درباره من
دکتر علی اصغر اروجی
استاد گروه آموزشی الکترونیک @ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر
...
- آدرس گروه آموزشی الکترونیک، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه سمنان، ایران
-
ایمیل
- تلفن (+98)2331533996
- محقق گوگل پروفایل
- اسکوپوس پروفایل
- وبسایت https://aliaorouji.profile.semnan.ac.ir
محقق گوگل
(1401/5/20)استنادات
3478h-index
31i10-index
120مؤلفین همکار
47اسکوپوس
(1401/5/20)استنادات
2848مقالات
251h-index
29مؤلفین همکار
113رزومه
تحصیلات، تجارت، مهارت ها و علایق من
تحصیلات
1371
کارشناسی ارشد
علم و صنعت ایران1385
دکتری
انستیتو تکنولوژی هند-دهلی نو1367
کارشناسی
علم و صنعت ایرانتجارب
1392-1399
مدیر گروه مهندسی الکترونیک
دانشگاه سمنان1391-1392
مدیر گروه مهندسی الکترونیک و مهندسی پزشکی
دانشگاه سمنان1386-1391
مدیر گروه الکترونیک و مخابرات
دانشگاه سمنانمهارت ها
اولویت های پژوهشی
انتشارات
برخی از دستاورد های پژوهشی و فناوری
Ultra-fast Two-bit All-Optical Analog to Digital Convertor Based on Surface Plasmons and Kerr-Type Nonlinear Cavity
PLASMONICS(2021)9811107002*, ^محمد دانائی, ^علی اصغر اروجی
Manipulating pattern periods via external bias for graphene-based THz Dual-Band absorber
MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS(2021)9611107002, ^علی اصغر اروجی*
Efficient Sb2(S,Se)3/Zn(O,S) solar cells with high open-circuit voltage by controlling sulfur content in the absorber-buffer layers
SOLAR ENERGY(2021)9811107007, ^علی اصغر اروجی*, دکتر سمانه شربتی
Energy Band Adjustment in a Reliable Novel Charge Plasma SiGe Source TFET to Intensify the BTBT Rate
IEEE Transactions on Electron Devices(2021)دکتر محمد کاظم انوری فرد*, ^علی اصغر اروجی
β-Ga2O3 double gate junctionless FET with an efficient volume depletion region
PHYSICS LETTERS A(2021)9711119041*, ^علی اصغر اروجی
Improving the efficiency of CIGS solar cells using an optimized p-type CZTSSe electron reflector layer
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS(2021)9812119001, ^علی اصغر اروجی*, 9811107007
The Novel Structure to Enhancement Ion/Ioff Ratio Based on Field Effect Diode
IEEE transactions on device and materials reliability(2021)9711119022*, ^علی اصغر اروجی, دکتر محمد سروش
Energy-Aware Routing Considering Load Balancing for SDN: A Minimum Graph-Based Ant Colony Optimization
CLUSTER COMPUTING-THE JOURNAL OF NETWORKS SOFTWARE TOOLS AND APPLICATIONS(2021)9321107001, ^هادی سلطانی زاده*, ^علی اصغر اروجی
A novel deep gate power MOSFET in partial SOI technology for achieving high breakdown voltage and low lattice temperature
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2021)9611119022, ^علی اصغر اروجی*
Suitable Top Cell Partners for Copper Indium Gallium Selenide-Based Tandem Solar Cells to Achieve >30% Efficiency
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE(2021)9811107007, ^علی اصغر اروجی*, دکتر سمانه شربتی
Improvement the Breakdown Voltage and the On-resistance in the LDMOSFET: Double Buried Metal Layers Structure
Silicon(2021)9622107001, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی
Analytical Model for Two‑Dimensional Electron Gas Charge Density in Recessed‑Gate GaN High‑Electron‑Mobility Transistors
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS(2021)سمانه شربتی*, 9811107007, Thomas Ebel, ^علی اصغر اروجی, Wulf‑Toke Franke
Investigation of 4H-SiC gate-all-around cylindrical nanowire junctionless MOSFET including negative capacitance and quantum confinements
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL PLUS(2021)9711119041, ^علی اصغر اروجی*
Effect of the junction barrier on current–voltage distortions in the Sb2Se3/Zn(O,S) solar cells
OPTICAL MATERIALS(2021)9811107007, ^علی اصغر اروجی*, سمانه شربتی
Reducing the Drain Leakage Current in a Double-Gate Junctionless MOSFET Using the Electron Screening Effect
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS(2021)9711107001, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی
Modeling of GaAsxP1-x/CIGS tandem solar cells under stress conditions
Superlattices and Microstructures(2021)9811107007, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی
A Novel SOI MESFET by Implanted N Layer (INL-SOI) for High Performance Applications
Journal of Modeling & Simulation in Electrical & Electronics Engineering (MSEEE)(2021)9111119010, ^علی اصغر اروجی*
Anode resistance reduction of dye-sensitized solar cells using graphene for efficiency improvement
OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS(2021)علی فتاح, ^عبدالله عباسی*, 9711107001, ^علی اصغر اروجی
بهبود عملکرد دیوداثرمیدانی به منظور کاربرد درتکنولوژی نانو
مهندسی برق و الکترونیک ایران(2021)9711107003, ^علی اصغر اروجی, سمانه شربتی*
ICI and BEP analysis of hyperbolic FRFT based systems for satellite internet of things
TELECOMMUNICATION SYSTEMS(2021)9221907002, ^علی شهزادی*, ^علی اصغر اروجی
Improvement of Nanoscale SOI MOSFET Heating Effects by Vertical Gaussian Drain-Source Doping Region
Silicon(2021)9711119041, ^علی اصغر اروجی*, ^عبدالله عباسی
Scattering mechanisms in β-Ga2O3 junctionless SOI MOSFET: Investigation of electron mobility and short channel effects
Materials Today Communications(2021)9711119041, ^علی اصغر اروجی*
A β-Ga₂O₃ MESFET to Amend the Carrier Distribution by Using a Tunnel Diode
IEEE transactions on device and materials reliability(2021)9711119041*, ^علی اصغر اروجی
Dual-band terahertz absorber based on graphene periodic arrays of disks and ribbons: circuit model approach
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2021)9611107002, ^علی اصغر اروجی*
Investigation of tied double gate 4H–SiC junctionless FET in 7 nm channel length with a symmetrical dual p+ layer
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2021)9711119041, ^علی اصغر اروجی*
Highly tunable multi‐band THz absorber with circuit model representation using multi‐bias scheme
INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES AND FIELDS(2020)9611107002, ^علی اصغر اروجی*
A Silicon on Nothing LDMOS with Two Air Pillars in Gate Insulator for Power Applications
Silicon(2020)9111119016, ^علی اصغر اروجی, Zeinab Ramezani, & I. S. Amiri*
Efficiency Improvement of graphene/silicon Schottky junction solar cell using diffraction gratings
OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS(2020)علی فتاح, 9711107001, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی
Using energy band engineering to improve heterojunction solar cellsefficiency
OPTIK(2020)9622107001, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی
Towards high efficiency Cd-Free Sb2Se3 solar cells by the band alignment optimization
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS(2020)9811107007, ^علی اصغر اروجی*, سمانه شربتی
Design of CuIn1−yGaySe2/Si1−xGex Tandem solar cells with controlled current matching
IET OPTOELECTRONICS(2020)9811107007, ^سمانه شربتی*, ^علی اصغر اروجی
An AlGaN/GaN HEMT by a reversed pyramidal channel layer: Investigation and fundamental physics
INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES AND FIELDS(2020)9411119008, ^علی اصغر اروجی*
A simulation study of Junctionless Double-Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Symmetrical Side Gates
Silicon(2020)9711107001, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی
New high-voltage and high-speed β-Ga2O3 MESFET with amended electric field distribution by an insulator layer
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL PLUS(2020)9711119041, ^علی اصغر اروجی*
A multi-reconfigurable CLL-loaded planar monopole antenna
RADIOENGINEERING(2020)محمد مهدی فخاریان*, ^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
Circuit modeling of ultra‐broadband terahertz absorber based on graphene array periodic disks
INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES AND FIELDS(2020)9611107002, ^علی اصغر اروجی*
Short-Term Person Re-Identification Using RGB, Depth and Skeleton Information of RGB-D Sensors
IRANIAN JOURNAL OF SCIENCE AND TECHNOLOGY- TRANSACTIONS OF ELECTRICAL ENGINEERING(2020)9221907001, ^هادی سلطانی زاده*, ^علی اصغر اروجی
Tensor-based Sparse Canonical Correlation Analysis via Low Rank Matrix Approximation for RGB-D Long-term Person Re-identification
MULTIMEDIA TOOLS AND APPLICATIONS(2020)9221907001, ^هادی سلطانی زاده*, ^علی اصغر اروجی
Alternative buffer layers in Sb2Se3 thin‐film solar cells to reduce open‐circuit voltage offset
SOLAR ENERGY(2020)9811107007, ^علی اصغر اروجی*, ^سمانه شربتی
Novel, straightforward procedure to design square loop frequency selective surfaces based on equivalent circuit model
AEU-INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS(2020)9211106001, ^مجید افصحی*, ^علی اصغر اروجی
ICI analysis of hyperbolic FRFT-FBMC based on optimal order of transform for Internet of Things applications
IET COMMUNICATIONS(2020)9221907002, ^علی شهزادی*, ^علی اصغر اروجی
Reconfigurable multi-band, graphene-based THz absorber: Circuit model approach
Results in Physics(2020)9611107002, ^علی اصغر اروجی*
Investigation of Short Channel Effects in SOI MOSFET with 20 nm Channel Length by a β-Ga2O3 Layer
ECS Journal of Solid State Science and Technology(2020)9711119041*, ^علی اصغر اروجی
Compact Modeling of Fin-LDMOS Transistor Based on the Surface Potential
Silicon(2020)9211107001, ^علی اصغر اروجی*
Multidimensional Sparse representation for Multishot Person Reidentification
IEEE Sensors Letters(2019)9221907001, ^هادی سلطانی زاده*, ^علی اصغر اروجی
Performance Improvement of SiGe Based Silicon-On-Insulator Transistor Using Vertically Graded Channel Approach
Silicon(2019)9411119009, ^علی اصغر اروجی*, دکتر محمد کاظم انوری فرد
Enhancement of a Nanoscale Novel Esaki Tunneling Diode Source TFET (ETDS-TFET) for Low-Voltage Operations
Silicon(2019)محمد کاظم انوری فرد*, ^علی اصغر اروجی
A Nano junctionless Double-Gate MOSFET by Using the Charge Plasma Concept to Improve Short-Channel Effects and Frequency Characteristics
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS(2019)زینب رمضانی, ^علی اصغر اروجی, سید امیر قریشی, دکتر امیری*
Triangle and Aperiodic Metasurfaces for Bistatic Backscattering Engineering
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS(2019)9411908002*, ^مجید افصحی, ^علی اصغر اروجی, Prof. T. A. Denidni
An AlGaN/GaN HEMT by the periodic pits in the buffer layer
PHYSICA SCRIPTA(2019)9411119008, ^علی اصغر اروجی*
Designing of AlxGa1-xAs/CIGS tandem solar cell by analytical model
SOLAR ENERGY(2019)^سمانه شربتی*, 9511119012, ^علی اصغر اروجی
A nano scale triple-gate transistors to suppress the aggregated body holes
Silicon(2019)9411119001, ^علی اصغر اروجی*, 9311107002
New symmetric and planar designs of reversible full-adders/subtractors in quantum-dot cellular automata
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL D(2019)9311119010, ^علی اصغر اروجی*
Multifunctional Transparent Electromagnetic Surface Based on Solar Cell for Backscattering Reduction
IEEE TRANSACTIONS ON ANTENNAS AND PROPAGATION(2019)9411908002*, دکترمحمد اکبری, ^مجید افصحی, ^علی اصغر اروجی, دکترسیبک, دکتر دنیدنی
Hyperbolic FRFT-FBMC for 5G signals
IET COMMUNICATIONS(2019)9221907002, ^علی شهزادی*, ^علی اصغر اروجی
Novel synthesis formulas to design square patch frequency selective surface absorber based on equivalent circuit model
INTERNATIONAL JOURNAL OF RF AND MICROWAVE COMPUTER-AIDED ENGINEERING(2019)9211106001, ^مجید افصحی*, ^علی اصغر اروجی
Design of all-optical XOR and XNOR logic gates based on Fano resonance in plasmonic ring resonators
OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS(2019)9611107003, ^محمد دانائی*, ^علی اصغر اروجی
High-blocking-voltage UMOSFETs with reformed electric field distribution
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2018)9412119011, ^علی اصغر اروجی*
Design and analysis of an optical full-adder based on nonlinear photonic crystal ring resonators
OPTIK(2018)9611107003, ^محمد دانائی*, ^علی اصغر اروجی
An Optimized Checkerboard Structure for Cross-Section Reduction: Producing a Coating Surface for Bistatic Radar Using the Equivalent Electric Circuit Model
IEEE ANTENNAS AND PROPAGATION MAGAZINE(2018)9411908002, ^مجید افصحی*, ^علی اصغر اروجی
ترانزیستور ماسفت سهگیتی با استفاده از دیود تونلزنی سیلیسیم-ژرمانیم برای بهبود اثر بدنه شناور
مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز(2018)9411119001, ^علی اصغر اروجی*, 9311107002
A Novel SOI MESFET to Improve the Equipotential Contour Distributions by Using an Oxide Barrier
Silicon(2018)9411119016, ^علی اصغر اروجی*, 9311107002
A novel nanoscale SOI MOSFET by embedding undoped region for improving self-heating effect
Superlattices and Microstructures(2018)مجید غفاری, ^علی اصغر اروجی*
Potential efficiency improvement of Cu (In, Ga) Se2 thin-film solar cells by the window layer optimization
THIN SOLID FILMS(2018)9511119012, ^سمانه شربتی*, ^علی اصغر اروجی
Analysis and modeling of unipolar junction transistor with excellent performance: a novel DG MOSFET with N+−P− junction
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2018)9311107002, ^علی اصغر اروجی*
The effect of sharp-corner emendation of irregular FinFETs on electrothermal characteristics
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2018)9211107003, ^علی اصغر اروجی*
Proper Electrostatic Modulation of Electric Field in a Reliable Nano-SOI With a Developed Channel
IEEE Transactions on Electron Devices(2018)محمد کاظم انوری فرد*, ^علی اصغر اروجی
A novel high performance LDMOS transistor with high channel density
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2018)9211107001, ^علی اصغر اروجی*
Modelling the spice parameters of SOI MOSFET using a combinational algorithm
CLUSTER COMPUTING-THE JOURNAL OF NETWORKS SOFTWARE TOOLS AND APPLICATIONS(2018)9311119010, ^علی اصغر اروجی*, 9311107002, Mohamed Elhoseny, Ahmad Farouk, N. Arun Kumar
Dual metal gate tunneling field effect transistors based on MOSFETs: A 2-D analytical approach
Superlattices and Microstructures(2018)9311107002, ^علی اصغر اروجی*
A novel 4H-SiC MESFET by lateral insulator region to improve the DC and RF characteristics
INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2018)9311119009, ^علی اصغر اروجی*
Multi-constraint QoS routing using a customized lightweight evolutionary strategy
SOFT COMPUTING(2018)9321107001, ^هادی سلطانی زاده*, ^علی اصغر اروجی
Triple tooth AlGaN/GaN HEMT on SiC substrate: A novel structure for high-power applications
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY(2017)مجید غفاری, ^علی اصغر اروجی*, مجتبی ولی نتاج
Stopping electric field extension in a modified nanostructure based on SOI technology - A comprehensive numerical study
Superlattices and Microstructures(2017)محمد کاظم انوری فرد*, ^علی اصغر اروجی
Proposed suitable electron reflector layer materials for thin-film CuIn1−xGaxSe2 solar cells
OPTICAL MATERIALS(2017)^سمانه شربتی*, 9312119005, ^علی اصغر اروجی
Controlled Kink Effect in a Novel High-Voltage LDMOS Transistor by Creating Local Minimum in Energy Band Diagram
IEEE Transactions on Electron Devices(2017)مهسا مهراد, میثم زارعی, ^علی اصغر اروجی*
The design and evaluation of a 100 kW grid connected solar photovoltaic power plant in Semnan city
Journal of Solar Energy Research(2017)9511119012, ^سمانه شربتی*, ^علی اصغر اروجی
A novel recessed gate MESFET by embedded dielectric packet
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2017)9311119009, ^علی اصغر اروجی*
New technique to extend the vertical depletion region at SOI-LDMOSFETs
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2017)9112119003, ^علی اصغر اروجی*, ^عباس دیدبان
A new DG nanoscale TFET based on MOSFETs by using source gate electrode: 2D simulation and an analytical potential model
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY(2017)9311107002, ^علی اصغر اروجی*
A novel double gate MOSFET by symmetrical insulator packets with improved short channel effects
INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2017)9311107002, ^علی اصغر اروجی*
Electro-thermal analysis of non-rectangular FinFET and modeling of fin shape effect on thermal resistance
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2017)9211107003, ^علی اصغر اروجی*
Amended Electric Field Distribution: A Reliable Technique for Electrical Performance Improvement in Nano scale SOI MOSFETs
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS(2017)9311107002, ^علی اصغر اروجی*
Checkerboard Plasma Electromagnetic Surface for Wideband and Wide-Angle Bistatic Radar Cross Section Reduction
IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE(2017)9411908002, ^مجید افصحی*, ^علی اصغر اروجی
Novel 4H-SiC MESFET with Modify the Depletion Region by Dual Well for High-Current Applications
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2016)^علی اصغر اروجی*, 9311119009, 9311107002
A New Nanoscale Fin Field Effect Transistor with Embedded Intrinsic Region for High Temperature Applications
Superlattices and Microstructures(2016)9211107003, ^علی اصغر اروجی*
Dual trench AlGaN/GaN HEMT on SiC substrate: A novel device to improve the breakdown voltage and high power performance
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2016)9311119011, ^علی اصغر اروجی*
A novel high-performance high-frequency SOI MESFET by the damped electric field
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2016)^علی اصغر اروجی, 9121107001, ^پرویز کشاورزی
Evidence for Enhanced Reliability in a Novel Nanoscale Partially-Depleted SOI MOSFET
IEEE transactions on device and materials reliability(2015)^علی اصغر اروجی
A SiGe on insulator MOSFET to improve the electrical performances: Amended channel band energy
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)^علی اصغر اروجی
High-voltage and low specific on-resistance power UMOSFET using P and N type columns
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
A novel LDMOS structure using P-trench for high performance applications
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)^علی اصغر اروجی, ^عباس دیدبان
A novel lateral diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) by attracting the electric field lines
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)^علی اصغر اروجی
Novel attributes of AlGaN/AlN/GaN/SiC HEMTs with the multiple indented channel
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)^علی اصغر اروجی
A novel nanoscale fin field effect transistor by amended channel: Investigation and fundamental physics
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)^علی اصغر اروجی
Operational improvement of AlGaN/GaN HEMT on SiC substrate with the amended depletion region
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)^علی اصغر اروجی
A novel fin field effect transistor by extra insulator layer for high performance nanoscale applications
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2015)^علی اصغر اروجی
A novel symmetrical 4H–SiC MESFET: an effective way to improve the breakdown voltage
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2015)^علی اصغر اروجی
Reconfigurable multiband extended U-slot antenna with switchable polarization for wireless applications
IEEE ANTENNAS AND PROPAGATION MAGAZINE(2015)^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
A novel nanoscale low-voltage SOI MOSFET with dual tunnel diode (DTD-SOI): Investigation and fundamental physics
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)^علی اصغر اروجی
A new technique in LDMOS transistors to improve the breakdown voltage and the lattice temperature
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)مهسا مهراد, ^علی اصغر اروجی
A novel symmetric GaN MESFET by dual extra layers of Si3N4
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)^علی اصغر اروجی, امیرحسین امین بیدختی
Enhanced Critical Electrical Characteristics in a Nanoscale Low-Voltage SOI MOSFET with Dual Tunnel Diode
IEEE Transactions on Electron Devices(2015)^علی اصغر اروجی
Solving the problem of forbidden states in Discrete Event Systems: A novel systematic method for reducing the number of control places
ASIAN JOURNAL OF CONTROL(2015)^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی
32nm high current performance double gate MOSFET for low power CMOS circuits
INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2015)^علی اصغر اروجی
Numerical simulation of lateral diffused metal oxide semiconductor field effect transistors: A novel technique for electric field control to improve breakdown voltage
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)^علی اصغر اروجی
design of reconfigurable active integrated microstrip antenna with switchable LNA/PA performances for WLAN and WiMAX applications
IET MICROWAVES ANTENNAS & PROPAGATION(2015)^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
A Novel MESFET structure by U-shape buried oxide for improving the DC and RF Characteristics
Superlattices and Microstructures(2015)^علی اصغر اروجی
High-performance SOI MESFET with modified depletion region using a triple recessed gate for RF applications
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)^علی اصغر اروجی, مرتضی رحیمیان
A novel SOI-MESFET structure with double protruded region for RF and high voltage applications
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)^علی اصغر اروجی
A novel high-performance SOI MESFET by stopping the depletion region extension
Superlattices and Microstructures(2014)^علی اصغر اروجی
A novel nanoscale SOI MOSFET with Si embedded layer as an effective heat sink
INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2014)^علی اصغر اروجی
Improving Self-Heating Effect and Maximum Power Density in SOI MESFETs by Using the Hole's Well Under Channel
IEEE Transactions on Electron Devices(2014)^علی اصغر اروجی
Simulation analysis of a novel dual-trench structure for a high power silicon-on-insulator metal-semicond0uctor field effect transistor
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2014)^علی اصغر اروجی
A novel slot antenna with reconfigurable meander-slot DGS for cognitive radio applications
APPLIED COMPUTATIONAL ELECTROMAGNETICS SOCIETY JOURNAL(2014)^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
Novel Indium Arsenide double gate and gate all around nanowire MOSFETs for diminishing the exchange correlation effect: A quantum study
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2014)^علی اصغر اروجی
Positive charges at buried oxide interface of RESURF: An anallytical model for the breakdown voltage
Superlattices and Microstructures(2014)^علی اصغر اروجی, مهسا مهراد
A novel SOI MESFET by reducing the electric field crowding for high voltage applications
Superlattices and Microstructures(2014)^علی اصغر اروجی
Accurate Analytical Drain Current Model for a Nanoscale Fully-Depleted SOI MOSFET
SOLID-STATE ELECTRONICS(2014)^علی اصغر اروجی
Novel reduced body charge technique in reliable nanoscale SOI MOSFETs for suppressing the kink effect
Superlattices and Microstructures(2014)^علی اصغر اروجی
A silicon-on-insulator metal–semiconductor field-effect transistor with an L-shaped buried oxide for high output-power density
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2014)^علی اصغر اروجی
A Simple Petri Net Controller by Solving Some Integer Linear Programming Problems
CONTROL ENGINEERING AND APPLIED INFORMATICS(2014)^عباس دیدبان, میثم زارعی, ^علی اصغر اروجی
A reflectarray based on the folded sir patch-slot configuration backed on FSS for low RCS
(2014)^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
The impact of high-k gate dielectric and FIBL on performance of nano DG-MOSFETs with underlapped source/drain region
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2014)مرتضی چرمی, حمید رضا مشایخی , ^علی اصغر اروجی
A novel SOI MESFET by л-shaped gate for improving the driving current
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2014)^علی اصغر اروجی
A novel double-recessed 4H-SiC MESFET using scattering the electric field for high power and RF applications
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2014)^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی
آشکارسازی و تعیین مکان متون فارسی - عربی در تصاویر ویدیویی
(2014)^سعید مظفری, ^علی اصغر اروجی
Safety analysis of Discrete Event Systems using a simplified Petri Net controller
ISA TRANSACTIONS(2014)^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی
Employing Gaussian Apodization Technique in Fiber Bragg Gratings: A Simulation Study
(2014)محمد مهدی شهیدی , ^علی اصغر اروجی, نسرین صالحی
A novel high voltage lateral double diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) device with a U-shaped buried oxide feature
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2013)^علی اصغر اروجی
A novel vertical stepped doping poly-Si TFT (VSD-TFT) for leakage current improvement
Superlattices and Microstructures(2013)^علی اصغر اروجی
A silicon/indium arsenide source structure to suppress the parasitic bipolar-induced breakdown effect in SOI MOSFETs
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2013)^علی اصغر اروجی
Voltage difference engineering in SOI MOSFETs: A novel side gate device with improved electrical performance
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2013)^علی اصغر اروجی
A novel double recessed gate 4H-SiC MESFET at drain side with partly undoped space region
(2013)^علی اصغر اروجی
Improvement of Electrical Properties in a Novel Partially Depleted SOI MOSFET With Emphasizing on the Hysteresis Effect
IEEE Transactions on Electron Devices(2013)^علی اصغر اروجی
Investigation of the Electrical and Thermal Performance of SOI MOSFETs with Modified Channel Engineering
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2013)^علی اصغر اروجی
A novel high frequency SOI MESFET by modified gate capacitances
Superlattices and Microstructures(2013)^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی, امیرحسین امین بیدختی
Improvement of self-heating effect in a novel nanoscale SOI MOSFET with undoped region: A comprehensive investigation on DC and AC operations
Superlattices and Microstructures(2013)^علی اصغر اروجی
A new design of dual-port active integrated antenna for 2.4/5.2 GHz WLAN applications
(2013)^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
: Simplification of a Petri Net Controller in Industrial Systems by Using an Optimization Algorithm
(2013)^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی
A new double-recessed 4H-SiC MESFET with superior RF characteristics
INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2013)^علی اصغر اروجی
Impact of Split Gate in a Novel SOI MOSFET (SPG SOI) for Reduction of Short-Channel Effects: Analytical Modeling and Simulation
(2013)^علی اصغر اروجی
Injected charges in partial SOI LDMOSFETs: A new technique for improving the breakdown voltage
Superlattices and Microstructures(2013)^علی اصغر اروجی
SOI MOSFET with an insulator region (IR-SOI): A novel device for reliable nanoscale CMOS circuits
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS(2013)^علی اصغر اروجی
A novel deep submicron SiGe-on-insulator (SGOI) MOSFET with modified channel band energy for electrical performance improvement
CURRENT APPLIED PHYSICS(2012)^علی اصغر اروجی
Design considerations of underlapped source/drain regions with the Gaussian doping profile in nano-double-gate MOSFETs: A quantum simulation
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2012)مرتضی چرمی, ^علی اصغر اروجی, حمیدرضا. مشایخی
High-Voltage and RF Performance of SOI MESFET Using Controlled Electric Field Distribution
IEEE Transactions on Electron Devices(2012)^علی اصغر اروجی
Design considerations of source and drain regions in nano double gate MOSFETs
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2012)^علی اصغر اروجی, حمیدرضا مشایخی, مرتضی چرمی
Recessed p-buffer layer SiC MESFET: A novel device for improving DC and RF characteristics
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2012)^علی اصغر اروجی, دکتر حسینی
Novel partially depleted SOI MOSFET for suppression floating-body effect: An embedded JFET structure
Superlattices and Microstructures(2012)^علی اصغر اروجی
New trench gate power MOSFET with high breakdown voltage and reduced on-resistance using a SiGe zone in drift region
CURRENT APPLIED PHYSICS(2012)^علی اصغر اروجی
A novel nanoscale MOSFET with modified buried layer for improving of AC performance and self-heating effect
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2012)^علی اصغر اروجی
Gain improvement and microwave operation of 4H-SiC MESFET with a new recessed metal ring structure
MICROELECTRONICS JOURNAL(2012)حسین الهی پناه, ^علی اصغر اروجی
A novel high-breakdown-voltage SOI MESFET by modified charge distribution
IEEE Transactions on Electron Devices(2012)^علی اصغر اروجی
Breakdown voltage improvement of LDMOSs by charge balacing:An inserted P-layer in trench oxide (IPT-LDMOS)
Superlattices and Microstructures(2012)^علی اصغر اروجی
Employing reduced surface field technique by a P-type region in 4H-SiC metal semiconductor field effect transistors for increasing breakdown voltage
INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES AND FIELDS(2012)^علی اصغر اروجی
The Best Control of Parasitic BJT Effect in SOI-LDMOS With SiGe Window Under Channel
IEEE Transactions on Electron Devices(2012)^علی اصغر اروجی
ِA novel double-recessed 4H-SiC MESFET with partly undoped space region
Superlattices and Microstructures(2011)^علی اصغر اروجی
A New Rounded Edge Fin Field Effect Transistor for Improving Self-Heating Effects
Japanese journal of applied physics(2011)^علی اصغر اروجی
A novel 4H-SiC MESFET with modified channel depletion region for high power and high frequency applications
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2011)^علی اصغر اروجی
A new nanoscale and high temperature field effect transistor: Bi level FinFET
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2011)^علی اصغر اروجی
A novel 4H-SiC SOI-MESFET with a modified breakdown voltage mechanism for improving the electrical performance
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY(2011)^علی اصغر اروجی, ^عباس دیدبان
Nanoscale SiGe-on-insulator (SGOI) MOSFET with graded doping channel for improving leakage current and hot-carrier degradation
Superlattices and Microstructures(2011)^علی اصغر اروجی
Investication of the novel attributes in double recessed gate SiC MESFETs at drain side
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY(2011)^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی
A novel partial SOI LDMOSFET with a trench and buried P layer for breakdown voltage improvement
Superlattices and Microstructures(2011)^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی
Dual material insulator SOI-LDMOSFET: A novel device for self-heating effect improvement
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2011)^علی اصغر اروجی
LDC-CNTFET: A carbon nanotube field effect transistor with linear doping profile channel
Superlattices and Microstructures(2011)^پرویز کشاورزی, ^علی اصغر اروجی
DC and RF Characteristics of SiC MESFETs with Different Channel Doping Concentrations under the gate
International review of Physics(2011)^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی
طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFETچند لایه ای برای بهبود اثرات خود گرمایی
مدل سازی در مهندسی(2010)^علی اصغر اروجی
Novel attributes and design considerations of source and drain regions in carbon nanotube transistor
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2009)^علی اصغر اروجی, 8611119001
A novel step-doping fully-depleted silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor for reliable deep sub-micron devices
Japanese journal of applied physics(2009)^علی اصغر اروجی
Double step buried oxide (DSBO) SOI_MOSFET : A proposed structure for improving self-heating effects
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2009)^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
A new partial-SOI LDMOSFET with modified electric field for breakdown voltage improvement
IEEE transactions on device and materials reliability(2009)^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
Novel attributes in the performance and scaling effects of carbon nanotube field-effect transistor with halo doping
Superlattices and Microstructures(2009)^علی اصغر اروجی
Quantom simulation study of a new carbon nanotube field-effect transistor with electrically induced source/drain extension
IEEE transactions on device and materials reliability(2009)^علی اصغر اروجی
Performance and design considerations of a novel dual-material gate carbon nanotube field-effect transistor: nonequilibrium green s function approach
Japanese journal of applied physics(2009)^علی اصغر اروجی
Detailed simulation study of a dual material gate carbon nanotube field-effect transistor
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2009)^علی اصغر اروجی
Impact of single halo implantation on the carbon nanotube field-effect transistor: A quantum simulation study
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2008)^علی اصغر اروجی
آنالیز مقایسه ای روش های بهبود اثرات کوچک سازی کانال در ترانزیستورهای SOI-MOSFET و ارائه یک تکنیک جدید
نشریه بین المللی علوم مهندسی دانشگاه علم و صنعت ایران(2008)^علی اصغر اروجی
Investigation of the Novel Attributes of a Carbon Nanotube FET with high-k Gate Dielectrics
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2008)^علی اصغر اروجی
A New Gate Induced Barrier Thin-Film Transistor (GIB-TFT) for Active Matrix Liquid Crystal Displays: Design and Performance Considerations
JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY(2006), ^علی اصغر اروجی
آنالیز و شبیه سازی مشخصات دیودهای کربید سیلسیم
(2006)^علی اصغر اروجی
طراحی وساخت یک مقاومت قابل کنترل با ولتاژبا رنج دینامیکی وسیع و اعوجاج کم
(2006), ^علی اصغر اروجی
Investigation of a New Modified Source/Drain for Diminished Self-Heating Effects in Nanoscale MOSFETs Using computer Simulation
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2006), ^علی اصغر اروجی
Leakage Current Reduction Techniques in Poly-Si TFTs for Active Matrix Liquid Crystal Displays: A Comprehensive Study
IEEE transactions on device and materials reliability(2006)^علی اصغر اروجی,
Nanoscale SOI MOSFETs with Electrically induced Source/Drain Extension: Novel Attributes and Design Considerations for Suppressed Short-Channel Effects
Superlattices and Microstructures(2006)^علی اصغر اروجی,
New dual–Material SG Nanoscale MOSFET: Analytical Threshold–Voltage Model
IEEE Transactions on Electron Devices(2006), ^علی اصغر اروجی,
A New Symmetrical Double Gate Nanoscale MOSFET with Asymmetrical Side Gates for Electrically Induced Source/Drain
MICROELECTRONIC ENGINEERING(2006)^علی اصغر اروجی,
The Simulation of a New Asymmetrical Double-Gate Poly-Si TFT with Modified Channel Conduction Mechanism for Highly Reduced Off-State Leakage Current
IEEE transactions on device and materials reliability(2005)^علی اصغر اروجی,
Shielded Channel Double-Gate MOSFET: A Novel Device for Reliable Nanoscale CMOS Applications
IEEE transactions on device and materials reliability(2005)^علی اصغر اروجی,
Two-Dimensional Analytical Threshold Voltage Model of Nanaoscale Fully Depleted SOI MOSFET with Electrically Induced S/D Extensions
IEEE Transactions on Electron Devices(2005), ^علی اصغر اروجی
مقابله با نویز حلقه زمین به کمک چک حالت مشترک
(1999)^علی اصغر اروجی
Leakage current reduction in nanoscale fully-depleted SOI MOSFETs with modified current mechanism
CURRENT APPLIED PHYSICS(0)^علی اصغر اروجی
Numerical Modeling of Nanoscale SOI-MESFET for the VLSI Applications
اولین کنفرانس بین المللی دستاوردهای نوین پژوهشی در مهندسی برق و کامپیوتر(2016-05-13)Hadi Shahnazari, ^علی اصغر اروجی
مشخصه یابی و بررسی اثر افزودن نقره بر حسگرهای گازی اکسید قلع
اولین کنفرانس بین المللی دستاوردهای نوین پژوهشی در مهندسی برق و کامپیوتر(2016-05-13)9312119004, سعیده رهبر پور, حسن غفور فرد, ^علی اصغر اروجی
افزایش ولتاژ شکست و کاهش مقاومت حالت روشن ترانزیستور SOI-LDMOS با استفاده از یک لایه فلز در لایه ی اکسید مدفون
اولین کنفرانس بین المللی دستاوردهای نوین پژوهشی در مهندسی برق و کامپیوتر(2016-05-13)9112119003, ^علی اصغر اروجی
ترانزیستور سیلیسیم روی عایق دو گیتی پله ای (SDG SOI): ساختاری نوین برای کاهش آثار کانال کوتاه
بیست و سومین کنفرانس مهندسی برق ایران(2015-05-10)^علی اصغر اروجی
بررسی ساز و کار شکست در گوشه های نوک تیز اتصالات P-N در ماسفت های کربید سیلیسیم و ارائه یک ساختار جدید برای افزایش ولتاژ شکست
کنفرانس فیزیک ایران 1393(2014-09-08)^علی اصغر اروجی
بهبود ولتاژ شکست افزاره های با قابلیت تحرک الکترونی بالا مبتنی بر گالیوم نیترید با بهینه سازی غلظت آلایش لایه p ایجاد شده در لایه حایل
کنفرانس فیزیک ایران 1393(2014-09-08)^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
طراحی یک ساختار جدید UMOSFET برای افزایش ولتاژشکست و کاهش مقاومت ویژه
کنفرانس فیزیک ایران 1393(2014-09-08)^علی اصغر اروجی
A novel reflectarray backed on FSS based on the folded SIR configuration for low RCS
8th European Conference on Antennas and Propagation(2014-04-06)^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
Microstip Antenna with a Reconfigurable Dumbbell-Shaped Defected Ground Plane for DCS-1800 and PCS-1900
IEEE International Symposium on Antennas and Propagation 2013(2013-07-07)^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
آنالیز و مقایسه تاثیر گیت پنج ماده ای بر اثرات نامطلوب کانال کوتاه در نانو ترانزیستورهای MOSFET-SOI
دومین همایش آموزشی فناوری نانو(2013-03-13)^علی اصغر اروجی
Investigation of multiple material gate impact on short channel effects and reliability of nanoscale SOI mosfets
WASET International Congress(2013-02-14)^علی اصغر اروجی
Designing an optimized controller in industrial system using some integer linear programming problems
نهمین کنفرانس بین المللی مهندسی صنایع(2013-01-20)^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی
A Simple Petri Net controller in Discrete Event Systems
14th INFAC Symposium on Information Control Problems in Manufacturing(2012-05-23)^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی, حسن اعلا
A Novel SiGe-on-Insulator (SGOI) MOSFET with Three Step Doping Channel for Reliability Improvement
International Conference on Enabling Science and Nanotechnology(ESciNano2012)(2012-01-05)^علی اصغر اروجی
Nanoscale SGOI MOSFET with Vertical Step Doping: A Novel Structure for Improving of Leakage Current
International Conference on Enabling Science and Nanotechnology(ESciNano2012)(2012-01-05)^علی اصغر اروجی
An Improved SOI MESFET with Triple-Recessed Drift Region for Electrical Performance Improvement
16th International Workshop on Physics of Semiconductor Devices(2011-12-19)^علی اصغر اروجی
High Breakdown SOI MESFET with Horizontal T Shaped Gate
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)^علی اصغر اروجی
Double Step Insulator Fin Field Effect Transistor
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)^علی اصغر اروجی
A Novel Structure for Leakage Current Improvement: A Triple Gate Poly Silicon Thin Film Transistor with Non Uniform Doping Channel
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)^علی اصغر اروجی
Nanoscale SiGe-on-Insulator (SGOI) MOSFET with Step High Doping Concentration for Leakage Current Reduction
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)^علی اصغر اروجی
Improved Breakdown Voltage of SOI MESFET with 4H-SiC Layer
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)^علی اصغر اروجی
A Novel SiGe-on-Insulator (SGOI) MOSFET for leakage Current Reduction: Garaded Single Halo Doping
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)^علی اصغر اروجی
Novel partially depleted SOI MOSFETs for reducing the floating-body effect
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)^علی اصغر اروجی
Improved Characteristics SOI MOSFETs with two new structures: Raised Buried Oxide and Recessed Buried Oxide
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)^علی اصغر اروجی
رهیافتی جدید در شبیه سازی عددی تورهای براگ فیبر نوری یکنواخت و مورب
پنجمین همایش ملی فیزیک دانشگاه پیام نور(2011-10-07)^علی اصغر اروجی
ارائه یک ساختار جدید از ترانزیستور FinFET به منظور کاربرد در دماهای بالا
کنفرانس فیزیک ایران 1390(2011-09-05)^علی اصغر اروجی
A novel power high electron mobility transistor with partial stepped recess in the drain access region for performance improvement
International Conference on Signal Processing, Communication, Computing & Networking Technologies, ICSCCN 2011, India(2011-07-21)^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
A novel A1GaN/GaN/A1GaN double-Heterojunction high electron mobility transistor for performance improvement
International Conference on Signal Processing, Communication, Computing & Networking Technologies, ICSCCN 2011, India(2011-07-21)^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
A novel double field-plate power high electron mobility transistor based on AlGaN/GaN for performance improvement
International Conference on Signal Processing, Communication, Computing & Networking Technologies, ICSCCN 2011, India(2011-07-21)^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
A novel step burried oxide partial SOI LDMOSFET with triple drift layer
International Conference on Signal Processing, Communication, Computing & Networking Technologies, ICSCCN 2011, India(2011-07-21)^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی, مریم ایرانیان پور حقیقی
DC and RF characteristics of SiC MESFETs with different channel doping concentrations under the gate
International Conference on Electronics, Computers and Artificial Intelligence, ECAI-2011, Romania(2011-06-30)^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی
A novel SiC MESFET with recessed P-Buffer layer
International Conference on Electronics, Computers and Artificial Intelligence, ECAI-2011, Romania(2011-06-30)^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی
A New Method for Improving Breakdown Voltage in PSOI MOSFETs Using Variable Drift Region Doping Concentration
IEEE International Conference on Computer Science and Automation Engineering (CSAE 2011)(2011-06-10)^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی
4H-SiC SOI-MESFET with a Step in Buried Oxide for Improving Electrical Performance
IEEE International Conference on Computer Science and Automation Engineering (CSAE 2011)(2011-06-10)^علی اصغر اروجی
Farsi/Arabic Text Extraction From Video Images
نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2011-05-17)^سعید مظفری, ^علی اصغر اروجی
Investigation of double recessed gate SiC MESFETs with different recessed lengths
نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2011-05-17)^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی
A novel GaAs MESFET with multi-recessed drift region and partly p-type doped space layer
2011 International Conference on Electronic Devices, Systems & Application (ICEDSA)(2011-04-25)^علی اصغر اروجی
A novel N-MOSFET with air gaps in gate insulator for deep submicron applications
2011 International Conference on Electronic Devices, Systems & Application (ICEDSA)(2011-04-25)^علی اصغر اروجی
Farsi/Arabic Text Extraction from Video Images by Corner Detection
ششمین کنفرانس ماشین بینایی و پردازش تصویر ایران(2010-10-27)^سعید مظفری, ^علی اصغر اروجی
Investigation of channel impurity impacts on carbon nanotube field effect transistors by self-consistent solution between poisson and schrodinger equa
12th WSEAS International conference on mathematical methods computational techniques in electrical engineering(2010-10-21)^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی
Comparative study of buried insulator materials in LDMOSFETs
IEEE R8 International conference on computational technologies in electrical and electronics engineering(2010-07-11)^علی اصغر اروجی, ^عباس دیدبان
A Novel SiC MESFET with Double Recessed Gate in Drain Side
International Symposium on Signals, Systems and Electronics(2010-06-27)^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی
آنالیزو شبیه سازی ترازیستورهای MOSFET در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق
هفتمین همایش دانشجویی فناوری نانو(2010-05-26)^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
ارائه و شبیه سازی روشهایی جدید برای کاهش اثرات کانال کوچک در ترانزیستورهای اثر میدانی نانو تیوب کربن
هفتمین همایش دانشجویی فناوری نانو(2010-05-26)^علی اصغر اروجی
یافته های نوین در رفتار ترانزیستورهای اثر میدان یونیزاسیون برخوردی
هجدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2010-05-11)^علی اصغر اروجی
ترانزیستور FinFET با لبه های مدور:ارائه یک ساختار جدید به منظور بهبود اثر خود گرمایی
هجدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2010-05-11)^علی اصغر اروجی
Three Independent Gate Fin Field Effect Transistor
International Conference on Nano Science & Technology(2010-02-17)^علی اصغر اروجی
A novel SOI MOSFET with buried alumina gate oxide
IEEE-RSM 2009(2009-08-10)^علی اصغر اروجی
بررسی اثر گام خاموشی سیگنال های پروب و کنترل در گیت های نوری بر پایه آینه حلقوی غیر خطی
نخستین همایش ملی مهندسی اپتیک و لیزر ایران(2009-05-20)^علی اصغر اروجی
Novel attributes on the performance of ultra scaled asymmetrical double gate SOI MOSFET: non-equilibrium green s function approach
هفدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2009-05-12)^علی اصغر اروجی
آنالیز و طراحی یک ساختار جدید برای ترانزیستورهای UTB-SOI-MOSFET جهت بهبود اثرات خودگرمایی
هفدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2009-05-12)^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
Nanoscale SOI MOSFETs with double step buried oxide:A novel structure for suppressed self-heating effects
2008 International conference on microelectronics(2008-12-14)^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
A novel partial SOI power device with step in buried oxide for improvement of breakdown voltage
2008 IEEE International conference on semiconductor electronics(ICSE2008)(2008-11-25)^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
Investigation of electrical characteristics of submicron silicon carbide MOSFETs
2nd International congress on nanoscience & Nanotechnology(2008-10-28)^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
Dual material gate oxide stack symmetric double gate MOSFET: Improving short channel effects of nanoscale double gate Mosfet
2008 internnational biennial electronics conference(2008-10-06)^علی اصغر اروجی
Nanoscale triple material double gate(TM-DG) MOSFET for improving short channel effects
International conference on advances in electronics and micro-electronics(2008-09-29)^علی اصغر اروجی
Improving short channel effects of sub-100nm double gate MOSFET having high-K material in oxide stack
The 14th International Symposium on the physics of semiconductor and applications(2008-08-26)^علی اصغر اروجی
A Novel thin–film Power MOSFETs with an Asymmetrical Buried Oxide Double Step Structure
6th ICEENG(2008-05-27)^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
6H-SiC lateral Power MOSFETs with an Asymmetrical Buried Oxide Double Step Structure
ICMMT 2008(2008-04-21)^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
آنالیز مقایسه ای مشخصات سیگنال کوچک نانو ترانزیستورهای اثر میدان فلز – اکسید – نیمه هادی کربید سیلیسیم ( SIC-MOSFET )
کنفرانس ملی مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد(2008-03-05)^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
اثر پاشندگی در قطبشی بر شکل پالس و عملکرد سیستم های مخابرات فیبرنوری
کنفرانس ملی مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد(2008-03-05)^علی اصغر اروجی
Charge Controlling in Nanoscale Shielded Channel DG-MOSFET: A Quantum Simulation
14th International workshop on the physics of semiconductor devices(2007-12-16)^علی اصغر اروجی, رحیم فائز
Two-Dimensional Quantum Simulation of Scaling Effects in Ultrathin Body MOSFET Structure: NEGF Approach
14th International workshop on the physics of semiconductor devices(2007-12-16)^علی اصغر اروجی, رحیم فائز
The Impact of High-K Gate Dielectrics on Carbon Nanotube Transistors
14th International workshop on the physics of semiconductor devices(2007-12-16)^علی اصغر اروجی
Full Quantum Mechanical Simulation of a Novel Nanoscale DG-MOSFET: 2D NEGF Approach
IEEE AFRICON 2007(2007-09-26)^علی اصغر اروجی, رحیم فائز
آنالیز و شبیه سازی انتقال کوانتومی در ترانزیستور اثر میدانی نانوتیوب کربن
دهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران(2007-09-04)^علی اصغر اروجی
آنالیز و شبیه سازی کاهش سد پتانسیل ناشی از افزایش ولتاژ درین در ترانزیستورهای اثر میدان فلز – نیمه هادی کربید سیلیسیم
دهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران(2007-09-04)^علی اصغر اروجی
Analytical Modeling of Nanoscale Dual Material Surrounding–Gate Fully Depleted SOI MOSFET
International Conference on MEMS and Semiconductor Nanotechnology(2005-12-01)^علی اصغر اروجی,
Performance Considerations of a Novel MOSFET Architecture: Symmetrical Double Gate with Electrically Induced Source/Drain
Thirteenth International workshop on the physics of semiconductor devices(2005-12-01)^علی اصغر اروجی,
Two-Dimensional Analytical Modelling of Nanoscale Electrically-Shallow Junction (EJ) Fully Depleted SOI MOSFET
ICM 2004 (IEEE)(2004-10-01), ^علی اصغر اروجی