علی اصغر اروجی

درباره من

دکتر علی اصغر اروجی
image

استاد گروه آموزشی الکترونیک @ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر

...

محقق گوگل

(1401/5/20)

استنادات

3478

h-index

31

i10-index

120

مؤلفین همکار

47

اسکوپوس

(1401/5/20)

استنادات

2848

مقالات

251

h-index

29

مؤلفین همکار

113

رزومه

تحصیلات، تجارت، مهارت ها و علایق من

تحصیلات

1371

کارشناسی ارشد

علم و صنعت ایران

1385

دکتری

انستیتو تکنولوژی هند-دهلی نو

1367

کارشناسی

علم و صنعت ایران

تجارب

1392-1399

مدیر گروه مهندسی الکترونیک

دانشگاه سمنان

1391-1392

مدیر گروه مهندسی الکترونیک و مهندسی پزشکی

دانشگاه سمنان

1386-1391

مدیر گروه الکترونیک و مخابرات

دانشگاه سمنان

مهارت ها

اولویت های پژوهشی

انتشارات

برخی از دستاورد های پژوهشی و فناوری
Ultra-fast Two-bit All-Optical Analog to Digital Convertor Based on Surface Plasmons and Kerr-Type Nonlinear Cavity
PLASMONICS(2021)
9811107002*, ^محمد دانائی, ^علی اصغر اروجی
Manipulating pattern periods via external bias for graphene-based THz Dual-Band absorber
MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS(2021)
9611107002, ^علی اصغر اروجی*
Efficient Sb2(S,Se)3/Zn(O,S) solar cells with high open-circuit voltage by controlling sulfur content in the absorber-buffer layers
SOLAR ENERGY(2021)
9811107007, ^علی اصغر اروجی*, دکتر سمانه شربتی
Energy Band Adjustment in a Reliable Novel Charge Plasma SiGe Source TFET to Intensify the BTBT Rate
IEEE Transactions on Electron Devices(2021)
دکتر محمد کاظم انوری فرد*, ^علی اصغر اروجی
β-Ga2O3 double gate junctionless FET with an efficient volume depletion region
PHYSICS LETTERS A(2021)
9711119041*, ^علی اصغر اروجی
Improving the efficiency of CIGS solar cells using an optimized p-type CZTSSe electron reflector layer
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS(2021)
9812119001, ^علی اصغر اروجی*, 9811107007
The Novel Structure to Enhancement Ion/Ioff Ratio Based on Field Effect Diode
IEEE transactions on device and materials reliability(2021)
9711119022*, ^علی اصغر اروجی, دکتر محمد سروش
Energy-Aware Routing Considering Load Balancing for SDN: A Minimum Graph-Based Ant Colony Optimization
CLUSTER COMPUTING-THE JOURNAL OF NETWORKS SOFTWARE TOOLS AND APPLICATIONS(2021)
9321107001, ^هادی سلطانی زاده*, ^علی اصغر اروجی
A novel deep gate power MOSFET in partial SOI technology for achieving high breakdown voltage and low lattice temperature
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2021)
9611119022, ^علی اصغر اروجی*
Suitable Top Cell Partners for Copper Indium Gallium Selenide-Based Tandem Solar Cells to Achieve >30% Efficiency
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE(2021)
9811107007, ^علی اصغر اروجی*, دکتر سمانه شربتی
Improvement the Breakdown Voltage and the On-resistance in the LDMOSFET: Double Buried Metal Layers Structure
Silicon(2021)
9622107001, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی
Analytical Model for Two‑Dimensional Electron Gas Charge Density in Recessed‑Gate GaN High‑Electron‑Mobility Transistors
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS(2021)
سمانه شربتی*, 9811107007, Thomas Ebel, ^علی اصغر اروجی, Wulf‑Toke Franke
Investigation of 4H-SiC gate-all-around cylindrical nanowire junctionless MOSFET including negative capacitance and quantum confinements
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL PLUS(2021)
9711119041, ^علی اصغر اروجی*
Effect of the junction barrier on current–voltage distortions in the Sb2Se3/Zn(O,S) solar cells
OPTICAL MATERIALS(2021)
9811107007, ^علی اصغر اروجی*, سمانه شربتی
Reducing the Drain Leakage Current in a Double-Gate Junctionless MOSFET Using the Electron Screening Effect
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS(2021)
9711107001, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی
Modeling of GaAsxP1-x/CIGS tandem solar cells under stress conditions
Superlattices and Microstructures(2021)
9811107007, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی
A Novel SOI MESFET by Implanted N Layer (INL-SOI) for High Performance Applications
Journal of Modeling & Simulation in Electrical & Electronics Engineering (MSEEE)(2021)
9111119010, ^علی اصغر اروجی*
Anode resistance reduction of dye-sensitized solar cells using graphene for efficiency improvement
OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS(2021)
علی فتاح, ^عبدالله عباسی*, 9711107001, ^علی اصغر اروجی
بهبود عملکرد دیوداثرمیدانی به منظور کاربرد درتکنولوژی نانو
مهندسی برق و الکترونیک ایران(2021)
9711107003, ^علی اصغر اروجی, سمانه شربتی*
ICI and BEP analysis of hyperbolic FRFT based systems for satellite internet of things
TELECOMMUNICATION SYSTEMS(2021)
9221907002, ^علی شهزادی*, ^علی اصغر اروجی
Improvement of Nanoscale SOI MOSFET Heating Effects by Vertical Gaussian Drain-Source Doping Region
Silicon(2021)
9711119041, ^علی اصغر اروجی*, ^عبدالله عباسی
Scattering mechanisms in β-Ga2O3 junctionless SOI MOSFET: Investigation of electron mobility and short channel effects
Materials Today Communications(2021)
9711119041, ^علی اصغر اروجی*
A β-Ga₂O₃ MESFET to Amend the Carrier Distribution by Using a Tunnel Diode
IEEE transactions on device and materials reliability(2021)
9711119041*, ^علی اصغر اروجی
Dual-band terahertz absorber based on graphene periodic arrays of disks and ribbons: circuit model approach
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2021)
9611107002, ^علی اصغر اروجی*
Investigation of tied double gate 4H–SiC junctionless FET in 7 nm channel length with a symmetrical dual p+ layer
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2021)
9711119041, ^علی اصغر اروجی*
Highly tunable multi‐band THz absorber with circuit model representation using multi‐bias scheme
INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES AND FIELDS(2020)
9611107002, ^علی اصغر اروجی*
A Silicon on Nothing LDMOS with Two Air Pillars in Gate Insulator for Power Applications
Silicon(2020)
9111119016, ^علی اصغر اروجی, Zeinab Ramezani, & I. S. Amiri*
Efficiency Improvement of graphene/silicon Schottky junction solar cell using diffraction gratings
OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS(2020)
علی فتاح, 9711107001, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی
Using energy band engineering to improve heterojunction solar cellsefficiency
OPTIK(2020)
9622107001, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی
Towards high efficiency Cd-Free Sb2Se3 solar cells by the band alignment optimization
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS(2020)
9811107007, ^علی اصغر اروجی*, سمانه شربتی
Design of CuIn1−yGaySe2/Si1−xGex Tandem solar cells with controlled current matching
IET OPTOELECTRONICS(2020)
9811107007, ^سمانه شربتی*, ^علی اصغر اروجی
An AlGaN/GaN HEMT by a reversed pyramidal channel layer: Investigation and fundamental physics
INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES AND FIELDS(2020)
9411119008, ^علی اصغر اروجی*
A simulation study of Junctionless Double-Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Symmetrical Side Gates
Silicon(2020)
9711107001, ^عبدالله عباسی*, ^علی اصغر اروجی
New high-voltage and high-speed β-Ga2O3 MESFET with amended electric field distribution by an insulator layer
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL PLUS(2020)
9711119041, ^علی اصغر اروجی*
A multi-reconfigurable CLL-loaded planar monopole antenna
RADIOENGINEERING(2020)
محمد مهدی فخاریان*, ^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
Circuit modeling of ultra‐broadband terahertz absorber based on graphene array periodic disks
INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES AND FIELDS(2020)
9611107002, ^علی اصغر اروجی*
Short-Term Person Re-Identification Using RGB, Depth and Skeleton Information of RGB-D Sensors
IRANIAN JOURNAL OF SCIENCE AND TECHNOLOGY- TRANSACTIONS OF ELECTRICAL ENGINEERING(2020)
9221907001, ^هادی سلطانی زاده*, ^علی اصغر اروجی
Tensor-based Sparse Canonical Correlation Analysis via Low Rank Matrix Approximation for RGB-D Long-term Person Re-identification
MULTIMEDIA TOOLS AND APPLICATIONS(2020)
9221907001, ^هادی سلطانی زاده*, ^علی اصغر اروجی
Alternative buffer layers in Sb2Se3 thin‐film solar cells to reduce open‐circuit voltage offset
SOLAR ENERGY(2020)
9811107007, ^علی اصغر اروجی*, ^سمانه شربتی
Novel, straightforward procedure to design square loop frequency selective surfaces based on equivalent circuit model
AEU-INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS(2020)
9211106001, ^مجید افصحی*, ^علی اصغر اروجی
ICI analysis of hyperbolic FRFT-FBMC based on optimal order of transform for Internet of Things applications
IET COMMUNICATIONS(2020)
9221907002, ^علی شهزادی*, ^علی اصغر اروجی
Reconfigurable multi-band, graphene-based THz absorber: Circuit model approach
Results in Physics(2020)
9611107002, ^علی اصغر اروجی*
Investigation of Short Channel Effects in SOI MOSFET with 20 nm Channel Length by a β-Ga2O3 Layer
ECS Journal of Solid State Science and Technology(2020)
9711119041*, ^علی اصغر اروجی
Compact Modeling of Fin-LDMOS Transistor Based on the Surface Potential
Silicon(2020)
9211107001, ^علی اصغر اروجی*
Multidimensional Sparse representation for Multishot Person Reidentification
IEEE Sensors Letters(2019)
9221907001, ^هادی سلطانی زاده*, ^علی اصغر اروجی
Performance Improvement of SiGe Based Silicon-On-Insulator Transistor Using Vertically Graded Channel Approach
Silicon(2019)
9411119009, ^علی اصغر اروجی*, دکتر محمد کاظم انوری فرد
Enhancement of a Nanoscale Novel Esaki Tunneling Diode Source TFET (ETDS-TFET) for Low-Voltage Operations
Silicon(2019)
محمد کاظم انوری فرد*, ^علی اصغر اروجی
A Nano junctionless Double-Gate MOSFET by Using the Charge Plasma Concept to Improve Short-Channel Effects and Frequency Characteristics
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS(2019)
زینب رمضانی, ^علی اصغر اروجی, سید امیر قریشی, دکتر امیری*
Triangle and Aperiodic Metasurfaces for Bistatic Backscattering Engineering
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS(2019)
9411908002*, ^مجید افصحی, ^علی اصغر اروجی, Prof. T. A. Denidni
An AlGaN/GaN HEMT by the periodic pits in the buffer layer
PHYSICA SCRIPTA(2019)
9411119008, ^علی اصغر اروجی*
Designing of AlxGa1-xAs/CIGS tandem solar cell by analytical model
SOLAR ENERGY(2019)
^سمانه شربتی*, 9511119012, ^علی اصغر اروجی
A nano scale triple-gate transistors to suppress the aggregated body holes
Silicon(2019)
9411119001, ^علی اصغر اروجی*, 9311107002
New symmetric and planar designs of reversible full-adders/subtractors in quantum-dot cellular automata
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL D(2019)
9311119010, ^علی اصغر اروجی*
Multifunctional Transparent Electromagnetic Surface Based on Solar Cell for Backscattering Reduction
IEEE TRANSACTIONS ON ANTENNAS AND PROPAGATION(2019)
9411908002*, دکترمحمد اکبری, ^مجید افصحی, ^علی اصغر اروجی, دکترسیبک, دکتر دنیدنی
Hyperbolic FRFT-FBMC for 5G signals
IET COMMUNICATIONS(2019)
9221907002, ^علی شهزادی*, ^علی اصغر اروجی
Novel synthesis formulas to design square patch frequency selective surface absorber based on equivalent circuit model
INTERNATIONAL JOURNAL OF RF AND MICROWAVE COMPUTER-AIDED ENGINEERING(2019)
9211106001, ^مجید افصحی*, ^علی اصغر اروجی
Design of all-optical XOR and XNOR logic gates based on Fano resonance in plasmonic ring resonators
OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS(2019)
9611107003, ^محمد دانائی*, ^علی اصغر اروجی
High-blocking-voltage UMOSFETs with reformed electric field distribution
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2018)
9412119011, ^علی اصغر اروجی*
Design and analysis of an optical full-adder based on nonlinear photonic crystal ring resonators
OPTIK(2018)
9611107003, ^محمد دانائی*, ^علی اصغر اروجی
An Optimized Checkerboard Structure for Cross-Section Reduction: Producing a Coating Surface for Bistatic Radar Using the Equivalent Electric Circuit Model
IEEE ANTENNAS AND PROPAGATION MAGAZINE(2018)
9411908002, ^مجید افصحی*, ^علی اصغر اروجی
ترانزیستور ماسفت سه‌گیتی با استفاده از دیود تونل‌زنی سیلیسیم-ژرمانیم برای بهبود اثر بدنه شناور
مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز(2018)
9411119001, ^علی اصغر اروجی*, 9311107002
A Novel SOI MESFET to Improve the Equipotential Contour Distributions by Using an Oxide Barrier
Silicon(2018)
9411119016, ^علی اصغر اروجی*, 9311107002
A novel nanoscale SOI MOSFET by embedding undoped region for improving self-heating effect
Superlattices and Microstructures(2018)
مجید غفاری, ^علی اصغر اروجی*
Potential efficiency improvement of Cu (In, Ga) Se2 thin-film solar cells by the window layer optimization
THIN SOLID FILMS(2018)
9511119012, ^سمانه شربتی*, ^علی اصغر اروجی
Analysis and modeling of unipolar junction transistor with excellent performance: a novel DG MOSFET with N+−P− junction
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2018)
9311107002, ^علی اصغر اروجی*
The effect of sharp-corner emendation of irregular FinFETs on electrothermal characteristics
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2018)
9211107003, ^علی اصغر اروجی*
Proper Electrostatic Modulation of Electric Field in a Reliable Nano-SOI With a Developed Channel
IEEE Transactions on Electron Devices(2018)
محمد کاظم انوری فرد*, ^علی اصغر اروجی
A novel high performance LDMOS transistor with high channel density
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2018)
9211107001, ^علی اصغر اروجی*
Modelling the spice parameters of SOI MOSFET using a combinational algorithm
CLUSTER COMPUTING-THE JOURNAL OF NETWORKS SOFTWARE TOOLS AND APPLICATIONS(2018)
9311119010, ^علی اصغر اروجی*, 9311107002, Mohamed Elhoseny, Ahmad Farouk, N. Arun Kumar
Dual metal gate tunneling field effect transistors based on MOSFETs: A 2-D analytical approach
Superlattices and Microstructures(2018)
9311107002, ^علی اصغر اروجی*
A novel 4H-SiC MESFET by lateral insulator region to improve the DC and RF characteristics
INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2018)
9311119009, ^علی اصغر اروجی*
Multi-constraint QoS routing using a customized lightweight evolutionary strategy
SOFT COMPUTING(2018)
9321107001, ^هادی سلطانی زاده*, ^علی اصغر اروجی
Triple tooth AlGaN/GaN HEMT on SiC substrate: A novel structure for high-power applications
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY(2017)
مجید غفاری, ^علی اصغر اروجی*, مجتبی ولی نتاج
Stopping electric field extension in a modified nanostructure based on SOI technology - A comprehensive numerical study
Superlattices and Microstructures(2017)
محمد کاظم انوری فرد*, ^علی اصغر اروجی
Proposed suitable electron reflector layer materials for thin-film CuIn1−xGaxSe2 solar cells
OPTICAL MATERIALS(2017)
^سمانه شربتی*, 9312119005, ^علی اصغر اروجی
Controlled Kink Effect in a Novel High-Voltage LDMOS Transistor by Creating Local Minimum in Energy Band Diagram
IEEE Transactions on Electron Devices(2017)
مهسا مهراد, میثم زارعی, ^علی اصغر اروجی*
The design and evaluation of a 100 kW grid connected solar photovoltaic power plant in Semnan city
Journal of Solar Energy Research(2017)
9511119012, ^سمانه شربتی*, ^علی اصغر اروجی
A novel recessed gate MESFET by embedded dielectric packet
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2017)
9311119009, ^علی اصغر اروجی*
New technique to extend the vertical depletion region at SOI-LDMOSFETs
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2017)
9112119003, ^علی اصغر اروجی*, ^عباس دیدبان
A new DG nanoscale TFET based on MOSFETs by using source gate electrode: 2D simulation and an analytical potential model
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY(2017)
9311107002, ^علی اصغر اروجی*
A novel double gate MOSFET by symmetrical insulator packets with improved short channel effects
INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2017)
9311107002, ^علی اصغر اروجی*
Electro-thermal analysis of non-rectangular FinFET and modeling of fin shape effect on thermal resistance
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2017)
9211107003, ^علی اصغر اروجی*
Amended Electric Field Distribution: A Reliable Technique for Electrical Performance Improvement in Nano scale SOI MOSFETs
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS(2017)
9311107002, ^علی اصغر اروجی*
Checkerboard Plasma Electromagnetic Surface for Wideband and Wide-Angle Bistatic Radar Cross Section Reduction
IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE(2017)
9411908002, ^مجید افصحی*, ^علی اصغر اروجی
Novel 4H-SiC MESFET with Modify the Depletion Region by Dual Well for High-Current Applications
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2016)
^علی اصغر اروجی*, 9311119009, 9311107002
A New Nanoscale Fin Field Effect Transistor with Embedded Intrinsic Region for High Temperature Applications
Superlattices and Microstructures(2016)
9211107003, ^علی اصغر اروجی*
Dual trench AlGaN/GaN HEMT on SiC substrate: A novel device to improve the breakdown voltage and high power performance
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2016)
9311119011, ^علی اصغر اروجی*
A novel high-performance high-frequency SOI MESFET by the damped electric field
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2016)
^علی اصغر اروجی, 9121107001, ^پرویز کشاورزی
Evidence for Enhanced Reliability in a Novel Nanoscale Partially-Depleted SOI MOSFET
IEEE transactions on device and materials reliability(2015)
^علی اصغر اروجی
A SiGe on insulator MOSFET to improve the electrical performances: Amended channel band energy
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی
High-voltage and low specific on-resistance power UMOSFET using P and N type columns
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
A novel LDMOS structure using P-trench for high performance applications
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی, ^عباس دیدبان
A novel lateral diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) by attracting the electric field lines
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی
Novel attributes of AlGaN/AlN/GaN/SiC HEMTs with the multiple indented channel
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی
A novel nanoscale fin field effect transistor by amended channel: Investigation and fundamental physics
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی
Operational improvement of AlGaN/GaN HEMT on SiC substrate with the amended depletion region
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی
A novel fin field effect transistor by extra insulator layer for high performance nanoscale applications
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2015)
^علی اصغر اروجی
A novel symmetrical 4H–SiC MESFET: an effective way to improve the breakdown voltage
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2015)
^علی اصغر اروجی
Reconfigurable multiband extended U-slot antenna with switchable polarization for wireless applications
IEEE ANTENNAS AND PROPAGATION MAGAZINE(2015)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
A novel nanoscale low-voltage SOI MOSFET with dual tunnel diode (DTD-SOI): Investigation and fundamental physics
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی
A new technique in LDMOS transistors to improve the breakdown voltage and the lattice temperature
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
مهسا مهراد, ^علی اصغر اروجی
A novel symmetric GaN MESFET by dual extra layers of Si3N4
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^علی اصغر اروجی, امیرحسین امین بیدختی
Enhanced Critical Electrical Characteristics in a Nanoscale Low-Voltage SOI MOSFET with Dual Tunnel Diode
IEEE Transactions on Electron Devices(2015)
^علی اصغر اروجی
Solving the problem of forbidden states in Discrete Event Systems: A novel systematic method for reducing the number of control places
ASIAN JOURNAL OF CONTROL(2015)
^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی
32nm high current performance double gate MOSFET for low power CMOS circuits
INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2015)
^علی اصغر اروجی
Numerical simulation of lateral diffused metal oxide semiconductor field effect transistors: A novel technique for electric field control to improve breakdown voltage
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی
design of reconfigurable active integrated microstrip antenna with switchable LNA/PA performances for WLAN and WiMAX applications
IET MICROWAVES ANTENNAS & PROPAGATION(2015)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
A Novel MESFET structure by U-shape buried oxide for improving the DC and RF Characteristics
Superlattices and Microstructures(2015)
^علی اصغر اروجی
High-performance SOI MESFET with modified depletion region using a triple recessed gate for RF applications
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی, مرتضی رحیمیان
A novel SOI-MESFET structure with double protruded region for RF and high voltage applications
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2015)
^علی اصغر اروجی
A novel high-performance SOI MESFET by stopping the depletion region extension
Superlattices and Microstructures(2014)
^علی اصغر اروجی
A novel nanoscale SOI MOSFET with Si embedded layer as an effective heat sink
INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2014)
^علی اصغر اروجی
Improving Self-Heating Effect and Maximum Power Density in SOI MESFETs by Using the Hole's Well Under Channel
IEEE Transactions on Electron Devices(2014)
^علی اصغر اروجی
Simulation analysis of a novel dual-trench structure for a high power silicon-on-insulator metal-semicond0uctor field effect transistor
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2014)
^علی اصغر اروجی
A novel slot antenna with reconfigurable meander-slot DGS for cognitive radio applications
APPLIED COMPUTATIONAL ELECTROMAGNETICS SOCIETY JOURNAL(2014)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
Novel Indium Arsenide double gate and gate all around nanowire MOSFETs for diminishing the exchange correlation effect: A quantum study
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2014)
^علی اصغر اروجی
Positive charges at buried oxide interface of RESURF: An anallytical model for the breakdown voltage
Superlattices and Microstructures(2014)
^علی اصغر اروجی, مهسا مهراد
A novel SOI MESFET by reducing the electric field crowding for high voltage applications
Superlattices and Microstructures(2014)
^علی اصغر اروجی
Accurate Analytical Drain Current Model for a Nanoscale Fully-Depleted SOI MOSFET
SOLID-STATE ELECTRONICS(2014)
^علی اصغر اروجی
Novel reduced body charge technique in reliable nanoscale SOI MOSFETs for suppressing the kink effect
Superlattices and Microstructures(2014)
^علی اصغر اروجی
A silicon-on-insulator metal–semiconductor field-effect transistor with an L-shaped buried oxide for high output-power density
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2014)
^علی اصغر اروجی
A Simple Petri Net Controller by Solving Some Integer Linear Programming Problems
CONTROL ENGINEERING AND APPLIED INFORMATICS(2014)
^عباس دیدبان, میثم زارعی, ^علی اصغر اروجی
A reflectarray based on the folded sir patch-slot configuration backed on FSS for low RCS
(2014)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
The impact of high-k gate dielectric and FIBL on performance of nano DG-MOSFETs with underlapped source/drain region
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2014)
مرتضی چرمی, حمید رضا مشایخی , ^علی اصغر اروجی
A novel SOI MESFET by л-shaped gate for improving the driving current
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2014)
^علی اصغر اروجی
A novel double-recessed 4H-SiC MESFET using scattering the electric field for high power and RF applications
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2014)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی
آشکارسازی و تعیین مکان متون فارسی - عربی در تصاویر ویدیویی
(2014)
^سعید مظفری, ^علی اصغر اروجی
Safety analysis of Discrete Event Systems using a simplified Petri Net controller
ISA TRANSACTIONS(2014)
^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی
Employing Gaussian Apodization Technique in Fiber Bragg Gratings: A Simulation Study
(2014)
محمد مهدی شهیدی , ^علی اصغر اروجی, نسرین صالحی
A novel high voltage lateral double diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) device with a U-shaped buried oxide feature
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2013)
^علی اصغر اروجی
A novel vertical stepped doping poly-Si TFT (VSD-TFT) for leakage current improvement
Superlattices and Microstructures(2013)
^علی اصغر اروجی
A silicon/indium arsenide source structure to suppress the parasitic bipolar-induced breakdown effect in SOI MOSFETs
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2013)
^علی اصغر اروجی
Voltage difference engineering in SOI MOSFETs: A novel side gate device with improved electrical performance
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2013)
^علی اصغر اروجی
A novel double recessed gate 4H-SiC MESFET at drain side with partly undoped space region
(2013)
^علی اصغر اروجی
Improvement of Electrical Properties in a Novel Partially Depleted SOI MOSFET With Emphasizing on the Hysteresis Effect
IEEE Transactions on Electron Devices(2013)
^علی اصغر اروجی
Investigation of the Electrical and Thermal Performance of SOI MOSFETs with Modified Channel Engineering
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2013)
^علی اصغر اروجی
A novel high frequency SOI MESFET by modified gate capacitances
Superlattices and Microstructures(2013)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی, امیرحسین امین بیدختی
Improvement of self-heating effect in a novel nanoscale SOI MOSFET with undoped region: A comprehensive investigation on DC and AC operations
Superlattices and Microstructures(2013)
^علی اصغر اروجی
A new design of dual-port active integrated antenna for 2.4/5.2 GHz WLAN applications
(2013)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
: Simplification of a Petri Net Controller in Industrial Systems by Using an Optimization Algorithm
(2013)
^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی
A new double-recessed 4H-SiC MESFET with superior RF characteristics
INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS(2013)
^علی اصغر اروجی
Impact of Split Gate in a Novel SOI MOSFET (SPG SOI) for Reduction of Short-Channel Effects: Analytical Modeling and Simulation
(2013)
^علی اصغر اروجی
Injected charges in partial SOI LDMOSFETs: A new technique for improving the breakdown voltage
Superlattices and Microstructures(2013)
^علی اصغر اروجی
SOI MOSFET with an insulator region (IR-SOI): A novel device for reliable nanoscale CMOS circuits
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS(2013)
^علی اصغر اروجی
A novel deep submicron SiGe-on-insulator (SGOI) MOSFET with modified channel band energy for electrical performance improvement
CURRENT APPLIED PHYSICS(2012)
^علی اصغر اروجی
Design considerations of underlapped source/drain regions with the Gaussian doping profile in nano-double-gate MOSFETs: A quantum simulation
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2012)
مرتضی چرمی, ^علی اصغر اروجی, حمیدرضا. مشایخی
High-Voltage and RF Performance of SOI MESFET Using Controlled Electric Field Distribution
IEEE Transactions on Electron Devices(2012)
^علی اصغر اروجی
Design considerations of source and drain regions in nano double gate MOSFETs
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2012)
^علی اصغر اروجی, حمیدرضا مشایخی, مرتضی چرمی
Recessed p-buffer layer SiC MESFET: A novel device for improving DC and RF characteristics
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2012)
^علی اصغر اروجی, دکتر حسینی
Novel partially depleted SOI MOSFET for suppression floating-body effect: An embedded JFET structure
Superlattices and Microstructures(2012)
^علی اصغر اروجی
New trench gate power MOSFET with high breakdown voltage and reduced on-resistance using a SiGe zone in drift region
CURRENT APPLIED PHYSICS(2012)
^علی اصغر اروجی
A novel nanoscale MOSFET with modified buried layer for improving of AC performance and self-heating effect
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2012)
^علی اصغر اروجی
Gain improvement and microwave operation of 4H-SiC MESFET with a new recessed metal ring structure
MICROELECTRONICS JOURNAL(2012)
حسین الهی پناه, ^علی اصغر اروجی
A novel high-breakdown-voltage SOI MESFET by modified charge distribution
IEEE Transactions on Electron Devices(2012)
^علی اصغر اروجی
Breakdown voltage improvement of LDMOSs by charge balacing:An inserted P-layer in trench oxide (IPT-LDMOS)
Superlattices and Microstructures(2012)
^علی اصغر اروجی
Employing reduced surface field technique by a P-type region in 4H-SiC metal semiconductor field effect transistors for increasing breakdown voltage
INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES AND FIELDS(2012)
^علی اصغر اروجی
The Best Control of Parasitic BJT Effect in SOI-LDMOS With SiGe Window Under Channel
IEEE Transactions on Electron Devices(2012)
^علی اصغر اروجی
ِA novel double-recessed 4H-SiC MESFET with partly undoped space region
Superlattices and Microstructures(2011)
^علی اصغر اروجی
A New Rounded Edge Fin Field Effect Transistor for Improving Self-Heating Effects
Japanese journal of applied physics(2011)
^علی اصغر اروجی
A novel 4H-SiC MESFET with modified channel depletion region for high power and high frequency applications
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2011)
^علی اصغر اروجی
A new nanoscale and high temperature field effect transistor: Bi level FinFET
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2011)
^علی اصغر اروجی
A novel 4H-SiC SOI-MESFET with a modified breakdown voltage mechanism for improving the electrical performance
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY(2011)
^علی اصغر اروجی, ^عباس دیدبان
Nanoscale SiGe-on-insulator (SGOI) MOSFET with graded doping channel for improving leakage current and hot-carrier degradation
Superlattices and Microstructures(2011)
^علی اصغر اروجی
Investication of the novel attributes in double recessed gate SiC MESFETs at drain side
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY(2011)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی
A novel partial SOI LDMOSFET with a trench and buried P layer for breakdown voltage improvement
Superlattices and Microstructures(2011)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی
Dual material insulator SOI-LDMOSFET: A novel device for self-heating effect improvement
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2011)
^علی اصغر اروجی
LDC-CNTFET: A carbon nanotube field effect transistor with linear doping profile channel
Superlattices and Microstructures(2011)
^پرویز کشاورزی, ^علی اصغر اروجی
DC and RF Characteristics of SiC MESFETs with Different Channel Doping Concentrations under the gate
International review of Physics(2011)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی
طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFETچند لایه ای برای بهبود اثرات خود گرمایی
مدل سازی در مهندسی(2010)
^علی اصغر اروجی
Novel attributes and design considerations of source and drain regions in carbon nanotube transistor
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2009)
^علی اصغر اروجی, 8611119001
A novel step-doping fully-depleted silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor for reliable deep sub-micron devices
Japanese journal of applied physics(2009)
^علی اصغر اروجی
Double step buried oxide (DSBO) SOI_MOSFET : A proposed structure for improving self-heating effects
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2009)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
A new partial-SOI LDMOSFET with modified electric field for breakdown voltage improvement
IEEE transactions on device and materials reliability(2009)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
Novel attributes in the performance and scaling effects of carbon nanotube field-effect transistor with halo doping
Superlattices and Microstructures(2009)
^علی اصغر اروجی
Quantom simulation study of a new carbon nanotube field-effect transistor with electrically induced source/drain extension
IEEE transactions on device and materials reliability(2009)
^علی اصغر اروجی
Performance and design considerations of a novel dual-material gate carbon nanotube field-effect transistor: nonequilibrium green s function approach
Japanese journal of applied physics(2009)
^علی اصغر اروجی
Detailed simulation study of a dual material gate carbon nanotube field-effect transistor
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2009)
^علی اصغر اروجی
Impact of single halo implantation on the carbon nanotube field-effect transistor: A quantum simulation study
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2008)
^علی اصغر اروجی
آنالیز مقایسه ای روش های بهبود اثرات کوچک سازی کانال در ترانزیستورهای SOI-MOSFET و ارائه یک تکنیک جدید
نشریه بین المللی علوم مهندسی دانشگاه علم و صنعت ایران(2008)
^علی اصغر اروجی
Investigation of the Novel Attributes of a Carbon Nanotube FET with high-k Gate Dielectrics
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2008)
^علی اصغر اروجی
A New Gate Induced Barrier Thin-Film Transistor (GIB-TFT) for Active Matrix Liquid Crystal Displays: Design and Performance Considerations
JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY(2006)
, ^علی اصغر اروجی
آنالیز و شبیه سازی مشخصات دیودهای کربید سیلسیم
(2006)
^علی اصغر اروجی
طراحی وساخت یک مقاومت قابل کنترل با ولتاژبا رنج دینامیکی وسیع و اعوجاج کم
(2006)
, ^علی اصغر اروجی
Investigation of a New Modified Source/Drain for Diminished Self-Heating Effects in Nanoscale MOSFETs Using computer Simulation
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2006)
, ^علی اصغر اروجی
Leakage Current Reduction Techniques in Poly-Si TFTs for Active Matrix Liquid Crystal Displays: A Comprehensive Study
IEEE transactions on device and materials reliability(2006)
^علی اصغر اروجی,
Nanoscale SOI MOSFETs with Electrically induced Source/Drain Extension: Novel Attributes and Design Considerations for Suppressed Short-Channel Effects
Superlattices and Microstructures(2006)
^علی اصغر اروجی,
New dual–Material SG Nanoscale MOSFET: Analytical Threshold–Voltage Model
IEEE Transactions on Electron Devices(2006)
, ^علی اصغر اروجی,
A New Symmetrical Double Gate Nanoscale MOSFET with Asymmetrical Side Gates for Electrically Induced Source/Drain
MICROELECTRONIC ENGINEERING(2006)
^علی اصغر اروجی,
The Simulation of a New Asymmetrical Double-Gate Poly-Si TFT with Modified Channel Conduction Mechanism for Highly Reduced Off-State Leakage Current
IEEE transactions on device and materials reliability(2005)
^علی اصغر اروجی,
Shielded Channel Double-Gate MOSFET: A Novel Device for Reliable Nanoscale CMOS Applications
IEEE transactions on device and materials reliability(2005)
^علی اصغر اروجی,
Two-Dimensional Analytical Threshold Voltage Model of Nanaoscale Fully Depleted SOI MOSFET with Electrically Induced S/D Extensions
IEEE Transactions on Electron Devices(2005)
, ^علی اصغر اروجی
مقابله با نویز حلقه زمین به کمک چک حالت مشترک
(1999)
^علی اصغر اروجی
Leakage current reduction in nanoscale fully-depleted SOI MOSFETs with modified current mechanism
CURRENT APPLIED PHYSICS(0)
^علی اصغر اروجی
Numerical Modeling of Nanoscale SOI-MESFET for the VLSI Applications
اولین کنفرانس بین المللی دستاوردهای نوین پژوهشی در مهندسی برق و کامپیوتر(2016-05-13)
Hadi Shahnazari, ^علی اصغر اروجی
مشخصه یابی و بررسی اثر افزودن نقره بر حسگرهای گازی اکسید قلع
اولین کنفرانس بین المللی دستاوردهای نوین پژوهشی در مهندسی برق و کامپیوتر(2016-05-13)
9312119004, سعیده رهبر پور, حسن غفور فرد, ^علی اصغر اروجی
افزایش ولتاژ شکست و کاهش مقاومت حالت روشن ترانزیستور SOI-LDMOS با استفاده از یک لایه فلز در لایه ی اکسید مدفون
اولین کنفرانس بین المللی دستاوردهای نوین پژوهشی در مهندسی برق و کامپیوتر(2016-05-13)
9112119003, ^علی اصغر اروجی
ترانزیستور سیلیسیم روی عایق دو گیتی پله ای (SDG SOI): ساختاری نوین برای کاهش آثار کانال کوتاه
بیست و سومین کنفرانس مهندسی برق ایران(2015-05-10)
^علی اصغر اروجی
بررسی ساز و کار شکست در گوشه های نوک تیز اتصالات P-N در ماسفت های کربید سیلیسیم و ارائه یک ساختار جدید برای افزایش ولتاژ شکست
کنفرانس فیزیک ایران 1393(2014-09-08)
^علی اصغر اروجی
بهبود ولتاژ شکست افزاره های با قابلیت تحرک الکترونی بالا مبتنی بر گالیوم نیترید با بهینه سازی غلظت آلایش لایه p ایجاد شده در لایه حایل
کنفرانس فیزیک ایران 1393(2014-09-08)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
طراحی یک ساختار جدید UMOSFET برای افزایش ولتاژشکست و کاهش مقاومت ویژه
کنفرانس فیزیک ایران 1393(2014-09-08)
^علی اصغر اروجی
A novel reflectarray backed on FSS based on the folded SIR configuration for low RCS
8th European Conference on Antennas and Propagation(2014-04-06)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
Microstip Antenna with a Reconfigurable Dumbbell-Shaped Defected Ground Plane for DCS-1800 and PCS-1900
IEEE International Symposium on Antennas and Propagation 2013(2013-07-07)
^پژمان رضائی, ^علی اصغر اروجی
آنالیز و مقایسه تاثیر گیت پنج ماده ای بر اثرات نامطلوب کانال کوتاه در نانو ترانزیستورهای MOSFET-SOI
دومین همایش آموزشی فناوری نانو(2013-03-13)
^علی اصغر اروجی
Investigation of multiple material gate impact on short channel effects and reliability of nanoscale SOI mosfets
WASET International Congress(2013-02-14)
^علی اصغر اروجی
Designing an optimized controller in industrial system using some integer linear programming problems
نهمین کنفرانس بین المللی مهندسی صنایع(2013-01-20)
^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی
A Simple Petri Net controller in Discrete Event Systems
14th INFAC Symposium on Information Control Problems in Manufacturing(2012-05-23)
^عباس دیدبان, ^علی اصغر اروجی, حسن اعلا
A Novel SiGe-on-Insulator (SGOI) MOSFET with Three Step Doping Channel for Reliability Improvement
International Conference on Enabling Science and Nanotechnology(ESciNano2012)(2012-01-05)
^علی اصغر اروجی
Nanoscale SGOI MOSFET with Vertical Step Doping: A Novel Structure for Improving of Leakage Current
International Conference on Enabling Science and Nanotechnology(ESciNano2012)(2012-01-05)
^علی اصغر اروجی
An Improved SOI MESFET with Triple-Recessed Drift Region for Electrical Performance Improvement
16th International Workshop on Physics of Semiconductor Devices(2011-12-19)
^علی اصغر اروجی
High Breakdown SOI MESFET with Horizontal T Shaped Gate
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی
Double Step Insulator Fin Field Effect Transistor
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی
A Novel Structure for Leakage Current Improvement: A Triple Gate Poly Silicon Thin Film Transistor with Non Uniform Doping Channel
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی
Nanoscale SiGe-on-Insulator (SGOI) MOSFET with Step High Doping Concentration for Leakage Current Reduction
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی
Improved Breakdown Voltage of SOI MESFET with 4H-SiC Layer
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی
A Novel SiGe-on-Insulator (SGOI) MOSFET for leakage Current Reduction: Garaded Single Halo Doping
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی
Novel partially depleted SOI MOSFETs for reducing the floating-body effect
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی
Improved Characteristics SOI MOSFETs with two new structures: Raised Buried Oxide and Recessed Buried Oxide
International Conference on Advanced Electromaterials, ICAE 2011, Korea(2011-11-07)
^علی اصغر اروجی
رهیافتی جدید در شبیه سازی عددی تورهای براگ فیبر نوری یکنواخت و مورب
پنجمین همایش ملی فیزیک دانشگاه پیام نور(2011-10-07)
^علی اصغر اروجی
ارائه یک ساختار جدید از ترانزیستور FinFET به منظور کاربرد در دماهای بالا
کنفرانس فیزیک ایران 1390(2011-09-05)
^علی اصغر اروجی
A novel power high electron mobility transistor with partial stepped recess in the drain access region for performance improvement
International Conference on Signal Processing, Communication, Computing & Networking Technologies, ICSCCN 2011, India(2011-07-21)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
A novel A1GaN/GaN/A1GaN double-Heterojunction high electron mobility transistor for performance improvement
International Conference on Signal Processing, Communication, Computing & Networking Technologies, ICSCCN 2011, India(2011-07-21)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
A novel double field-plate power high electron mobility transistor based on AlGaN/GaN for performance improvement
International Conference on Signal Processing, Communication, Computing & Networking Technologies, ICSCCN 2011, India(2011-07-21)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
A novel step burried oxide partial SOI LDMOSFET with triple drift layer
International Conference on Signal Processing, Communication, Computing & Networking Technologies, ICSCCN 2011, India(2011-07-21)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی, مریم ایرانیان پور حقیقی
DC and RF characteristics of SiC MESFETs with different channel doping concentrations under the gate
International Conference on Electronics, Computers and Artificial Intelligence, ECAI-2011, Romania(2011-06-30)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی
A novel SiC MESFET with recessed P-Buffer layer
International Conference on Electronics, Computers and Artificial Intelligence, ECAI-2011, Romania(2011-06-30)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی
A New Method for Improving Breakdown Voltage in PSOI MOSFETs Using Variable Drift Region Doping Concentration
IEEE International Conference on Computer Science and Automation Engineering (CSAE 2011)(2011-06-10)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی
4H-SiC SOI-MESFET with a Step in Buried Oxide for Improving Electrical Performance
IEEE International Conference on Computer Science and Automation Engineering (CSAE 2011)(2011-06-10)
^علی اصغر اروجی
Farsi/Arabic Text Extraction From Video Images
نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2011-05-17)
^سعید مظفری, ^علی اصغر اروجی
Investigation of double recessed gate SiC MESFETs with different recessed lengths
نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2011-05-17)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی
A novel GaAs MESFET with multi-recessed drift region and partly p-type doped space layer
2011 International Conference on Electronic Devices, Systems & Application (ICEDSA)(2011-04-25)
^علی اصغر اروجی
A novel N-MOSFET with air gaps in gate insulator for deep submicron applications
2011 International Conference on Electronic Devices, Systems & Application (ICEDSA)(2011-04-25)
^علی اصغر اروجی
Farsi/Arabic Text Extraction from Video Images by Corner Detection
ششمین کنفرانس ماشین بینایی و پردازش تصویر ایران(2010-10-27)
^سعید مظفری, ^علی اصغر اروجی
Investigation of channel impurity impacts on carbon nanotube field effect transistors by self-consistent solution between poisson and schrodinger equa
12th WSEAS International conference on mathematical methods computational techniques in electrical engineering(2010-10-21)
^علی اصغر اروجی, ^پرویز کشاورزی
Comparative study of buried insulator materials in LDMOSFETs
IEEE R8 International conference on computational technologies in electrical and electronics engineering(2010-07-11)
^علی اصغر اروجی, ^عباس دیدبان
A Novel SiC MESFET with Double Recessed Gate in Drain Side
International Symposium on Signals, Systems and Electronics(2010-06-27)
^علی اصغر اروجی, دکتر سید ابراهیم حسینی
آنالیزو شبیه سازی ترازیستورهای MOSFET در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق
هفتمین همایش دانشجویی فناوری نانو(2010-05-26)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
ارائه و شبیه سازی روشهایی جدید برای کاهش اثرات کانال کوچک در ترانزیستورهای اثر میدانی نانو تیوب کربن
هفتمین همایش دانشجویی فناوری نانو(2010-05-26)
^علی اصغر اروجی
یافته های نوین در رفتار ترانزیستورهای اثر میدان یونیزاسیون برخوردی
هجدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2010-05-11)
^علی اصغر اروجی
ترانزیستور FinFET با لبه های مدور:ارائه یک ساختار جدید به منظور بهبود اثر خود گرمایی
هجدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2010-05-11)
^علی اصغر اروجی
Three Independent Gate Fin Field Effect Transistor
International Conference on Nano Science & Technology(2010-02-17)
^علی اصغر اروجی
A novel SOI MOSFET with buried alumina gate oxide
IEEE-RSM 2009(2009-08-10)
^علی اصغر اروجی
بررسی اثر گام خاموشی سیگنال های پروب و کنترل در گیت های نوری بر پایه آینه حلقوی غیر خطی
نخستین همایش ملی مهندسی اپتیک و لیزر ایران(2009-05-20)
^علی اصغر اروجی
Novel attributes on the performance of ultra scaled asymmetrical double gate SOI MOSFET: non-equilibrium green s function approach
هفدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2009-05-12)
^علی اصغر اروجی
آنالیز و طراحی یک ساختار جدید برای ترانزیستورهای UTB-SOI-MOSFET جهت بهبود اثرات خودگرمایی
هفدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران(2009-05-12)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
Nanoscale SOI MOSFETs with double step buried oxide:A novel structure for suppressed self-heating effects
2008 International conference on microelectronics(2008-12-14)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
A novel partial SOI power device with step in buried oxide for improvement of breakdown voltage
2008 IEEE International conference on semiconductor electronics(ICSE2008)(2008-11-25)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
Investigation of electrical characteristics of submicron silicon carbide MOSFETs
2nd International congress on nanoscience & Nanotechnology(2008-10-28)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
Dual material gate oxide stack symmetric double gate MOSFET: Improving short channel effects of nanoscale double gate Mosfet
2008 internnational biennial electronics conference(2008-10-06)
^علی اصغر اروجی
Nanoscale triple material double gate(TM-DG) MOSFET for improving short channel effects
International conference on advances in electronics and micro-electronics(2008-09-29)
^علی اصغر اروجی
Improving short channel effects of sub-100nm double gate MOSFET having high-K material in oxide stack
The 14th International Symposium on the physics of semiconductor and applications(2008-08-26)
^علی اصغر اروجی
A Novel thin–film Power MOSFETs with an Asymmetrical Buried Oxide Double Step Structure
6th ICEENG(2008-05-27)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
6H-SiC lateral Power MOSFETs with an Asymmetrical Buried Oxide Double Step Structure
ICMMT 2008(2008-04-21)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
آنالیز مقایسه ای مشخصات سیگنال کوچک نانو ترانزیستورهای اثر میدان فلز – اکسید – نیمه هادی کربید سیلیسیم ( SIC-MOSFET )
کنفرانس ملی مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد(2008-03-05)
^علی اصغر اروجی, دکتر مرتضی فتحی پور
اثر پاشندگی در قطبشی بر شکل پالس و عملکرد سیستم های مخابرات فیبرنوری
کنفرانس ملی مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد(2008-03-05)
^علی اصغر اروجی
Charge Controlling in Nanoscale Shielded Channel DG-MOSFET: A Quantum Simulation
14th International workshop on the physics of semiconductor devices(2007-12-16)
^علی اصغر اروجی, رحیم فائز
Two-Dimensional Quantum Simulation of Scaling Effects in Ultrathin Body MOSFET Structure: NEGF Approach
14th International workshop on the physics of semiconductor devices(2007-12-16)
^علی اصغر اروجی, رحیم فائز
The Impact of High-K Gate Dielectrics on Carbon Nanotube Transistors
14th International workshop on the physics of semiconductor devices(2007-12-16)
^علی اصغر اروجی
Full Quantum Mechanical Simulation of a Novel Nanoscale DG-MOSFET: 2D NEGF Approach
IEEE AFRICON 2007(2007-09-26)
^علی اصغر اروجی, رحیم فائز
آنالیز و شبیه سازی انتقال کوانتومی در ترانزیستور اثر میدانی نانوتیوب کربن
دهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران(2007-09-04)
^علی اصغر اروجی
آنالیز و شبیه سازی کاهش سد پتانسیل ناشی از افزایش ولتاژ درین در ترانزیستورهای اثر میدان فلز – نیمه هادی کربید سیلیسیم
دهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران(2007-09-04)
^علی اصغر اروجی
Analytical Modeling of Nanoscale Dual Material Surrounding–Gate Fully Depleted SOI MOSFET
International Conference on MEMS and Semiconductor Nanotechnology(2005-12-01)
^علی اصغر اروجی,
Performance Considerations of a Novel MOSFET Architecture: Symmetrical Double Gate with Electrically Induced Source/Drain
Thirteenth International workshop on the physics of semiconductor devices(2005-12-01)
^علی اصغر اروجی,
Two-Dimensional Analytical Modelling of Nanoscale Electrically-Shallow Junction (EJ) Fully Depleted SOI MOSFET
ICM 2004 (IEEE)(2004-10-01)
, ^علی اصغر اروجی
بهبود ترانزيستورهاي با تحرك بالاي الكترون
رجبي صبا ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود مشخصات ترانزيستورهاي قدرت اثر ميدان در تكنولوژي سلينيم بر روي عايق
اميني مقدم حميد ، مقطع : كارشناسي ارشد
آناليز و شبيه سازي اثرات كانال
رضوي سيدمحمد(تاریخ دفاع: 1390/06/21) ، مقطع : كارشناسي ارشد
ترانزيستورهاي اثر ميدان سيلسيم
مهراد مهسا ، مقطع : كارشناسي ارشد
مشخصات ترانزيستورهاي لايه نازك
كلاته اسيه ، مقطع : كارشناسي ارشد
طراحي فيلترهاي نوري
شهيدي محمدمهدي(تاریخ دفاع: 1390/06/28) ، مقطع : كارشناسي ارشد
آناليز ترانزيستورهاي كربيد سيلسيم
جمالي مهابادي سيداحسان(تاریخ دفاع: 1390/06/28) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود مشخصات فركانسي ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز نيمه هادي
عنبرحيدري اكرم(تاریخ دفاع: 1392/07/01) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود عملكرد مشخصات ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز نيمه هادي كربيد سيليسيم
قاسميان معصومه(تاریخ دفاع: 1390/12/14) ، مقطع : كارشناسي ارشد
آناليز عملكرد تقويت كننده هاي نوري در سيستم هاي مخابرات نوري
بلوري نسا(تاریخ دفاع: 1389/07/05) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي اثرات كوانتومي ترانزيستورهاي اثر ميدان
عبداله حسين(تاریخ دفاع: 1389/06/01) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود اثرات كنال كوتاه ترانزيستورهاي سيليسيم روي عايق
رحماني نژاد سوده(تاریخ دفاع: 1390/10/26) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي ترانزيستورهاي سليسيم ژرمانيم دوكاناله و اثرات تنش در بهبود مشخصات آنها
رحيميان مرتضي(تاریخ دفاع: 1390/11/10) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود مشخصات ترانزيستورهاي فيلم نازك پلي سيليكاتي
اسماعيل نژادعلي تپه ربابه(تاریخ دفاع: 1390/11/10) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود مشخصات ترانزيستورهاي اثر ميدان فاز نيمه هادي گاليم آرسنايد
امين بيدختي اميرحسين(تاریخ دفاع: 1390/06/29) ، مقطع : كارشناسي ارشد
آناليز و شبيه سازي نانو ترانزيستورهاي سيليسيم بر روي عايق براي بهبود اثرات كانال كوتاه
تفكري دلبري پانيذ(تاریخ دفاع: 1392/04/10) ، مقطع : كارشناسي ارشد
پايان نامه
عباسي عبداله(تاریخ دفاع: 1394/06/17) ، مقطع : دكتري
پايان نامه
زارعي ميثم(تاریخ دفاع: 1392/11/19) ، مقطع : دكتري
آناليز و بهبود مشخصات ترانزيستورهاي اثر ميداني نفوذي افقي
مهراد مهسا(تاریخ دفاع: 1392/12/03) ، مقطع : دكتري
-
رمضاني زينب(تاریخ دفاع: 1392/06/25) ، مقطع : كارشناسي ارشد
-
اكبريان خطبه سرا اكرم(تاریخ دفاع: 1392/12/03) ، مقطع : كارشناسي ارشد
-
شيخ الاسلامي سيد مصطفي(تاریخ دفاع: 1392/07/16) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود مشخصات نانو ترانزيستورهاي سيليسيم ژرمانيم
محتشم عليرضا(تاریخ دفاع: 1393/06/31) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهينه سازي و بهبود مشخصات ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز - نيمه هادي مسفت
اسلامي جم معين(تاریخ دفاع: 1392/12/13) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود مشخصات ترانزيستورهاي ماسفت با گيت فراگير
نجاتي محمد(تاریخ دفاع: 1393/06/31) ، مقطع : كارشناسي ارشد
تحليل و بهبود مقاومت حالت روشن در ترانزيستورهاي اثرميدان توان
منصوري حجت اله(تاریخ دفاع: 1394/06/24) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود پاسخ فركانسي ترانزيستورهاي MESFET درتكنولوژي سيليسيم روي عايق
شاه نظري ثاني هادي(تاریخ دفاع: 1393/11/06) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود آثار كانال كوتاه در ترانزيستورهاي نانو SOI MOSFET
رحيمي فر عاطفه(تاریخ دفاع: 1393/06/24) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان كربيد سيليسيم
جوزي نجف آبادي محمد(تاریخ دفاع: 1394/06/24) ، مقطع : كارشناسي ارشد
مهندسي ناحيه رانشي براي بهبود عملكرد ترانزيستورهاي SOI LDMOS
جهان بخش محمدعلي(تاریخ دفاع: 1393/11/14) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان نفوذ افقي
حنائي مهسا(تاریخ دفاع: 1393/11/12) ، مقطع : كارشناسي ارشد
مهندسي ميدان الكتريكي در نزديكي گيت جهت بهبود عملكرد افزاره هاي با قابليت تحرك الكتروني بالا مبتني بر گاليوم نيترايد
آقارضائي سوداني حسن(تاریخ دفاع: 1393/07/01) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود عملكرد ترانزيستر هاي سيليسيم روي عايق در كاربردهاي ولتاژ پايين
انوري فرد محمدكاظم(تاریخ دفاع: 1393/11/25) ، مقطع : دكتري
بررسي ترانزيستورهاي ماسفت دوگيتي و راههاي بهبود عملكرد آن
نجفعلي زاده منفرد حامد(تاریخ دفاع: 1394/11/12) ، مقطع : كارشناسي ارشد
تحليل طراحي و ساخت آنتن مسطح با قابليت تاثير پذيري توام فركانس، پرتو تشعشعي و پلاريزاسيون
فخاريان محمدمهدي(تاریخ دفاع: 1395/04/22) ، مقطع : دكتري
تحليل و طراحي سيستم پهن باند مجتمع با تاكيد بر مولد پالس و آنتن فعال تغيير پذير
ولي زاده شهميرزادي آرش(تاریخ دفاع: 1395/04/22) ، مقطع : دكتري
بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان چند گيتي نانو مقياس
كريمي فاطمه(تاریخ دفاع: 1396/06/30) ، مقطع : دكتري
سنتز چند هدفه مدارهاي برگشت پذير
سرو قد مقدم معين(تاریخ دفاع: 1395/06/15) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود ولتاژ شكست ترانزيستورهاي با قابليت تحرك الكتروني بالا بر پايه گاليوم نيتريد
غفاري مجيد(تاریخ دفاع: 1395/07/12) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي قدرت اثر ميدان افقي درتكنولوژي سيليسيم روي عايق
دهقان طزره مصطفي(تاریخ دفاع: 1395/07/11) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود مقاومت حالت روشن و ولتاژ شكست ترانزيستورهاي اثر ميدان نفوذي
پاك امين(تاریخ دفاع: 1396/09/21) ، مقطع : دكتري
اناليز تحليلي و بهبود اثار كانال كوتاه ترانزيستورهاي نانو مقياس اثر ميدان در فناوري سيليسيوم روي عايق
رمضاني زينب(تاریخ دفاع: 1396/09/21) ، مقطع : دكتري
بررسي و بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستور فلز نيمه هادي اثر ميدان
روستائي زهره(تاریخ دفاع: 1395/07/04) ، مقطع : كارشناسي ارشد
ساخت و مشخصه يابي حسگرهاي اكسيد قلع آلايش شده با نقره
حيدري سكينه(تاریخ دفاع: 1395/11/03) ، مقطع : كارشناسي ارشد
تحليل و طراحي سطوح انتخابگر فركانسي جهت كاهش سطح مقطع راداري
فيروزفر امير(تاریخ دفاع: 1399/06/30) ، مقطع : دكتري
بهبود ولتاژ شكست ترانزيستورهاي با قابليت تحرك الكتروني بالا مبتني بر گاليوم نيترايد
سجادي جاغرق صدف سادات(تاریخ دفاع: 1396/08/23) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي ماسفت با استفاده از تكنولوژي سيليسيم ژرمانيم
شكوهي شورمستي علي(تاریخ دفاع: 1396/11/02) ، مقطع : كارشناسي ارشد
كاهش اثرات كانال كوتاه در ماسفت‌هاي SOI
رفيع رسول(تاریخ دفاع: 1396/12/20) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود اثرات كانال كوتاه در ماسفت‌هاي چندگيتي
افضلي سيد سعيد(تاریخ دفاع: 1396/11/02) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي قدرتUMOSFET
عباسي الهام(تاریخ دفاع: 1397/06/12) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود ولتاژ شكست افزاره‌هاي توان LDMOS درتكنولوژي SOI
جان ميرزا فرهاد(تاریخ دفاع: 1398/10/01) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي مشخصات استاتيك ترانزيستورهاي اثرميدان نفوذ افقي(LDMOS)
عزالدين مهرناز(تاریخ دفاع: 1396/06/27) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بازشناسي افراد با استفاده از تصاوير رنگ ، عمق و اسكلت
ايماني زينب(تاریخ دفاع: 1398/07/15) ، مقطع : دكتري
كاهش تداخل بين حاملي در ارتباطات سلولي نسل پنجم بر پايه تبديلات جديد
موسوي محمدرضا(تاریخ دفاع: 1399/03/12) ، مقطع : دكتري
بررسي و بهبود مشخصه‌هاي ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز ـ نيمه‌هادي
محترم محدثه(تاریخ دفاع: 1396/12/01) ، مقطع : كارشناسي ارشد
طراحي ساختارهاي جديد براي سلولهاي خورشيدي لايه نازك CIGS
غريب شاهيان ايمان(تاریخ دفاع: 1397/06/19) ، مقطع : كارشناسي ارشد
طراحي ساختارهاي جديد براي سلولهاي خورشيدي لايه نازك CIGS
غريب شاهيان ايمان(تاریخ دفاع: 1397/06/19) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود مقاومت حالت روشن در ترانزيستورهاي اثر ميدان توان
پرتو مجيد(تاریخ دفاع: 1397/06/26) ، مقطع : كارشناسي ارشد
تحليل و بهخبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي با تحرك الكتروني بالا مبتني بر ALGaN/GaN
اميري ميلاد ، مقطع : دكتري
طراحي فرا سطح هاي الكترومغناطيس براي مهندسي پراكندگي امواج با روش مدار معادل الكتريكي
قايخلو عليرضا(تاریخ دفاع: 1399/02/24) ، مقطع : دكتري
بررسي و كاهش اثرات كانال كوتاه در ترانزيستورهاي اثر ميدان با فن‌آوري سيليسيم روي عايق
قاسمي مسلم(تاریخ دفاع: 1399/06/24) ، مقطع : كارشناسي ارشد
مسيريابي انرژي ـ كارآمد براي شبكه هاي ابري مبتني بر SDN
ترك زاده سمانه(تاریخ دفاع: 1400/03/25) ، مقطع : دكتري
طراحي، شبيه سازي و بهبود مشخصات حسگرهاي ضريب شكست بر پايه‌ي موجبرهاي فلزـ عايق ـ فلز
هداوند احسان(تاریخ دفاع: 1399/11/25) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود جريان در تزانزيستورهاي تونلي بدون اتصال
صفري عارف(تاریخ دفاع: 1398/11/08) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود مشخصه هاي الكتريكي ترانزيستورهاي قدرت اثر ميدان نفوذ افقي (LDMOS)
گاوشاني امير(تاریخ دفاع: 1399/12/06) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود مشخصه هاي الكتريكي ترانزيستورهاي سيليسيم روي عايق (SOI)
مددي استانجين داريوش(تاریخ دفاع: 1399/11/29) ، مقطع : كارشناسي ارشد
آناليز و بهبود مشخصه ترانزيستور اثرميدان تونلي TFET مبتني بر تونل زني افقي
فرامرزي زهرا ، مقطع : دكتري
طراحي گيت هاي منطقي تمام نوري مبتني بر ساختارهاي هيبريدي
مرادي مرضيه ، مقطع : دكتري
تحليل، طراحي و مدل سازي جاذب هاي نوري مبتني بر گرافن در باند تراهرتز
آقايي تكتم(تاریخ دفاع: 1400/04/01) ، مقطع : دكتري
بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز -‌ نيمه هادي
رييسي سيروس ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز -‌ نيمه هادي
رييسي سيروس ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود عملكرد و ويژگي هاي فركانسي ترانزيستورهاي SOI-MESFET
خورابه مهدي(تاریخ دفاع: 1400/03/25) ، مقطع : كارشناسي ارشد
طراحي و شبيه سازي فتوديود اثر ميداني با قابليت كنترل جريان نوري خروجي
شرفي فواد(تاریخ دفاع: 1399/11/20) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي اثرات ماده اكسيد گاليوم بر مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي SOI MESFET
علي نژاد علي ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود ساختارهاي سلول هاي خورشيدي لايه نازك CIGS
احمدپناه فاطمه السادات(تاریخ دفاع: 1400/06/17) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود مشخصات فركانسي ترانزيستورهاي اثر ميدان سيليسيم روي عايق
بزرگي سيدامير ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي قدرت اثر ميدان نفوذ افقي در تكنولوژي سيليسيم روي عايق
كرمي مرتضي(تاریخ دفاع: 1400/08/19) ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود مشخصه هاي الكتريكي ترانزيستورهاي قدرت LDMOS در تكنولوژي سيليسيم روي عايق
عباسقلي پورسويري فرشاد ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز ـ نيمه هادي در تكنولوژي سيليسيم روي عايق
سينا محدثه ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و شبيه سازي مشخصات الكتريكي ساختار ترانزيستورهاي قدرت UMOSFET با اكسيد گاليوم
ايمني حميد ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود ترانزيستورهاي اثر ميدان SOI بدون اتصال با مواد نيمه هادي شكاف باند بالا
معتمدي ايدا ، مقطع : كارشناسي ارشد
طراحي و مدل‌سازي سلول‌هاي خورشيدي لايه نازك Sb2Se3 به منظور افزايش بازدهي
غريب شاهيان ايمان ، مقطع : دكتري
بهبود جريان حالت خاموش و مدلسازي ترانزيستور اثر ميداني بدون پيوند دوگيتي
باوير محمد ، مقطع : دكتري
بهبود جريان حالت خاموش و مدلسازي ترانزيستور اثر ميداني بدون پيوند دوگيتي
باوير محمد ، مقطع : دكتري
بهبود مقاومت حالت روشن و مدلسازي تزانزيستورهاي قدرت MOSFET
شكوهي شورمستي علي ، مقطع : دكتري
بهبود مقاومت حالت روشن و مدلسازي تزانزيستورهاي قدرت MOSFET
شكوهي شورمستي علي ، مقطع : دكتري
بررسي و بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثرميداني در مقياس نانو
حيدري مهران ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان بدون پيوند
مقدم ابريشمي كيميا ، مقطع : كارشناسي ارشد
بررسي و بهبود مشخصات ترانزيستورهاي اثر ميدان نفوذي افقي سيليسيم روي عايق
جعفري سيدمحمدحسين ، مقطع : كارشناسي ارشد
بهبود نسبت جريان حالت روشن به خاموش و مدلسازي ديودهاي اثر ميداني
رضايي ارش ، مقطع : دكتري
پياده سازي يك فيلتر پايين گذر مرتبه دوم تحريك از بدنه با ولتاژ تغذيه بسيار پايين و با استفاده از تكنيك سوئيچ-آپ امپ
درويشاني حديثه ، مقطع : كارشناسي ارشد
تکنیک پالس
تکنیک پالس
ساختار ترانزیستور نانو مقیاس فلز-اکسید-نیمه هادی با یک اتصال (N+-P)
(2018-01-06)
ترانزیستور اثر میدانی نفوذی افقی با گیت ورقه ورقه شده
(2017-04-15)
ترانزیستور اثر میدان سیلیسیم بر روی عایق با استفاده یک تکه فلز زیر کانال
(2016-10-30)
آنتن ترکیبی و تغییرپذیر حلقه-شکاف با قابلیت سوئیچینگ فرکانس عملکرد، پلاریزاسیون و پرتو تشعشعی
دانشگاه سمنان(2016-11-12)
ترانزستور اثر میدانی سیلیسیم بر روی عایق با استفاده از ایجاد چاه حفره ای در زیر کانال
(2016-03-14)
ترانزیستور نانو مقیاس با دیود ایساکی دوگانه
(2015-07-15)
اتصال سری دو سلول خورشیدی مس-گالیم-سلنیم و سیلیسیم به منظور افزایش بازدهی با قابلیت کنترل جریان
(2018-05-21)
ترانزیستور نانو مقیاس اثر میدانی باله ای با کانال اصلاح شده مدور
(2016-05-17)
سلول خورشیدی لایه نازک CIGS با لایه منعکس کننده الکترون و سوق دهنده حفره
(2017-11-22)
سلول‌ خورشیدی پشت سر همAlxGa1-xAs/CIGS شامل بافت‌های ناهموار سطحی جهت به دام اندازی نور
دانشگاه سمنان(2020-05-03)
بهبود بازدهی سلول های خورشیدی لایه نازک CuIn1−xGaxSe2 با بهینه سازی لایه بافر(ناظر)
(2017-10-30)

دانلود ها

فایل ها و ابزارهای مفید

طرح درس

طرح دروس و شرح آن

مطالب وبلاگ

اخبار، اطلاعیه ها و...

تماس

در ارتباط باشید

در ارتباط باشید

گروه آموزشی الکترونیک، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه سمنان، ایران
aliaorouji@semnan.ac.ir
(+98)2331533996

فرم تماس