علی اصغر اروجی

Scattering mechanisms in β-Ga2O3 junctionless SOI MOSFET: Investigation of electron mobility and short channel effects

Materials Today Communications(2021)
9711119041, ^علی اصغر اروجی*

Investigation of tied double gate 4H–SiC junctionless FET in 7 nm channel length with a symmetrical dual p+ layer

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2021)
9711119041, ^علی اصغر اروجی*

A Silicon on Nothing LDMOS with Two Air Pillars in Gate Insulator for Power Applications

Silicon(2020)
9111119016, ^علی اصغر اروجی, Zeinab Ramezani, & I. S. Amiri*

Using energy band engineering to improve heterojunction solar cellsefficiency

OPTIK(2020)
9622107001, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی

Efficiency Improvement of graphene/silicon Schottky junction solar cell using diffraction gratings

OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS(2020)
علی فتاح, 9711107001, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی

Design of CuIn1−yGaySe2/Si1−xGex Tandem solar cells with controlled current matching

IET OPTOELECTRONICS(2020)
9811107007, ^سمانه شربتی*, ^علی اصغر اروجی

New high-voltage and high-speed β-Ga2O3 MESFET with amended electric field distribution by an insulator layer

EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL PLUS(2020)
9711119041, ^علی اصغر اروجی*

A simulation study of Junctionless Double-Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Symmetrical Side Gates

Silicon(2020)
9711107001, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی

An AlGaN/GaN HEMT by a reversed pyramidal channel layer: Investigation and fundamental physics

INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES AND FIELDS(2020)
9411119008, ^علی اصغر اروجی*

A multi-reconfigurable CLL-loaded planar monopole antenna

RADIOENGINEERING(2020)
محمد مهدی فخاریان*, ^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی

Circuit modeling of ultra‐broadband terahertz absorber based on graphene array periodic disks

INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES AND FIELDS(2020)
9611107002, ^علی اصغر اروجی*

Short-Term Person Re-Identification Using RGB, Depth and Skeleton Information of RGB-D Sensors

IRANIAN JOURNAL OF SCIENCE AND TECHNOLOGY- TRANSACTIONS OF ELECTRICAL ENGINEERING(2020)
9221907001, ^هادی سلطانی زاده*, ^علی اصغر اروجی

ICI analysis of hyperbolic FRFT-FBMC based on optimal order of transform for Internet of Things applications

IET COMMUNICATIONS(2020)
9221907002, ^علی شهزادی*, ^علی اصغر اروجی

Alternative buffer layers in Sb2Se3 thin‐film solar cells to reduce open‐circuit voltage offset

SOLAR ENERGY(2020)
9811107007, ^علی اصغر اروجی*, ^سمانه شربتی

Novel, straightforward procedure to design square loop frequency selective surfaces based on equivalent circuit model

AEU-INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS(2020)
9211106001, ^مجید افصحی*, ^علی اصغر اروجی

Reconfigurable multi-band, graphene-based THz absorber: Circuit model approach

Results in Physics(2020)
9611107002, ^علی اصغر اروجی*

Investigation of Short Channel Effects in SOI MOSFET with 20 nm Channel Length by a β-Ga2O3 Layer

ECS Journal of Solid State Science and Technology(2020)
9711119041*, ^علی اصغر اروجی

Compact Modeling of Fin-LDMOS Transistor Based on the Surface Potential

Silicon(2020)
9211107001, ^علی اصغر اروجی*

Multidimensional Sparse representation for Multishot Person Reidentification

IEEE Sensors Letters(2019)
9221907001, ^هادی سلطانی زاده*, ^علی اصغر اروجی

Performance Improvement of SiGe Based Silicon-On-Insulator Transistor Using Vertically Graded Channel Approach

Silicon(2019)
9411119009, ^علی اصغر اروجی*, دکتر محمد کاظم انوری فرد

Enhancement of a Nanoscale Novel Esaki Tunneling Diode Source TFET (ETDS-TFET) for Low-Voltage Operations

Silicon(2019)
محمد کاظم انوری فرد*, ^علی اصغر اروجی

A Nano junctionless Double-Gate MOSFET by Using the Charge Plasma Concept to Improve Short-Channel Effects and Frequency Characteristics

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS(2019)
زینب رمضانی, ^علی اصغر اروجی, سید امیر قریشی, دکتر امیری*

Triangle and Aperiodic Metasurfaces for Bistatic Backscattering Engineering

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS(2019)
9411908002*, ^مجید افصحی, ^علی اصغر اروجی, Prof. T. A. Denidni

An AlGaN/GaN HEMT by the periodic pits in the buffer layer

PHYSICA SCRIPTA(2019)
9411119008, ^علی اصغر اروجی*

Designing of AlxGa1-xAs/CIGS tandem solar cell by analytical model

SOLAR ENERGY(2019)
^سمانه شربتی*, 9511119012, ^علی اصغر اروجی

A nano scale triple-gate transistors to suppress the aggregated body holes

Silicon(2019)
9411119001, ^علی اصغر اروجی*, 9311107002

New symmetric and planar designs of reversible full-adders/subtractors in quantum-dot cellular automata

EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL D(2019)
9311119010, ^علی اصغر اروجی*

Multifunctional Transparent Electromagnetic Surface Based on Solar Cell for Backscattering Reduction

IEEE TRANSACTIONS ON ANTENNAS AND PROPAGATION(2019)
9411908002*, دکترمحمد اکبری, ^مجید افصحی, ^علی اصغر اروجی, دکترسیبک, دکتر دنیدنی

Hyperbolic FRFT-FBMC for 5G signals

IET COMMUNICATIONS(2019)
9221907002, ^علی شهزادی*, ^علی اصغر اروجی

Novel synthesis formulas to design square patch frequency selective surface absorber based on equivalent circuit model

INTERNATIONAL JOURNAL OF RF AND MICROWAVE COMPUTER-AIDED ENGINEERING(2019)
9211106001, ^مجید افصحی*, ^علی اصغر اروجی

Design of all-optical XOR and XNOR logic gates based on Fano resonance in plasmonic ring resonators

OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS(2019)
9611107003, ^محمد دانائی*, ^علی اصغر اروجی

High-blocking-voltage UMOSFETs with reformed electric field distribution

JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2018)
9412119011, ^علی اصغر اروجی*

Design and analysis of an optical full-adder based on nonlinear photonic crystal ring resonators

OPTIK(2018)
9611107003, ^محمد دانائی*, ^علی اصغر اروجی

An Optimized Checkerboard Structure for Cross-Section Reduction: Producing a Coating Surface for Bistatic Radar Using the Equivalent Electric Circuit Model

IEEE ANTENNAS AND PROPAGATION MAGAZINE(2018)
9411908002, ^مجید افصحی*, ^علی اصغر اروجی

ترانزیستور ماسفت سه‌گیتی با استفاده از دیود تونل‌زنی سیلیسیم-ژرمانیم برای بهبود اثر بدنه شناور

مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز(2018)
9411119001, ^علی اصغر اروجی*, 9311107002

A Novel SOI MESFET to Improve the Equipotential Contour Distributions by Using an Oxide Barrier

Silicon(2018)
9411119016, ^علی اصغر اروجی*, 9311107002

A novel nanoscale SOI MOSFET by embedding undoped region for improving self-heating effect

Superlattices and Microstructures(2018)
مجید غفاری, ^علی اصغر اروجی*

Potential efficiency improvement of Cu (In, Ga) Se2 thin-film solar cells by the window layer optimization

THIN SOLID FILMS(2018)
9511119012, ^سمانه شربتی*, ^علی اصغر اروجی

Analysis and modeling of unipolar junction transistor with excellent performance: a novel DG MOSFET with N+−P− junction

JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2018)
9311107002, ^علی اصغر اروجی*

The effect of sharp-corner emendation of irregular FinFETs on electrothermal characteristics

JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2018)
9211107003, ^علی اصغر اروجی*

Proper Electrostatic Modulation of Electric Field in a Reliable Nano-SOI With a Developed Channel

IEEE Transactions on Electron Devices(2018)
محمد کاظم انوری فرد*, ^علی اصغر اروجی

A novel high performance LDMOS transistor with high channel density

JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2018)
9211107001, ^علی اصغر اروجی*

Modelling the spice parameters of SOI MOSFET using a combinational algorithm

CLUSTER COMPUTING-THE JOURNAL OF NETWORKS SOFTWARE TOOLS AND APPLICATIONS(2018)
9311119010, ^علی اصغر اروجی*, 9311107002, Mohamed Elhoseny, Ahmad Farouk, N. Arun Kumar

Dual metal gate tunneling field effect transistors based on MOSFETs: A 2-D analytical approach

Superlattices and Microstructures(2018)
9311107002, ^علی اصغر اروجی*

A novel 4H-SiC MESFET by lateral insulator region to improve the DC and RF characteristics

INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2018)
9311119009, ^علی اصغر اروجی*

Multi-constraint QoS routing using a customized lightweight evolutionary strategy

SOFT COMPUTING(2018)
9321107001, ^هادی سلطانی زاده*, ^علی اصغر اروجی

Triple tooth AlGaN/GaN HEMT on SiC substrate: A novel structure for high-power applications

JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY(2017)
مجید غفاری, ^علی اصغر اروجی*, مجتبی ولی نتاج

Stopping electric field extension in a modified nanostructure based on SOI technology - A comprehensive numerical study

Superlattices and Microstructures(2017)
محمد کاظم انوری فرد*, ^علی اصغر اروجی

Proposed suitable electron reflector layer materials for thin-film CuIn1−xGaxSe2 solar cells

OPTICAL MATERIALS(2017)
^سمانه شربتی*, 9312119005, ^علی اصغر اروجی

Controlled Kink Effect in a Novel High-Voltage LDMOS Transistor by Creating Local Minimum in Energy Band Diagram

IEEE Transactions on Electron Devices(2017)
مهسا مهراد, میثم زارعی, ^علی اصغر اروجی*

The design and evaluation of a 100 kW grid connected solar photovoltaic power plant in Semnan city

Journal of Solar Energy Research(2017)
9511119012, ^سمانه شربتی*, ^علی اصغر اروجی

New technique to extend the vertical depletion region at SOI-LDMOSFETs

JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2017)
9112119003, ^علی اصغر اروجی*, ^عباس دیدبان

A novel recessed gate MESFET by embedded dielectric packet

JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2017)
9311119009, ^علی اصغر اروجی*

A new DG nanoscale TFET based on MOSFETs by using source gate electrode: 2D simulation and an analytical potential model

JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY(2017)
9311107002, ^علی اصغر اروجی*

A novel double gate MOSFET by symmetrical insulator packets with improved short channel effects

INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2017)
9311107002, ^علی اصغر اروجی*

Electro-thermal analysis of non-rectangular FinFET and modeling of fin shape effect on thermal resistance

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2017)
9211107003, ^علی اصغر اروجی*

Amended Electric Field Distribution: A Reliable Technique for Electrical Performance Improvement in Nano scale SOI MOSFETs

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS(2017)
9311107002, ^علی اصغر اروجی*

Checkerboard Plasma Electromagnetic Surface for Wideband and Wide-Angle Bistatic Radar Cross Section Reduction

IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE(2017)
9411908002, ^مجید افصحی*, ^علی اصغر اروجی

Novel 4H-SiC MESFET with Modify the Depletion Region by Dual Well for High-Current Applications

JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2016)
^علی اصغر اروجی*, 9311119009, 9311107002

A New Nanoscale Fin Field Effect Transistor with Embedded Intrinsic Region for High Temperature Applications

Superlattices and Microstructures(2016)
9211107003, ^علی اصغر اروجی*

Dual trench AlGaN/GaN HEMT on SiC substrate: A novel device to improve the breakdown voltage and high power performance

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2016)
9311119011, ^علی اصغر اروجی*

A novel high-performance high-frequency SOI MESFET by the damped electric field

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2016)
^علی اصغر اروجی, 9121107001, ^پرویز کشاورزی

Evidence for Enhanced Reliability in a Novel Nanoscale Partially-Depleted SOI MOSFET

IEEE transactions on device and materials reliability(2015)
^علی اصغر اروجی

A SiGe on insulator MOSFET to improve the electrical performances: Amended channel band energy

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی

A novel LDMOS structure using P-trench for high performance applications

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی, ^عباس دیدبان

A novel lateral diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) by attracting the electric field lines

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی

Novel attributes of AlGaN/AlN/GaN/SiC HEMTs with the multiple indented channel

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی

A novel nanoscale fin field effect transistor by amended channel: Investigation and fundamental physics

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی

Operational improvement of AlGaN/GaN HEMT on SiC substrate with the amended depletion region

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی

High-voltage and low specific on-resistance power UMOSFET using P and N type columns

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

A novel fin field effect transistor by extra insulator layer for high performance nanoscale applications

JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2015)
^علی اصغر اروجی

A novel symmetrical 4H–SiC MESFET: an effective way to improve the breakdown voltage

JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2015)
^علی اصغر اروجی

Reconfigurable multiband extended U-slot antenna with switchable polarization for wireless applications

IEEE ANTENNAS AND PROPAGATION MAGAZINE(2015)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی

A novel nanoscale low-voltage SOI MOSFET with dual tunnel diode (DTD-SOI): Investigation and fundamental physics

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی

A new technique in LDMOS transistors to improve the breakdown voltage and the lattice temperature

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
مهسا مهراد, ^علی اصغر اروجی

A novel symmetric GaN MESFET by dual extra layers of Si3N4

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی, امیرحسین امین بیدختی

Enhanced Critical Electrical Characteristics in a Nanoscale Low-Voltage SOI MOSFET with Dual Tunnel Diode

IEEE Transactions on Electron Devices(2015)
^علی اصغر اروجی

Solving the problem of forbidden states in Discrete Event Systems: A novel systematic method for reducing the number of control places

ASIAN JOURNAL OF CONTROL(2015)
^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی

32nm high current performance double gate MOSFET for low power CMOS circuits

INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2015)
^علی اصغر اروجی

Numerical simulation of lateral diffused metal oxide semiconductor field effect transistors: A novel technique for electric field control to improve breakdown voltage

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی

design of reconfigurable active integrated microstrip antenna with switchable LNA/PA performances for WLAN and WiMAX applications

IET MICROWAVES ANTENNAS & PROPAGATION(2015)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی

A Novel MESFET structure by U-shape buried oxide for improving the DC and RF Characteristics

Superlattices and Microstructures(2015)
^علی اصغر اروجی

High-performance SOI MESFET with modified depletion region using a triple recessed gate for RF applications

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی, مرتضی رحیمیان

A novel SOI-MESFET structure with double protruded region for RF and high voltage applications

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی

A novel nanoscale SOI MOSFET with Si embedded layer as an effective heat sink

INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2014)
^علی اصغر اروجی

A novel high-performance SOI MESFET by stopping the depletion region extension

Superlattices and Microstructures(2014)
^علی اصغر اروجی

Improving Self-Heating Effect and Maximum Power Density in SOI MESFETs by Using the Hole's Well Under Channel

IEEE Transactions on Electron Devices(2014)
^علی اصغر اروجی

Simulation analysis of a novel dual-trench structure for a high power silicon-on-insulator metal-semicond0uctor field effect transistor

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2014)
^علی اصغر اروجی

A novel slot antenna with reconfigurable meander-slot DGS for cognitive radio applications

APPLIED COMPUTATIONAL ELECTROMAGNETICS SOCIETY JOURNAL(2014)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی

Novel Indium Arsenide double gate and gate all around nanowire MOSFETs for diminishing the exchange correlation effect: A quantum study

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2014)
^علی اصغر اروجی

Accurate Analytical Drain Current Model for a Nanoscale Fully-Depleted SOI MOSFET

SOLID-STATE ELECTRONICS(2014)
^علی اصغر اروجی

Positive charges at buried oxide interface of RESURF: An anallytical model for the breakdown voltage

Superlattices and Microstructures(2014)
^علی اصغر اروجی, مهسا مهراد

A novel SOI MESFET by reducing the electric field crowding for high voltage applications

Superlattices and Microstructures(2014)
^علی اصغر اروجی

Novel reduced body charge technique in reliable nanoscale SOI MOSFETs for suppressing the kink effect

Superlattices and Microstructures(2014)
^علی اصغر اروجی

The impact of high-k gate dielectric and FIBL on performance of nano DG-MOSFETs with underlapped source/drain region

JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2014)
مرتضی چرمی, حمید رضا مشایخی , ^علی اصغر اروجی

A novel SOI MESFET by л-shaped gate for improving the driving current

JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2014)
^علی اصغر اروجی

A silicon-on-insulator metal–semiconductor field-effect transistor with an L-shaped buried oxide for high output-power density

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2014)
^علی اصغر اروجی

A Simple Petri Net Controller by Solving Some Integer Linear Programming Problems

CONTROL ENGINEERING AND APPLIED INFORMATICS(2014)
^عباس دیدبان, میثم زارعی, ^علی اصغر اروجی

A reflectarray based on the folded sir patch-slot configuration backed on FSS for low RCS

(2014)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی

آشکارسازی و تعیین مکان متون فارسی - عربی در تصاویر ویدیویی

(2014)
^سعید مظفری, ^علی اصغر اروجی

A novel double-recessed 4H-SiC MESFET using scattering the electric field for high power and RF applications

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2014)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی

Safety analysis of Discrete Event Systems using a simplified Petri Net controller

ISA TRANSACTIONS(2014)
^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی

Employing Gaussian Apodization Technique in Fiber Bragg Gratings: A Simulation Study

(2014)
محمد مهدی شهیدی , ^علی اصغر اروجی, نسرین صالحی

A novel high voltage lateral double diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) device with a U-shaped buried oxide feature

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2013)
^علی اصغر اروجی

A novel vertical stepped doping poly-Si TFT (VSD-TFT) for leakage current improvement

Superlattices and Microstructures(2013)
^علی اصغر اروجی

A silicon/indium arsenide source structure to suppress the parasitic bipolar-induced breakdown effect in SOI MOSFETs

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2013)
^علی اصغر اروجی

Voltage difference engineering in SOI MOSFETs: A novel side gate device with improved electrical performance

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2013)
^علی اصغر اروجی

A novel double recessed gate 4H-SiC MESFET at drain side with partly undoped space region

(2013)
^علی اصغر اروجی

Improvement of Electrical Properties in a Novel Partially Depleted SOI MOSFET With Emphasizing on the Hysteresis Effect

IEEE Transactions on Electron Devices(2013)
^علی اصغر اروجی

Investigation of the Electrical and Thermal Performance of SOI MOSFETs with Modified Channel Engineering

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2013)
^علی اصغر اروجی

A novel high frequency SOI MESFET by modified gate capacitances

Superlattices and Microstructures(2013)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی, امیرحسین امین بیدختی

Improvement of self-heating effect in a novel nanoscale SOI MOSFET with undoped region: A comprehensive investigation on DC and AC operations

Superlattices and Microstructures(2013)
^علی اصغر اروجی

: Simplification of a Petri Net Controller in Industrial Systems by Using an Optimization Algorithm

(2013)
^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی

A new design of dual-port active integrated antenna for 2.4/5.2 GHz WLAN applications

(2013)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی

Injected charges in partial SOI LDMOSFETs: A new technique for improving the breakdown voltage

Superlattices and Microstructures(2013)
^علی اصغر اروجی

A new double-recessed 4H-SiC MESFET with superior RF characteristics

INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2013)
^علی اصغر اروجی

Impact of Split Gate in a Novel SOI MOSFET (SPG SOI) for Reduction of Short-Channel Effects: Analytical Modeling and Simulation

(2013)
^علی اصغر اروجی

SOI MOSFET with an insulator region (IR-SOI): A novel device for reliable nanoscale CMOS circuits

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS(2013)
^علی اصغر اروجی

Design considerations of underlapped source/drain regions with the Gaussian doping profile in nano-double-gate MOSFETs: A quantum simulation

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2012)
مرتضی چرمی, ^علی اصغر اروجی, حمیدرضا. مشایخی

A novel deep submicron SiGe-on-insulator (SGOI) MOSFET with modified channel band energy for electrical performance improvement

CURRENT APPLIED PHYSICS(2012)
^علی اصغر اروجی

Design considerations of source and drain regions in nano double gate MOSFETs

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2012)
^علی اصغر اروجی, حمیدرضا مشایخی, مرتضی چرمی

High-Voltage and RF Performance of SOI MESFET Using Controlled Electric Field Distribution

IEEE Transactions on Electron Devices(2012)
^علی اصغر اروجی

Recessed p-buffer layer SiC MESFET: A novel device for improving DC and RF characteristics

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2012)
^علی اصغر اروجی, دکتر حسینی

Novel partially depleted SOI MOSFET for suppression floating-body effect: An embedded JFET structure

Superlattices and Microstructures(2012)
^علی اصغر اروجی

New trench gate power MOSFET with high breakdown voltage and reduced on-resistance using a SiGe zone in drift region

CURRENT APPLIED PHYSICS(2012)
^علی اصغر اروجی

A novel nanoscale MOSFET with modified buried layer for improving of AC performance and self-heating effect

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2012)
^علی اصغر اروجی

Gain improvement and microwave operation of 4H-SiC MESFET with a new recessed metal ring structure

MICROELECTRONICS JOURNAL(2012)
حسین الهی پناه, ^علی اصغر اروجی

A novel high-breakdown-voltage SOI MESFET by modified charge distribution

IEEE Transactions on Electron Devices(2012)
^علی اصغر اروجی

Breakdown voltage improvement of LDMOSs by charge balacing:An inserted P-layer in trench oxide (IPT-LDMOS)

Superlattices and Microstructures(2012)
^علی اصغر اروجی

Employing reduced surface field technique by a P-type region in 4H-SiC metal semiconductor field effect transistors for increasing breakdown voltage

INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES AND FIELDS(2012)
^علی اصغر اروجی

The Best Control of Parasitic BJT Effect in SOI-LDMOS With SiGe Window Under Channel

IEEE Transactions on Electron Devices(2012)
^علی اصغر اروجی

ِA novel double-recessed 4H-SiC MESFET with partly undoped space region

Superlattices and Microstructures(2011)
^علی اصغر اروجی

A New Rounded Edge Fin Field Effect Transistor for Improving Self-Heating Effects

Japanese journal of applied physics(2011)
^علی اصغر اروجی

A novel 4H-SiC MESFET with modified channel depletion region for high power and high frequency applications

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2011)
^علی اصغر اروجی

A new nanoscale and high temperature field effect transistor: Bi level FinFET

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2011)
^علی اصغر اروجی

A novel 4H-SiC SOI-MESFET with a modified breakdown voltage mechanism for improving the electrical performance

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY(2011)
^علی اصغر اروجی, ^عباس دیدبان

Nanoscale SiGe-on-insulator (SGOI) MOSFET with graded doping channel for improving leakage current and hot-carrier degradation

Superlattices and Microstructures(2011)
^علی اصغر اروجی

Investication of the novel attributes in double recessed gate SiC MESFETs at drain side

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY(2011)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی

A novel partial SOI LDMOSFET with a trench and buried P layer for breakdown voltage improvement

Superlattices and Microstructures(2011)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی

Dual material insulator SOI-LDMOSFET: A novel device for self-heating effect improvement

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2011)
^علی اصغر اروجی

LDC-CNTFET: A carbon nanotube field effect transistor with linear doping profile channel

Superlattices and Microstructures(2011)
^پرویز کشاورزی, ^علی اصغر اروجی

DC and RF Characteristics of SiC MESFETs with Different Channel Doping Concentrations under the gate

International review of Physics(2011)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی

طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFETچند لایه ای برای بهبود اثرات خود گرمایی

مدل سازی در مهندسی(2010)
^علی اصغر اروجی

Novel attributes and design considerations of source and drain regions in carbon nanotube transistor

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2009)
^علی اصغر اروجی, 8611119001

A novel step-doping fully-depleted silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor for reliable deep sub-micron devices

Japanese journal of applied physics(2009)
^علی اصغر اروجی

Double step buried oxide (DSBO) SOI_MOSFET : A proposed structure for improving self-heating effects

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2009)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

A new partial-SOI LDMOSFET with modified electric field for breakdown voltage improvement

IEEE transactions on device and materials reliability(2009)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

Novel attributes in the performance and scaling effects of carbon nanotube field-effect transistor with halo doping

Superlattices and Microstructures(2009)
^علی اصغر اروجی

Quantom simulation study of a new carbon nanotube field-effect transistor with electrically induced source/drain extension

IEEE transactions on device and materials reliability(2009)
^علی اصغر اروجی

Performance and design considerations of a novel dual-material gate carbon nanotube field-effect transistor: nonequilibrium green s function approach

Japanese journal of applied physics(2009)
^علی اصغر اروجی

Detailed simulation study of a dual material gate carbon nanotube field-effect transistor

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2009)
^علی اصغر اروجی

Impact of single halo implantation on the carbon nanotube field-effect transistor: A quantum simulation study

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2008)
^علی اصغر اروجی

آنالیز مقایسه ای روش های بهبود اثرات کوچک سازی کانال در ترانزیستورهای SOI-MOSFET و ارائه یک تکنیک جدید

نشریه بین المللی علوم مهندسی دانشگاه علم و صنعت ایران(2008)
^علی اصغر اروجی

Investigation of the Novel Attributes of a Carbon Nanotube FET with high-k Gate Dielectrics

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2008)
^علی اصغر اروجی

A New Gate Induced Barrier Thin-Film Transistor (GIB-TFT) for Active Matrix Liquid Crystal Displays: Design and Performance Considerations

JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY(2006)
, ^علی اصغر اروجی

آنالیز و شبیه سازی مشخصات دیودهای کربید سیلسیم

(2006)
^علی اصغر اروجی

طراحی وساخت یک مقاومت قابل کنترل با ولتاژبا رنج دینامیکی وسیع و اعوجاج کم

(2006)
, ^علی اصغر اروجی

Investigation of a New Modified Source/Drain for Diminished Self-Heating Effects in Nanoscale MOSFETs Using computer Simulation

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2006)
, ^علی اصغر اروجی

Leakage Current Reduction Techniques in Poly-Si TFTs for Active Matrix Liquid Crystal Displays: A Comprehensive Study

IEEE transactions on device and materials reliability(2006)
^علی اصغر اروجی,

Nanoscale SOI MOSFETs with Electrically induced Source/Drain Extension: Novel Attributes and Design Considerations for Suppressed Short-Channel Effects

Superlattices and Microstructures(2006)
^علی اصغر اروجی,

New dual–Material SG Nanoscale MOSFET: Analytical Threshold–Voltage Model

IEEE Transactions on Electron Devices(2006)
, ^علی اصغر اروجی,

A New Symmetrical Double Gate Nanoscale MOSFET with Asymmetrical Side Gates for Electrically Induced Source/Drain

MICROELECTRONIC ENGINEERING(2006)
^علی اصغر اروجی,

The Simulation of a New Asymmetrical Double-Gate Poly-Si TFT with Modified Channel Conduction Mechanism for Highly Reduced Off-State Leakage Current

IEEE transactions on device and materials reliability(2005)
^علی اصغر اروجی,

Shielded Channel Double-Gate MOSFET: A Novel Device for Reliable Nanoscale CMOS Applications

IEEE transactions on device and materials reliability(2005)
^علی اصغر اروجی,

Two-Dimensional Analytical Threshold Voltage Model of Nanaoscale Fully Depleted SOI MOSFET with Electrically Induced S/D Extensions

IEEE Transactions on Electron Devices(2005)
, ^علی اصغر اروجی

مقابله با نویز حلقه زمین به کمک چک حالت مشترک

(1999)
^علی اصغر اروجی

Leakage current reduction in nanoscale fully-depleted SOI MOSFETs with modified current mechanism

CURRENT APPLIED PHYSICS(0)
^علی اصغر اروجی

افزایش ولتاژ شکست و کاهش مقاومت حالت روشن ترانزیستور SOI-LDMOS با استفاده از یک لایه فلز در لایه ی اکسید مدفون

اولین کنفرانس بین المللی دستاوردهای نوین پژوهشی در مهندسی برق و کامپیوتر(2016-05-13)
9112119003, ^علی اصغر اروجی

Numerical Modeling of Nanoscale SOI-MESFET for the VLSI Applications

اولین کنفرانس بین المللی دستاوردهای نوین پژوهشی در مهندسی برق و کامپیوتر(2016-05-13)
Hadi Shahnazari, ^علی اصغر اروجی

مشخصه یابی و بررسی اثر افزودن نقره بر حسگرهای گازی اکسید قلع

اولین کنفرانس بین المللی دستاوردهای نوین پژوهشی در مهندسی برق و کامپیوتر(2016-05-13)
9312119004, سعیده رهبر پور, حسن غفور فرد, ^علی اصغر اروجی

ترانزیستور سیلیسیم روی عایق دو گیتی پله ای (SDG SOI): ساختاری نوین برای کاهش آثار کانال کوتاه

بیست و سومین کنفرانس مهندسی برق ایران(2015-05-10)
^علی اصغر اروجی

بهبود ولتاژ شکست افزاره های با قابلیت تحرک الکترونی بالا مبتنی بر گالیوم نیترید با بهینه سازی غلظت آلایش لایه p ایجاد شده در لایه حایل

کنفرانس فیزیک ایران 1393(2014-09-08)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

طراحی یک ساختار جدید UMOSFET برای افزایش ولتاژشکست و کاهش مقاومت ویژه

کنفرانس فیزیک ایران 1393(2014-09-08)
^علی اصغر اروجی

بررسی ساز و کار شکست در گوشه های نوک تیز اتصالات P-N در ماسفت های کربید سیلیسیم و ارائه یک ساختار جدید برای افزایش ولتاژ شکست

کنفرانس فیزیک ایران 1393(2014-09-08)
^علی اصغر اروجی

A novel reflectarray backed on FSS based on the folded SIR configuration for low RCS

8th European Conference on Antennas and Propagation(2014-04-06)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی

Microstip Antenna with a Reconfigurable Dumbbell-Shaped Defected Ground Plane for DCS-1800 and PCS-1900

IEEE International Symposium on Antennas and Propagation 2013(2013-07-07)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی

آنالیز و مقایسه تاثیر گیت پنج ماده ای بر اثرات نامطلوب کانال کوتاه در نانو ترانزیستورهای MOSFET-SOI

دومین همایش آموزشی فناوری نانو(2013-03-13)
^علی اصغر اروجی

Investigation of multiple material gate impact on short channel effects and reliability of nanoscale SOI mosfets

WASET International Congress(2013-02-14)
^علی اصغر اروجی

Designing an optimized controller in industrial system using some integer linear programming problems

نهمین کنفرانس بین المللی مهندسی صنایع(2013-01-20)
^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی

A Simple Petri Net controller in Discrete Event Systems

14th INFAC Symposium on Information Control Problems in Manufacturing(2012-05-23)
^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی, حسن اعلا

Nanoscale SGOI MOSFET with Vertical Step Doping: A Novel Structure for Improving of Leakage Current

International Conference on Enabling Science and Nanotechnology(ESciNano2012)(2012-01-05)
^علی اصغر اروجی

A Novel SiGe-on-Insulator (SGOI) MOSFET with Three Step Doping Channel for Reliability Improvement

International Conference on Enabling Science and Nanotechnology(ESciNano2012)(2012-01-05)
^علی اصغر اروجی

An Improved SOI MESFET with Triple-Recessed Drift Region for Electrical Performance Improvement

16th International Workshop on Physics of Semiconductor Devices(2011-12-19)
^علی اصغر اروجی

A Novel SiGe-on-Insulator (SGOI) MOSFET for leakage Current Reduction: Garaded Single Halo Doping

International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی

Novel partially depleted SOI MOSFETs for reducing the floating-body effect

International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی

Improved Characteristics SOI MOSFETs with two new structures: Raised Buried Oxide and Recessed Buried Oxide

International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی

High Breakdown SOI MESFET with Horizontal T Shaped Gate

International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی

Double Step Insulator Fin Field Effect Transistor

International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی

A Novel Structure for Leakage Current Improvement: A Triple Gate Poly Silicon Thin Film Transistor with Non Uniform Doping Channel

International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی

Nanoscale SiGe-on-Insulator (SGOI) MOSFET with Step High Doping Concentration for Leakage Current Reduction

International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی

Improved Breakdown Voltage of SOI MESFET with 4H-SiC Layer

International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی

رهیافتی جدید در شبیه سازی عددی تورهای براگ فیبر نوری یکنواخت و مورب

پنجمین همایش ملی فیزیک دانشگاه پیام نور(2011-10-07)
^علی اصغر اروجی

ارائه یک ساختار جدید از ترانزیستور FinFET به منظور کاربرد در دماهای بالا

کنفرانس فیزیک ایران 1390(2011-09-05)
^علی اصغر اروجی

A novel double field-plate power high electron mobility transistor based on AlGaN/GaN for performance improvement

International Conference on Signal Processing, Communication, Computing & Networking Technologies, ICSCCN 2011, India(2011-07-21)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

A novel step burried oxide partial SOI LDMOSFET with triple drift layer

International Conference on Signal Processing, Communication, Computing & Networking Technologies, ICSCCN 2011, India(2011-07-21)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی, مریم ایرانیان پور حقیقی

A novel power high electron mobility transistor with partial stepped recess in the drain access region for performance improvement

International Conference on Signal Processing, Communication, Computing & Networking Technologies, ICSCCN 2011, India(2011-07-21)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

A novel A1GaN/GaN/A1GaN double-Heterojunction high electron mobility transistor for performance improvement

International Conference on Signal Processing, Communication, Computing & Networking Technologies, ICSCCN 2011, India(2011-07-21)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

A novel SiC MESFET with recessed P-Buffer layer

International Conference on Electronics, Computers and Artificial Intelligence, ECAI-2011, Romania(2011-06-30)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی

DC and RF characteristics of SiC MESFETs with different channel doping concentrations under the gate

International Conference on Electronics, Computers and Artificial Intelligence, ECAI-2011, Romania(2011-06-30)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی

4H-SiC SOI-MESFET with a Step in Buried Oxide for Improving Electrical Performance

IEEE International Conference on Computer Science and Automation Engineering (CSAE 2011)(2011-06-10)
^علی اصغر اروجی

A New Method for Improving Breakdown Voltage in PSOI MOSFETs Using Variable Drift Region Doping Concentration

IEEE International Conference on Computer Science and Automation Engineering (CSAE 2011)(2011-06-10)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی

Farsi/Arabic Text Extraction From Video Images

نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2011-05-17)
^سعید مظفری, ^علی اصغر اروجی

Investigation of double recessed gate SiC MESFETs with different recessed lengths

نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2011-05-17)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی

A novel N-MOSFET with air gaps in gate insulator for deep submicron applications

2011 International Conference on Electronic Devices, Systems & Application (ICEDSA)(2011-04-25)
^علی اصغر اروجی

A novel GaAs MESFET with multi-recessed drift region and partly p-type doped space layer

2011 International Conference on Electronic Devices, Systems & Application (ICEDSA)(2011-04-25)
^علی اصغر اروجی

Farsi/Arabic Text Extraction from Video Images by Corner Detection

ششمین کنفرانس ماشین بینایی و پردازش تصویر ایران(2010-10-27)
^سعید مظفری, ^علی اصغر اروجی

Investigation of channel impurity impacts on carbon nanotube field effect transistors by self-consistent solution between poisson and schrodinger equa

12th WSEAS International conference on mathematical methods computational techniques in electrical engineering(2010-10-21)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی

Comparative study of buried insulator materials in LDMOSFETs

IEEE R8 International conference on computational technologies in electrical and electronics engineering(2010-07-11)
^علی اصغر اروجی, ^عباس دیدبان

A Novel SiC MESFET with Double Recessed Gate in Drain Side

International Symposium on Signals, Systems and Electronics(2010-06-27)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی

ارائه و شبیه سازی روشهایی جدید برای کاهش اثرات کانال کوچک در ترانزیستورهای اثر میدانی نانو تیوب کربن

هفتمین همایش دانشجویی فناوری نانو(2010-05-26)
^علی اصغر اروجی

آنالیزو شبیه سازی ترازیستورهای MOSFET در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق

هفتمین همایش دانشجویی فناوری نانو(2010-05-26)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

یافته های نوین در رفتار ترانزیستورهای اثر میدان یونیزاسیون برخوردی

هجدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2010-05-11)
^علی اصغر اروجی

ترانزیستور FinFET با لبه های مدور:ارائه یک ساختار جدید به منظور بهبود اثر خود گرمایی

هجدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2010-05-11)
^علی اصغر اروجی

Three Independent Gate Fin Field Effect Transistor

International Conference on Nano Science & Technology(2010-02-17)
^علی اصغر اروجی

A novel SOI MOSFET with buried alumina gate oxide

IEEE-RSM 2009(2009-08-10)
^علی اصغر اروجی

بررسی اثر گام خاموشی سیگنال های پروب و کنترل در گیت های نوری بر پایه آینه حلقوی غیر خطی

نخستین همایش ملی مهندسی اپتیک و لیزر ایران(2009-05-20)
^علی اصغر اروجی

آنالیز و طراحی یک ساختار جدید برای ترانزیستورهای UTB-SOI-MOSFET جهت بهبود اثرات خودگرمایی

هفدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2009-05-12)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

Novel attributes on the performance of ultra scaled asymmetrical double gate SOI MOSFET: non-equilibrium green s function approach

هفدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2009-05-12)
^علی اصغر اروجی

Nanoscale SOI MOSFETs with double step buried oxide:A novel structure for suppressed self-heating effects

2008 International conference on microelectronics(2008-12-14)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

A novel partial SOI power device with step in buried oxide for improvement of breakdown voltage

2008 IEEE International conference on semiconductor electronics(ICSE2008)(2008-11-25)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

Investigation of electrical characteristics of submicron silicon carbide MOSFETs

2nd International congress on nanoscience & Nanotechnology(2008-10-28)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

Dual material gate oxide stack symmetric double gate MOSFET: Improving short channel effects of nanoscale double gate Mosfet

2008 internnational biennial electronics conference(2008-10-06)
^علی اصغر اروجی

Nanoscale triple material double gate(TM-DG) MOSFET for improving short channel effects

International conference on advances in electronics and micro-electronics(2008-09-29)
^علی اصغر اروجی

Improving short channel effects of sub-100nm double gate MOSFET having high-K material in oxide stack

The 14th International Symposium on the physics of semiconductor and applications(2008-08-26)
^علی اصغر اروجی

A Novel thin–film Power MOSFETs with an Asymmetrical Buried Oxide Double Step Structure

6th ICEENG(2008-05-27)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

6H-SiC lateral Power MOSFETs with an Asymmetrical Buried Oxide Double Step Structure

ICMMT 2008(2008-04-21)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

آنالیز مقایسه ای مشخصات سیگنال کوچک نانو ترانزیستورهای اثر میدان فلز – اکسید – نیمه هادی کربید سیلیسیم ( SIC-MOSFET )

کنفرانس ملی مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد(2008-03-05)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور

اثر پاشندگی در قطبشی بر شکل پالس و عملکرد سیستم های مخابرات فیبرنوری

کنفرانس ملی مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد(2008-03-05)
^علی اصغر اروجی

Charge Controlling in Nanoscale Shielded Channel DG-MOSFET: A Quantum Simulation

14th International workshop on the physics of semiconductor devices(2007-12-16)
^علی اصغر اروجی, رحیم فائز

Two-Dimensional Quantum Simulation of Scaling Effects in Ultrathin Body MOSFET Structure: NEGF Approach

14th International workshop on the physics of semiconductor devices(2007-12-16)
^علی اصغر اروجی, رحیم فائز

The Impact of High-K Gate Dielectrics on Carbon Nanotube Transistors

14th International workshop on the physics of semiconductor devices(2007-12-16)
^علی اصغر اروجی

Full Quantum Mechanical Simulation of a Novel Nanoscale DG-MOSFET: 2D NEGF Approach

IEEE AFRICON 2007(2007-09-26)
^علی اصغر اروجی, رحیم فائز

آنالیز و شبیه سازی کاهش سد پتانسیل ناشی از افزایش ولتاژ درین در ترانزیستورهای اثر میدان فلز – نیمه هادی کربید سیلیسیم

دهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران(2007-09-04)
^علی اصغر اروجی

آنالیز و شبیه سازی انتقال کوانتومی در ترانزیستور اثر میدانی نانوتیوب کربن

دهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران(2007-09-04)
^علی اصغر اروجی

Performance Considerations of a Novel MOSFET Architecture: Symmetrical Double Gate with Electrically Induced Source/Drain

Thirteenth International workshop on the physics of semiconductor devices(2005-12-01)
^علی اصغر اروجی,

Analytical Modeling of Nanoscale Dual Material Surrounding–Gate Fully Depleted SOI MOSFET

International Conference on MEMS and Semiconductor Nanotechnology(2005-12-01)
^علی اصغر اروجی,

Two-Dimensional Analytical Modelling of Nanoscale Electrically-Shallow Junction (EJ) Fully Depleted SOI MOSFET

ICM 2004 (IEEE)(2004-10-01)
, ^علی اصغر اروجی

آناليز و شبيه سازي اثرات كانال

رضوي سيدمحمد(تاریخ دفاع: 1390/06/21) ، مقطع : كارشناسي ارشد

طراحي فيلترهاي نوري

شهيدي محمدمهدي(تاریخ دفاع: 1390/06/28) ، مقطع : كارشناسي ارشد

آناليز ترانزيستورهاي كربيد سيلسيم

جمالي مهابادي سيداحسان(تاریخ دفاع: 1390/06/28) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود مشخصات فركانسي ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز نيمه هادي

عنبرحيدري اكرم(تاریخ دفاع: 1392/07/01) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود عملكرد مشخصات ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز نيمه هادي كربيد سيليسيم

قاسميان معصومه(تاریخ دفاع: 1390/12/14) ، مقطع : كارشناسي ارشد

آناليز عملكرد تقويت كننده هاي نوري در سيستم هاي مخابرات نوري

بلوري نسا(تاریخ دفاع: 1389/07/05) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي اثرات كوانتومي ترانزيستورهاي اثر ميدان

عبداله حسين(تاریخ دفاع: 1389/06/01) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود اثرات كنال كوتاه ترانزيستورهاي سيليسيم روي عايق

رحماني نژاد سوده(تاریخ دفاع: 1390/10/26) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي ترانزيستورهاي سليسيم ژرمانيم دوكاناله و اثرات تنش در بهبود مشخصات آنها

رحيميان مرتضي(تاریخ دفاع: 1390/11/10) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود مشخصات ترانزيستورهاي فيلم نازك پلي سيليكاتي

اسماعيل نژادعلي تپه ربابه(تاریخ دفاع: 1390/11/10) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود مشخصات ترانزيستورهاي اثر ميدان فاز نيمه هادي گاليم آرسنايد

امين بيدختي اميرحسين(تاریخ دفاع: 1390/06/29) ، مقطع : كارشناسي ارشد

آناليز و شبيه سازي نانو ترانزيستورهاي سيليسيم بر روي عايق براي بهبود اثرات كانال كوتاه

تفكري دلبري پانيذ(تاریخ دفاع: 1392/04/10) ، مقطع : كارشناسي ارشد

آناليز و بهبود مشخصات ترانزيستورهاي اثر ميداني نفوذي افقي

مهراد مهسا(تاریخ دفاع: 1392/12/03) ، مقطع : دكتري

بررسي و بهبود مشخصات نانو ترانزيستورهاي سيليسيم ژرمانيم

محتشم عليرضا(تاریخ دفاع: 1393/06/31) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهينه سازي و بهبود مشخصات ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز - نيمه هادي مسفت

اسلامي جم معين(تاریخ دفاع: 1392/12/13) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي و بهبود مشخصات ترانزيستورهاي ماسفت با گيت فراگير

نجاتي محمد(تاریخ دفاع: 1393/06/31) ، مقطع : كارشناسي ارشد

تحليل و بهبود مقاومت حالت روشن در ترانزيستورهاي اثرميدان توان

منصوري حجت اله(تاریخ دفاع: 1394/06/24) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود پاسخ فركانسي ترانزيستورهاي MESFET درتكنولوژي سيليسيم روي عايق

شاه نظري ثاني هادي(تاریخ دفاع: 1393/11/06) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود آثار كانال كوتاه در ترانزيستورهاي نانو SOI MOSFET

رحيمي فر عاطفه(تاریخ دفاع: 1393/06/24) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي و بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان كربيد سيليسيم

جوزي نجف آبادي محمد(تاریخ دفاع: 1394/06/24) ، مقطع : كارشناسي ارشد

مهندسي ناحيه رانشي براي بهبود عملكرد ترانزيستورهاي SOI LDMOS

جهان بخش محمدعلي(تاریخ دفاع: 1393/11/14) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان نفوذ افقي

حنائي مهسا(تاریخ دفاع: 1393/11/12) ، مقطع : كارشناسي ارشد

مهندسي ميدان الكتريكي در نزديكي گيت جهت بهبود عملكرد افزاره هاي با قابليت تحرك الكتروني بالا مبتني بر گاليوم نيترايد

آقارضائي سوداني حسن(تاریخ دفاع: 1393/07/01) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود عملكرد ترانزيستر هاي سيليسيم روي عايق در كاربردهاي ولتاژ پايين

انوري فرد محمدكاظم(تاریخ دفاع: 1393/11/25) ، مقطع : دكتري

بررسي ترانزيستورهاي ماسفت دوگيتي و راههاي بهبود عملكرد آن

نجفعلي زاده منفرد حامد(تاریخ دفاع: 1394/11/12) ، مقطع : كارشناسي ارشد

تحليل طراحي و ساخت آنتن مسطح با قابليت تاثير پذيري توام فركانس، پرتو تشعشعي و پلاريزاسيون

فخاريان محمدمهدي(تاریخ دفاع: 1395/04/22) ، مقطع : دكتري

تحليل و طراحي سيستم پهن باند مجتمع با تاكيد بر مولد پالس و آنتن فعال تغيير پذير

ولي زاده شهميرزادي آرش(تاریخ دفاع: 1395/04/22) ، مقطع : دكتري

بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان چند گيتي نانو مقياس

كريمي فاطمه(تاریخ دفاع: 1396/06/30) ، مقطع : دكتري

سنتز چند هدفه مدارهاي برگشت پذير

سرو قد مقدم معين(تاریخ دفاع: 1395/06/15) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود ولتاژ شكست ترانزيستورهاي با قابليت تحرك الكتروني بالا بر پايه گاليوم نيتريد

غفاري مجيد(تاریخ دفاع: 1395/07/12) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي قدرت اثر ميدان افقي درتكنولوژي سيليسيم روي عايق

دهقان طزره مصطفي(تاریخ دفاع: 1395/07/11) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي و بهبود مقاومت حالت روشن و ولتاژ شكست ترانزيستورهاي اثر ميدان نفوذي

پاك امين(تاریخ دفاع: 1396/09/21) ، مقطع : دكتري

اناليز تحليلي و بهبود اثار كانال كوتاه ترانزيستورهاي نانو مقياس اثر ميدان در فناوري سيليسيوم روي عايق

رمضاني زينب(تاریخ دفاع: 1396/09/21) ، مقطع : دكتري

بررسي و بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستور فلز نيمه هادي اثر ميدان

روستائي زهره(تاریخ دفاع: 1395/07/04) ، مقطع : كارشناسي ارشد

ساخت و مشخصه يابي حسگرهاي اكسيد قلع آلايش شده با نقره

حيدري سكينه(تاریخ دفاع: 1395/11/03) ، مقطع : كارشناسي ارشد

تحليل و طراحي سطوح انتخابگر فركانسي جهت كاهش سطح مقطع راداري

فيروزفر امير(تاریخ دفاع: 1399/06/30) ، مقطع : دكتري

بهبود ولتاژ شكست ترانزيستورهاي با قابليت تحرك الكتروني بالا مبتني بر گاليوم نيترايد

سجادي جاغرق صدف سادات(تاریخ دفاع: 1396/08/23) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي ماسفت با استفاده از تكنولوژي سيليسيم ژرمانيم

شكوهي شورمستي علي(تاریخ دفاع: 1396/11/02) ، مقطع : كارشناسي ارشد

كاهش اثرات كانال كوتاه در ماسفت‌هاي SOI

رفيع رسول(تاریخ دفاع: 1396/12/20) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي و بهبود اثرات كانال كوتاه در ماسفت‌هاي چندگيتي

افضلي سيد سعيد(تاریخ دفاع: 1396/11/02) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي قدرتUMOSFET

عباسي الهام(تاریخ دفاع: 1397/06/12) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود ولتاژ شكست افزاره‌هاي توان LDMOS درتكنولوژي SOI

جان ميرزا فرهاد(تاریخ دفاع: 1398/10/01) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي مشخصات استاتيك ترانزيستورهاي اثرميدان نفوذ افقي(LDMOS)

عزالدين مهرناز(تاریخ دفاع: 1396/06/27) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بازشناسي افراد با استفاده از تصاوير رنگ ، عمق و اسكلت

ايماني زينب(تاریخ دفاع: 1398/07/15) ، مقطع : دكتري

كاهش تداخل بين حاملي در ارتباطات سلولي نسل پنجم بر پايه تبديلات جديد

موسوي محمدرضا(تاریخ دفاع: 1399/03/12) ، مقطع : دكتري

بررسي و بهبود مشخصه‌هاي ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز ـ نيمه‌هادي

محترم محدثه(تاریخ دفاع: 1396/12/01) ، مقطع : كارشناسي ارشد

طراحي ساختارهاي جديد براي سلولهاي خورشيدي لايه نازك CIGS

غريب شاهيان ايمان(تاریخ دفاع: 1397/06/19) ، مقطع : كارشناسي ارشد

طراحي ساختارهاي جديد براي سلولهاي خورشيدي لايه نازك CIGS

غريب شاهيان ايمان(تاریخ دفاع: 1397/06/19) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي و بهبود مقاومت حالت روشن در ترانزيستورهاي اثر ميدان توان

پرتو مجيد(تاریخ دفاع: 1397/06/26) ، مقطع : كارشناسي ارشد

طراحي فرا سطح هاي الكترومغناطيس براي مهندسي پراكندگي امواج با روش مدار معادل الكتريكي

قايخلو عليرضا(تاریخ دفاع: 1399/02/24) ، مقطع : دكتري

بررسي و كاهش اثرات كانال كوتاه در ترانزيستورهاي اثر ميدان با فن‌آوري سيليسيم روي عايق

قاسمي مسلم(تاریخ دفاع: 1399/06/24) ، مقطع : كارشناسي ارشد

طراحي، شبيه سازي و بهبود مشخصات حسگرهاي ضريب شكست بر پايه‌ي موجبرهاي فلزـ عايق ـ فلز

هداوند احسان(تاریخ دفاع: 1399/11/25) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي و بهبود جريان در تزانزيستورهاي تونلي بدون اتصال

صفري عارف(تاریخ دفاع: 1398/11/08) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي و بهبود مشخصه هاي الكتريكي ترانزيستورهاي قدرت اثر ميدان نفوذ افقي (LDMOS)

گاوشاني امير(تاریخ دفاع: 1399/12/06) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي و بهبود مشخصه هاي الكتريكي ترانزيستورهاي سيليسيم روي عايق (SOI)

مددي استانجين داريوش(تاریخ دفاع: 1399/11/29) ، مقطع : كارشناسي ارشد

طراحي و شبيه سازي فتوديود اثر ميداني با قابليت كنترل جريان نوري خروجي

شرفي فواد(تاریخ دفاع: 1399/11/20) ، مقطع : كارشناسي ارشد

تکنیک پالس

(2011-12-29)

ساختار ترانزیستور نانو مقیاس فلز-اکسید-نیمه هادی با یک اتصال (N+-P)

(2018-01-06)

ترانزیستور اثر میدانی نفوذی افقی با گیت ورقه ورقه شده

(2017-04-15)

ترانزیستور اثر میدان سیلیسیم بر روی عایق با استفاده یک تکه فلز زیر کانال

(2016-10-30)

آنتن ترکیبی و تغییرپذیر حلقه-شکاف با قابلیت سوئیچینگ فرکانس عملکرد، پلاریزاسیون و پرتو تشعشعی

دانشگاه سمنان(2016-11-12)

ترانزستور اثر میدانی سیلیسیم بر روی عایق با استفاده از ایجاد چاه حفره ای در زیر کانال

(2016-03-14)

ترانزیستور نانو مقیاس با دیود ایساکی دوگانه

(2015-07-15)

اتصال سری دو سلول خورشیدی مس-گالیم-سلنیم و سیلیسیم به منظور افزایش بازدهی با قابلیت کنترل جریان

(2018-05-21)

سلول خورشیدی لایه نازک CIGS با لایه منعکس کننده الکترون و سوق دهنده حفره

(2017-11-22)

ترانزیستور نانو مقیاس اثر میدانی باله ای با کانال اصلاح شده مدور

(2016-05-17)

بهبود بازدهی سلول های خورشیدی لایه نازک CuIn1−xGaxSe2 با بهینه سازی لایه بافر

(2017-10-30)

مدارهای پالس و دیجیتال   (325 بار دانلود)

رشته : مهندسی برق , گرایش : الکترونیک

تئوری و تکنولوژی ساخت افزاره نیم رسانا   (319 بار دانلود)

رشته : مهندسی برق , گرایش : الکترونیک