيستورهاي اثرميدان توان
منصوري حجت اله(تاریخ دفاع: 1394/06/24) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود پاسخ فركانسي ترانزيستورهاي MESFET درتكنولوژي سيليسيم روي عايق
شاه نظري ثاني هادي(تاریخ دفاع: 1393/11/06) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود آثار كانال كوتاه در ترانزيستورهاي نانو SOI MOSFET
رحيمي فر عاطفه(تاریخ دفاع: 1393/06/24) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان كربيد سيليسيم
جوزي نجف آبادي محمد(تاریخ دفاع: 1394/06/24) ، مقطع : كارشناسي ارشد
مهندسي ناحيه رانشي براي بهبود عملكرد ترانزيستورهاي SOI LDMOS
جهان بخش محمدعلي(تاریخ دفاع: 1393/11/14) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان نفوذ افقي
حنائي مهسا(تاریخ دفاع: 1393/11/12) ، مقطع : كارشناسي ارشد
مهندسي ميدان الكتريكي در نزديكي گيت جهت بهبود عملكرد افزاره هاي با قابليت تحرك الكتروني بالا مبتني بر گاليوم نيترايد
آقارضائي سوداني حسن(تاریخ دفاع: 1393/07/01) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود عملكرد ترانزيستر هاي سيليسيم روي عايق در كاربردهاي ولتاژ پايين
انوري فرد محمدكاظم(تاریخ دفاع: 1393/11/25) ، مقطع : دكتري
بررسي ترانزيستورهاي ماسفت دوگيتي و راههاي بهبود عملكرد آن
نجفعلي زاده منفرد حامد(تاریخ دفاع: 1394/11/12) ، مقطع : كارشناسي ارشد
تحليل طراحي و ساخت آنتن مسطح با قابليت تاثير پذيري توام فركانس، پرتو تشعشعي و پلاريزاسيون
فخاريان محمدمهدي(تاریخ دفاع: 1395/04/22) ، مقطع : دكتري
تحليل و طراحي سيستم پهن باند مجتمع با تاكيد بر مولد پالس و آنتن فعال تغيير پذير
ولي زاده شهميرزادي آرش(تاریخ دفاع: 1395/04/22) ، مقطع : دكتري
بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان چند گيتي نانو مقياس
كريمي فاطمه(تاریخ دفاع: 1396/06/30) ، مقطع : دكتري
سنتز چند هدفه مدارهاي برگشت پذير
سرو قد مقدم معين(تاریخ دفاع: 1395/06/15) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود ولتاژ شكست ترانزيستورهاي با قابليت تحرك الكتروني بالا بر پايه گاليوم نيتريد
غفاري مجيد(تاریخ دفاع: 1395/07/12) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي قدرت اثر ميدان افقي درتكنولوژي سيليسيم روي عايق
دهقان طزره مصطفي(تاریخ دفاع: 1395/07/11) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود مقاومت حالت روشن و ولتاژ شكست ترانزيستورهاي اثر ميدان نفوذي
پاك امين(تاریخ دفاع: 1396/09/21) ، مقطع : دكتري
اناليز تحليلي و بهبود اثار كانال كوتاه ترانزيستورهاي نانو مقياس اثر ميدان در فناوري سيليسيوم روي عايق
رمضاني زينب(تاریخ دفاع: 1396/09/21) ، مقطع : دكتري
بررسي و بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستور فلز نيمه هادي اثر ميدان
روستائي زهره(تاریخ دفاع: 1395/07/04) ، مقطع : كارشناسي ارشد
ساخت و مشخصه يابي حسگرهاي اكسيد قلع آلايش شده با نقره
حيدري سكينه(تاریخ دفاع: 1395/11/03) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود ولتاژ شكست ترانزيستورهاي با قابليت تحرك الكتروني بالا مبتني بر گاليوم نيترايد
سجادي جاغرق صدف سادات(تاریخ دفاع: 1396/08/23) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي ماسفت با استفاده از تكنولوژي سيليسيم ژرمانيم
شكوهي شورمستي علي(تاریخ دفاع: 1396/11/02) ، مقطع : كارشناسي ارشد
كاهش اثرات كانال كوتاه در ماسفت‌هاي SOI
رفيع رسول(تاریخ دفاع: 1396/12/20) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود اثرات كانال كوتاه در ماسفت‌هاي چندگيتي
افضلي سيد سعيد(تاریخ دفاع: 1396/11/02) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي قدرتUMOSFET
عباسي الهام(تاریخ دفاع: 1397/06/12) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي مشخصات استاتيك ترانزيستورهاي اثرميدان نفوذ افقي(LDMOS)
عزالدين مهرناز(تاریخ دفاع: 1396/06/27) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود مشخصه‌هاي ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز ـ نيمه‌هادي
محترم محدثه(تاریخ دفاع: 1396/12/01) ، مقطع : كارشناسي ارشد
طراحي ساختارهاي جديد براي سلولهاي خورشيدي لايه نازك CIGS
غريب شاهيان ايمان(تاریخ دفاع: 1397/06/19) ، مقطع : كارشناسي ارشد
طراحي ساختارهاي جديد براي سلولهاي خورشيدي لايه نازك CIGS
غريب شاهيان ايمان(تاریخ دفاع: 1397/06/19) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود مقاومت حالت روشن در ترانزيستورهاي اثر ميدان توان
پرتو مجيد(تاریخ دفاع: 1397/06/26) ، مقطع : كارشناسي ارشد
تکنیک پالس
(2011-12-29)
ترانزیستور اثر میدانی نفوذی افقی با گیت ورقه ورقه شده
(2017-04-15)
ترانزیستور اثر میدان سیلیسیم بر روی عایق با استفاده یک تکه فلز زیر کانال
(2016-10-30)
آنتن ترکیبی و تغییرپذیر حلقه-شکاف با قابلیت سوئیچینگ فرکانس عملکرد، پلاریزاسیون و پرتو تشعشعی
دانشگاه سمنان(2016-11-12)
ترانزستور اثر میدانی سیلیسیم بر روی عایق با استفاده از ایجاد چاه حفره ای در زیر کانال
(2016-03-14)
ترانزیستور نانو مقیاس با دیود ایساکی دوگانه
(2015-07-15)
اتصال سری دو سلول خورشیدی مس-گالیم-سلنیم و سیلیسیم به منظور افزایش بازدهی با قابلیت کنترل جریان
(2018-05-21)
سلول خورشیدی لایه نازک CIGS با لایه منعکس کننده الکترون و سوق دهنده حفره
(2017-11-22)
ترانزیستور نانو مقیاس اثر میدانی باله ای با کانال اصلاح شده مدور
(2016-05-17)
بهبود بازدهی سلول های خورشیدی لایه نازک CuIn1−xGaxSe2 با بهینه سازی لایه بافر
(2017-10-30)

دانلود ها

فایل ها و ابزارهای مفید

طرح درس

طرح دروس و شرح آن

مطالب وبلاگ

اخبار، اطلاعیه ها و...

تماس

در ارتباط باشید

در ارتباط باشید

گروه آموزشی الکترونیک، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه سمنان، ایران
aliaorouji@semnan.ac.ir
(+98)2331533996

فرم تماس